[发明专利]存储多值数据的非易失性半导体存储器有效
| 申请号： | 200610073510.7 | 申请日： | 2006-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN1848294A | 公开（公告）日： | 2006-10-18 |
| 发明（设计）人： | 本多泰彦;栗山正男 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | G11C11/56 | 分类号： | G11C11/56;G11C16/26 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 基准电流生成电路生成至少1个基准电流。电压生成电路生成电压。读出放大器根据从电压生成电路供给的电压来比较流过存储单元的电流与从基准电流生成电路供给的基准电流。对控制部供给读出放大器的输出信号。控制部在校验存储单元的阈值电压时，使电压生成电路生成与在从存储单元读出数据时所生成的读出电压为同一电压的校验电压。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 数据 非易失性 半导体 存储器 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储器，其特征在于：具备：存储单元；基准电流生成电路，生成至少1个基准电流；电压生成电路，生成电压；读出放大器，根据从上述电压生成电路供给的上述电压来比较流过上述存储单元的电流与从上述基准电流生成电路供给的基准电流；以及控制部，被供给上述读出放大器的输出信号，上述控制部在校验上述存储单元的阈值电压时，使上述电压生成电路生成与在从上述存储单元读出数据时所生成的读出电压为同一电压的校验电压。
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