[发明专利]观察装置及其制造方法、曝光装置和微型器件的制造方法无效
| 申请号： | 01820147.4 | 申请日： | 2001-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN1479940A | 公开（公告）日： | 2004-03-03 |
| 发明（设计）人： | 长山匡 | 申请（专利权）人： | 株式会社尼康 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;G03F7/20;G01B11/24;G01M11/00;G02B7/02;G02B13/24 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种观察装置的制造方法，通过该观察装置，能满意地修正包含波面像差的高次像差成分的剩余像差。一种用于观察表面(WH)的图象观察装置的制造方法，要观察的该图象是通过一个成像光学系统(7、6、10、11、12(14))而形成的。该方法包括：测量成像光学系统中残存的剩余像差的像差测量步骤；在成像光学系统的光路中的预先决定的位置设置一个至少一面是非球面形状的像差修正板(17)的设置步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 观察 装置 及其 制造 方法 曝光 微型 器件 | ||
【主权项】：
1.一种观察装置，观察通过成像光学系统而形成的被检测面的像，其特征在于：具有配置在所述成像光学系统的光路中的修正板；所述修正板的至少一面形成为用于修正所述成像光学系统中残存的像差的所需形状。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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