[发明专利]半导体装置及其制造方法无效
| 申请号： | 02141229.4 | 申请日： | 2002-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN1428853A | 公开（公告）日： | 2003-07-09 |
| 发明（设计）人： | 深谷忠男;增田裕;本浪康司 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/495;H01L23/12;H01L23/28;H01L21/60 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 孙敬国 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明揭示一种半导体装置，包括半导体芯片(11)，有搭载该半导体芯片的基片衬垫部(12)和内端位于该基片衬垫部的周围地配设地多个引线(13)，没有防锈被膜残渣的贱金属引线框架，将半导体芯片上的电极与所述多个引线的内端部直接连接的铜导线(14)，将这些气密封止的树脂封止体(16)，由此，采用本发明的半导体装置的制造方法，由于在作成引线框架后立即涂布在较低温度下分解的非BTA系防锈剂，故可避免使用贵金属而有利于降低成本，尤其能提高树脂封止的可靠性。本发明能提供成本降低效果好，不使用有害物质的半导体装置及其制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，包括半导体芯片，具有搭载所述半导体芯片的基片衬垫部和内端被配设成位于该基片衬垫部的周围的多个引线，没有防锈被膜残渣的贱金属引线框架，将所述半导体芯片上的电极与所述多个引线的内端部直接连接的铜导线，将所述半导体芯片、所述引线框架的大部分和所述铜导线气密封止的树脂封止体。
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