[发明专利]用于降低半导体器件中工作电压的结构无效
| 申请号： | 200610109581.8 | 申请日： | 2006-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN1917241A | 公开（公告）日： | 2007-02-21 |
| 发明（设计）人： | 维金奈·M·罗宾斯;史蒂文·D·莱斯特尔;杰弗里·N·米勒;戴维·P·保尔 | 申请（专利权）人： | 安华高科技ECBUIP（新加坡）私人有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 赵飞 |
| 地址： | 新加坡*** | 国省代码： | 新加坡;SG |
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| 摘要： | 本发明公开了一种光发射器件，它包括设置为响应于注入电荷而产生光的有源区以及n型材料层和p型材料层，其中，用至少两种掺杂物对n型材料层和p型材料层中的至少一个进行掺杂，所述掺杂物中至少一种具有比另一种掺杂物的电离能更高的电离能。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 降低 半导体器件 工作 电压 结构 | ||
【主权项】：
1.一种光发射器件，包括：有源区，所述有源区设置为响应于注入电荷而产生光；以及n型材料层和p型材料层，其中，用至少两种掺杂物对所述n型材料层和所述p型材料层中的至少一个进行掺杂，所述掺杂物中至少一种具有比其它种掺杂物的电离能更高的电离能。
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