[发明专利]氮化物类半导体发光元件及其制造方法无效
| 申请号： | 200610154358.5 | 申请日： | 2006-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN101043121A | 公开（公告）日： | 2007-09-26 |
| 发明（设计）人： | 狩野隆司;畑雅幸;野村康彦 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/00 | 分类号： | H01S5/00;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明得到一种能够抑制特性降低和合格率降低的氮化物类半导体发光元件的制造方法。该氮化物类半导体发光元件的制造方法包括：通过将与氮化物类半导体基板的发光部分对应的氮化物类半导体基板的第一区域以外的第二区域的规定区域有选择地去除到规定的深度，在氮化物类半导体基板上形成槽部的工序；和在氮化物类半导体基板的第一区域和槽部，形成其组成与该氮化物类半导体基板不同的氮化物类半导体层的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 物类 半导体 发光 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种氮化物类半导体发光元件的制造方法，其特征在于，包括：通过将与氮化物类半导体基板上形成的氮化物类半导体层的发光部分对应的所述氮化物类半导体基板的第一区域以外的第二区域的规定区域有选择地去除到规定的深度，在所述氮化物类半导体基板形成槽部的工序；和在所述氮化物类半导体基板的所述第一区域和所述槽部上，形成其组成与所述氮化物类半导体基板不同的氮化物类半导体层的工序。
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