[发明专利]MOS器件结构及其制造方法

摘要

一种用于制造集成电路器件的方法，包括：提供半导体衬底，包括第一和第二器件区；在第一与第二器件区之间形成沟槽隔离结构；形成位于第一和第二器件区上的栅极多晶硅层；形成位于栅极多晶硅层上的硅化物层；将硅化物层和栅极多晶硅层图案化，以形成第一器件区中的第一硅化物栅极结构和第二器件区中的第二硅化物栅极结构；形成第一硅化物栅极结构上的第一侧墙结构和第二硅化物栅极结构上的第二侧墙结构；形成位于第二硅化物栅极结构和第二器件区的暴露部分上的阻挡层；形成位于与第一硅化物栅极结构有关的第一源极区和第一漏极区上的硅化物材料；使用阻挡层，保持与第二硅化物栅极结构有关的第二源极区和第二漏极区没有任何的硅化物；剥离氧化物阻挡层，以暴露第二源极区和第二漏极区。

主权项

1.一种用于制造集成电路器件的方法，所述方法包括：提供半导体衬底，所述衬底包括第一器件区和第二器件区；在所述第一器件区与所述第二器件区之间形成沟槽隔离结构；形成位于所述第一器件区和所述第二器件区上的栅极多晶硅层；形成位于所述栅极多晶硅层上的硅化物层；将所述硅化物层和栅极多晶硅层图案化，以形成所述第一器件区中的第一硅化物栅极结构和所述第二器件区中的第二硅化物栅极结构；形成所述第一硅化物栅极结构上的第一侧墙结构和所述第二硅化物栅极结构上的第二侧墙结构；形成位于所述第二硅化物栅极结构和所述第二器件区的暴露部分上的阻挡层；形成位于与所述第一硅化物栅极结构有关的第一源极区和第一漏极区上的硅化物材料；使用阻挡层，保持与所述第二硅化物栅极结构有关的第二源极区和第二漏极区没有任何的硅化物；以及剥离所述氧化物阻挡层，以暴露所述第二源极区和所述第二漏极区。