[发明专利]非晶硅层的结晶方法及其光掩模无效
| 申请号： | 200610151610.7 | 申请日： | 2006-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN101140853A | 公开（公告）日： | 2008-03-12 |
| 发明（设计）人： | 朱芳村;林家兴 | 申请（专利权）人： | 财团法人工业技术研究院 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/20;H01L21/268;B23K26/06;G03F1/14 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种非晶硅层的结晶方法，包括下列(A)～(E)的步骤。(A)提供已形成非晶硅层的基板。(B)提供光掩模，其具有光掩模图案，光掩模图案包括彼此成镜像对称的第一区域图案与第二区域图案。(C)选取第一区域图案为第一照射区域，并往第一方向移动基板，以使激光束通过第一区域图案而照射在沿着第一方向上的非晶硅层上。(D)选取第二区域图案为第二照射区域，并往与第一方向相反的第二方向移动基板，以使激光束通过第二区域图案而照射在沿着第二方向上的非晶硅层上。(E)重复(C)、(D)步骤，使基板上的非晶硅层完全转变为多晶硅层。 | ||
| 搜索关键词： | 非晶硅层 结晶 方法 及其 光掩模 | ||
【主权项】：
1.一种非晶硅层的结晶方法，包括：(A)提供基板，该基板上已形成非晶硅层；(B)提供光掩模，该光掩模具有光掩模图案，而该光掩模图案包括彼此成镜像对称的第一区域图案与第二区域图案；(C)选取该第一区域图案为第一照射区域，并往第一方向移动该基板，以使激光束通过该第一区域图案而照射在沿着该第一方向上的该非晶硅层上；(D)选取该第二区域图案为第二照射区域，并往与该第一方向相反的第二方向移动该基板，以使该激光束通过该第二区域图案而照射在沿着该第二方向上的该非晶硅层上；以及(E)重复该(C)、(D)步骤，以使该基板上的非晶硅层完全转变为多晶硅层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
