[发明专利]形成光刻胶层的方法无效
| 申请号： | 200610148820.0 | 申请日： | 2006-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN101211116A | 公开（公告）日： | 2008-07-02 |
| 发明（设计）人： | 朱晓峥;沈悦 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/16 | 分类号： | G03F7/16;G03F7/38;H01L21/00;H01L21/027;H01L21/312 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种形成光刻胶层的方法，包括下列步骤：将晶圆放在加热盘上在180至250℃下进行烘烤30至80s；将晶圆在30至120℃下缓冲冷却15至60s时间；将晶圆放置在快速冷却盘上，快速冷却30至60s时间；在晶圆上形成有机底部防反射层；在有机底部防反射层上形成光刻胶层。本发明还提供另外一种形成光刻胶层的方法。本发明在形成有机底部防反射层(BARC)或者光刻胶层之前对晶圆进行烘烤之后首先把晶圆进行缓冲冷却，然后放置于快速冷却盘上进行快速冷却，防止了晶圆先在加热盘上烘烤后直接放置于快速冷却盘上快速冷却导致的晶圆破碎。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 光刻 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成光刻胶层的方法，其特征在于，包括下列步骤：将晶圆放在加热盘上在180至250℃下进行烘烤30至80s；将晶圆在30至120℃下缓冲冷却15至60s；将晶圆放置在快速冷却盘上进行快速冷却；在晶圆上形成有机底部防反射层；在有机底部防反射层上形成光刻胶层。
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