[发明专利]对NAND闪存器件进行编程的方法无效
| 申请号： | 200610156447.3 | 申请日： | 2006-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN101154450A | 公开（公告）日： | 2008-04-02 |
| 发明（设计）人： | 朴成济 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 杨生平;杨红梅 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种对NAND闪存器件进行编程的方法包括：提供闪存器件，其中字线被设置在漏极选择线和源极选择线之间，其中邻近源极选择线提供第一字线而邻近漏极选择线提供最后字线；选择字线来编程耦合到所选字线的存储单元，以对所选第一字线执行偶数LSB编程操作和奇数LSB编程操作；选择每个字线直到所有字线已被选择，使得对所有字线可以执行偶数LSB编程操作和奇数LSB编程操作；执行偶数LSB编程操作以将低级数据位存储在耦合到分配给所选字线的偶数位线的存储单元中；执行奇数LSB编程操作以将低级数据位存储在耦合到分配给所选字线的奇数位线的存储单元中。 | ||
| 搜索关键词： | nand 闪存 器件 进行 编程 方法 | ||
【主权项】：
1.一种对NAND闪存器件进行编程的方法，所述方法包括：提供闪存器件，其中N个字线被设置在漏极选择线和源极选择线之间，每个字线被分配有第一位线和第二位线；执行LSB编程操作，用于从邻近所述源极选择线的第一字线到邻近所述漏极选择线的第N字线存储低级数据位；以及执行MSB编程操作，用于从邻近所述源极选择线的所述第一字线到邻近所述漏极选择线的所述第N字线存储高级数据位，其中所述LSB编程操作包括：选择给定字线，以及对耦合到所选字线的第一位线的第一存储单元以及然后对耦合到所选字线的第二位线的第二存储单元进行编程，其中重复所述选择给定字线的步骤和对第一存储单元进行编程的步骤直到第N字线已被处理。
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