[发明专利]抗蚀剂组合物、形成抗蚀剂图案的方法、半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200610107443.6 | 申请日： | 2006-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN101042531A | 公开（公告）日： | 2007-09-26 |
| 发明（设计）人： | 野崎耕司;小泽美和 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | G03F7/004 | 分类号： | G03F7/004;G03F7/027;G03F7/20;H01L21/027 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 张龙哺 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种抗蚀剂组合物，该抗蚀剂组合物能够通过抗蚀剂图案增厚材料使抗蚀剂图案均匀地增厚，而与抗蚀剂图案的方向、间隔变化以及抗蚀剂图案增厚材料的成分无关；并且能够以低成本、容易并有效地形成精细的抗蚀剂空间图案，突破曝光设备的光源的曝光极限。该抗蚀剂组合物包含脂环化合物(熔点：90℃－150℃)和树脂。制造半导体器件的方法包括如下步骤：使用抗蚀剂组合物在待处理的工件表面上形成抗蚀剂图案，并在该工件表面上涂覆抗蚀剂图案增厚材料，使其覆盖该抗蚀剂图案的表面，由此使该抗蚀剂图案增厚；以及通过使用增厚的抗蚀剂图案作为掩模蚀刻该工件表面而对该工件表面进行图案化。 | ||
| 搜索关键词： | 抗蚀剂 组合 形成 图案 方法 半导体器件 及其 制造 | ||
【主权项】：
1、一种抗蚀剂组合物，包含：脂环化合物；以及树脂，其中，该脂环化合物的熔点为90℃-150℃。
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