[发明专利]开关用半导体器件及开关电路有效
| 申请号： | 200410064104.5 | 申请日： | 2004-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN1585129A | 公开（公告）日： | 2005-02-23 |
| 发明（设计）人： | 石田秀俊;田中毅;上田大助 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/04 | 分类号： | H01L27/04;H01L29/00;H01L21/822 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： |
提供一种开关用半导体器件，具有在由碳化硅或者蓝宝石构成的单晶基片(101)上形成的由InxGa1－xN(其中，0≤x≤1)构成的第一化合物层(102)、在第一化合物层(102)上形成的由InyAlzGa1－y－zN（其中，0≤y≤1、0 | ||
| 搜索关键词： | 开关 半导体器件 开关电路 | ||
【主权项】：
1、一种开关用半导体器件，其特征在于，包括：第一化合物层，其在基片上形成，一般式为InxGa1-xN，其中0≤x≤1；第二化合物层，其在所述第一化合物层上形成，一般式为InyAlzGa1-y-zN，其中0≤y≤1，0＜z≤1；栅电极，其在所述第二化合物层上形成；和电阻器，其与所述栅电极连接。
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- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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