[发明专利]被处理基板的除电方法、基板处理装置、程序有效
申请号: | 200610067412.2 | 申请日: | 2006-03-27 |
公开(公告)号: | CN1838381A | 公开(公告)日: | 2006-09-27 |
发明(设计)人: | 横内健;八木文子 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/683;H01L21/3065;H01L21/20;C23C14/00;C23C16/00;C23F4/00;H05H1/00;H01J37/32 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明涉及的除电装置,不仅在对被处理基板的处理正常结束时,而且在对被处理基板的处理非正常结束时,也可以对被处理基板充分除电。在使吸附保持在载置台例如下部电极(120)的静电卡盘(122)的状态下,进行规定处理的被处理基板例如晶片(W)从静电卡盘(122)脱离情况下进行除电处理的基板处理装置中,判断在进行晶片(W)的除电前晶片(W)的规定处理是否正常结束,在判断为正常结束时,根据来自正常时除电条件信息存储部件的正常时除电条件信息设定除电条件,在判断为非正常结束时,根据来自非正常时除电条件信息存储部件的非正常时除电条件信息设定除电条件,根据设定的除电条件进行晶片(W)的除电处理。 | ||
搜索关键词: | 处理 方法 装置 程序 | ||
【主权项】:
1.一种被处理基板的除电方法,其在吸附保持在配置于处理室内的载置台的状态下的进行规定处理的被处理基板从所述载置台脱离时进行,其特征在于,具有:在进行所述被处理基板的除电前,判断对所述被处理基板的规定处理是否正常结束,当判断为正常结束时,根据存储在正常时除电条件信息存储部件中的正常时除电条件信息设定除电条件,当判断为非正常结束时,根据存储在非正常时除电条件信息存储部件中的非正常时除电条件信息设定除电条件的除电条件设定工序;和根据通过所述除电条件设定部件设定的除电条件进行所述被处理基板的除电处理的除电处理实行工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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