[发明专利]膜图案的形成方法、器件、电光学装置、电子设备、以及有源矩阵基板的制造方法无效
| 申请号： | 200610101976.3 | 申请日： | 2006-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN1901157A | 公开（公告）日： | 2007-01-24 |
| 发明（设计）人： | 平井利充;守屋克之 | 申请（专利权）人： | 精工爱普生株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/288;H01L21/00;H01L27/00;H05B33/10;H05B33/12;H05K3/10;H05K1/02 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 李贵亮 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种膜图案的形成方法，具有：在基板上配置第一围堰形成材料形成第一围堰层的工序；在所述第一围堰层上配置第二围堰形成材料形成第二围堰层的工序；通过将所述第一围堰层以及第二围堰层进行图案形成，形成具有由第一图案形成区域以及第二图案形成区域构成的图案形成区域的围堰的工序，该第二图案形成区域与所述第一图案形成区域连续且与所述第一图案形成区域相比宽度宽；在被所述围堰划分的所述图案形成区域配置功能液形成所述膜图案的工序，所述第一围堰形成材料及第二围堰形成材料均为以硅氧烷键为主链形成的材料，所述第二围堰形成材料为侧链上具有氟键的材料。 | ||
| 搜索关键词： | 图案 形成 方法 器件 光学 装置 电子设备 以及 有源 矩阵 制造 | ||
【主权项】：
1.一种膜图案的形成方法，其中，具有：在基板上配置第一围堰形成材料形成第一围堰层的工序；在所述第一围堰层上配置第二围堰形成材料形成第二围堰层的工序；通过对所述第一围堰层以及第二围堰层进行图案形成，形成具有由第一图案形成区域以及第二图案形成区域构成的图案形成区域的围堰的工序，该第二图案形成区域与所述第一图案形成区域连续且与所述第一图案形成区域相比宽度宽；在被所述围堰划分的所述图案形成区域配置功能液形成所述膜图案的工序，并且，所述第一围堰形成材料及第二围堰形成材料，均为以硅氧烷键为主链而成的材料，所述第二围堰形成材料为侧链上具有氟键的材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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