[发明专利]半导体装置制造方法

摘要

半导体装置制造方法，包括步骤：在具有透光性能的衬底上形成栅电极层；在该栅电极层上形成栅绝缘层；在该栅绝缘层上形成光催化剂材料；将该光催化剂材料浸没在包含电镀催化剂材料的溶液中，以栅电极层为掩模在包含该电镀催化剂材料的溶液中将该光催化剂材料曝光于透射穿过衬底的光线，从而将该电镀催化剂材料吸附或沉积到被曝光的光催化剂材料上；将该电镀催化剂材料浸没在包含金属材料的电镀溶液中，从而在吸附或沉积该电镀催化剂材料的光催化剂材料表面上形成源电极层和漏电极层；以及在该源电极层和漏电极层上形成半导体层。

主权项

1.半导体装置制造方法，包括步骤：在具有透光性能的衬底上形成第一导电层；在该第一导电层上形成绝缘层；在该绝缘层上形成光催化剂材料；将该光催化剂材料浸没在包含电镀催化剂材料的溶液中，以第一导电层为掩模在包含该电镀催化剂材料的溶液中将该光催化剂材料的第一部分和第二部分曝光于透射穿过衬底的光线，从而将该电镀催化剂材料沉积到该光催化剂材料的部分上；将该电镀催化剂材料浸没在包含金属材料的电镀溶液中，从而分别在该光催化剂材料的第一部分和第二部分上形成第二导电层和第三导电层；以及在该第二导电层和第三导电层上形成半导体层。