[发明专利]形成电触点的半导体处理方法和半导体结构有效
| 申请号： | 200580018246.0 | 申请日： | 2005-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN1973361A | 公开（公告）日： | 2007-05-30 |
| 发明（设计）人： | N·辛哈;D·乔普拉;F·D·费希博恩 | 申请（专利权）人： | 微米技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/288 | 分类号： | H01L21/288;H01L21/768 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 曾祥夌;王忠忠 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 无电电镀可用于形成与半导体衬底相关联的电互连。例如，可形成上面具有伪结构和数字线的半导体衬底，该伪结构上具有适合无电电镀的表面，并且该数字线上具有与伪结构相同的高度。在伪结构和数字线上可形成一个层，并且可形成通过该层到伪结构和数字线上表面的开口。其后，在开口内可对传导材料进行无电电镀以形成开口内的电触点。延伸到伪结构的开口可通过电容器电极，并相应地在此类开口内形成的传导材料可用于形成到电容器电极的电触点。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 触点 半导体 处理 方法 结构 | ||
【主权项】：
1.一种用于形成电触点的半导体处理方法，它包括：提供半导体衬底，所述衬底具有适合无电电镀的表面、所述表面上的层及所述层支持的导电节点；形成通过所述层并到所述表面的开口，所述开口的周边包括所述导电节点的导电部分；以及在所述开口内并从所述适合表面对传导材料进行无电电镀，所述无电电镀材料形成到所述导电节点的电触点。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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