[发明专利]存储器件制造中的方法无效
| 申请号： | 200580048829.8 | 申请日： | 2005-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN101133460A | 公开（公告）日： | 2008-02-27 |
| 发明（设计）人： | P·迪雷克勒夫;A·哈格斯特龙;H·G·古德森;P·－E·诺达尔;O·哈格尔 | 申请（专利权）人： | 薄膜电子有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/22 | 分类号： | G11C11/22 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张雪梅;张志醒 |
| 地址： | 挪威*** | 国省代码： | 挪威;NO |
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| 摘要： | 在基于驻极体或铁电材料的电可极化存储材料的存储器件的制造方法中，存储器件包括具有在印刷工艺中专门地或部分地提供的电路结构的一层或多层。至少一个保护夹层提供于存储器件中的至少两层之间，所述保护夹层对于该器件的其它层的沉积中采用的任何溶剂显示出低溶度以及低渗透性。在制造存储器件、尤其是无源矩阵可寻址存储器件中使用驻极体或铁电存储材料。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 器件 制造 中的 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于驻极体或铁电材料形式的电可极化存储材料的存储器件制造中的方法，其中该器件包括具有在印刷工艺中专门地或部分地提供的电路结构的一层或多层，其中所述一层或多层在随后的沉积步骤中沉积在公共基板上，完全或部分交叠地一层在另一层的顶部上或者并排，且其中至少一层用溶解在溶剂中的层材料沉积，其特征在于，在存储器件的至少两层之间提供至少一层保护夹层，所述保护夹层对于在该器件的其它层的沉积中使用的任何溶剂显示出低溶度和低渗透性，由此防止具有电路结构的所述一层或多层的溶解、膨胀或化学损伤。
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