[发明专利]MOS器件结构及其制造方法无效

专利信息
申请号: 200610147451.3 申请日: 2006-12-14
公开(公告)号: CN101202247A 公开(公告)日: 2008-06-18
发明(设计)人: 洪中山;蒲贤勇 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
主分类号: H01L21/822 分类号: H01L21/822;H01L21/8234;H01L21/8238
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 代理人: 徐谦;杨红梅
地址: 201203*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: mos 器件 结构 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种用于制造集成电路器件的方法,所述方法包括:

提供半导体衬底,所述衬底包括第一器件区和第二器件区;

在所述第一器件区与所述第二器件区之间形成沟槽隔离结构;

形成位于所述第一器件区和所述第二器件区上的栅极多晶硅层;

形成位于所述栅极多晶硅层上的硅化物层;

将所述硅化物层和栅极多晶硅层图案化,以形成所述第一器件区中的第一硅化物栅极结构和所述第二器件区中的第二硅化物栅极结构;

形成所述第一硅化物栅极结构上的第一侧墙结构和所述第二硅化物栅极结构上的第二侧墙结构;

形成位于所述第二硅化物栅极结构和所述第二器件区的暴露部分上的阻挡层;

形成位于与所述第一硅化物栅极结构有关的第一源极区和第一漏极区上的硅化物材料;

使用阻挡层,保持与所述第二硅化物栅极结构有关的第二源极区和第二漏极区没有任何的硅化物;以及

剥离所述氧化物阻挡层,以暴露所述第二源极区和所述第二漏极区。

2.根据权利要求1所述的方法,其中所述阻挡层包括氧化物层。

3.根据权利要求1所述的方法,其中所述阻挡层包括TEOS氧化物。

4.根据权利要求1所述的方法,其中所述第一硅化物栅极结构是所述第一器件区中的多个栅极结构中的一个。

5.根据权利要求1所述的方法,其中所述第二硅化物栅极结构是所述第二器件区中的多个栅极结构中的一个。

6.根据权利要求1所述的方法,其中所述第二硅化物栅极结构用于CMOS图像传感器。

7.根据权利要求1所述的方法,其中所述第一硅化物栅极结构的特征在于0.18微米或者更小的设计规格。

8.根据权利要求1所述的方法,其中所述阻挡层包括至少200埃的TEOS材料。

9.根据权利要求1所述的方法,其中所述硅化物层选自钛、钴、钨或者镍。

10.根据权利要求1所述的方法,其中所述剥离包括使所述阻挡层经过含氟物质的处理。

11.根据权利要求10所述的方法,其中所述含氟物质是氢氟酸或者缓冲氢氟酸。

12.根据权利要求10所述的方法,其中所述含氟物质得自等离子体环境。

13.根据权利要求1所述的方法,其中所述硅化物材料选自钛、钴或者镍。

14.一种用于制造集成电路器件的方法,所述方法包括:

提供半导体衬底,所述半导体衬底包括第一器件区和第二器件区;

在所述第一器件区与所述第二器件区之间形成沟槽隔离结构;

形成位于所述第一器件区和所述第二器件区上的栅极多晶硅层;

形成位于所述栅极多晶硅层上的硅化物层;

将所述硅化物层和栅极多晶硅层图案化,以形成所述第一器件区中的第一硅化物栅极结构和所述第二器件区中的第二硅化物栅极结构;

形成所述第一硅化物栅极结构上的第一侧墙结构和所述第二硅化物栅极结构上的第二侧墙结构;

形成位于所述第二硅化物栅极结构和所述第二器件区的暴露部分上的阻挡层;

形成位于与所述第一硅化物栅极结构有关的第一源极区和第一漏极区上的硅化物材料;

使用阻挡层,保持与所述第二硅化物栅极结构有关的第二源极区和第二漏极区没有任何的硅化物;以及

剥离所述氧化物阻挡层,以暴露所述第二源极区和所述第二漏极区,从而形成包括所述硅化物第一源极区和所述硅化物第一漏极区的所述第一硅化物栅极结构,并形成包括所述第二源极区和所述第二漏极区的所述第二硅化物栅极结构。

15.根据权利要求14所述的方法,其中所述阻挡层包括氧化物层。

16.根据权利要求14所述的方法,其中所述阻挡层包括TEOS氧化物。

17.根据权利要求14所述的方法,其中所述第一硅化物栅极结构是在所述第一器件区中的多个栅极结构中的一个。

18.根据权利要求14所述的方法,其中所述第二硅化物栅极结构是在所述第二器件区中的多个栅极结构中的一个。

19.根据权利要求14所述的方法,其中所述第二硅化物栅极结构用于CMOS图像传感器。

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