[发明专利]半导体晶体的制造方法无效
| 申请号： | 01800613.2 | 申请日： | 2001-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN1365515A | 公开（公告）日： | 2002-08-21 |
| 发明（设计）人： | 神泽好彦;能泽克弥;斋藤彻;久保实 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;C23C16/42;//C30B29/36 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体晶体的制造方法,它以Si作衬底、在将Si衬底1的表面进行前处理后,用超高真空化学气相生长装置(UHV－CVD装置)在Si衬底1上形成SiGeC层2。这时SiGeC层2的生长温度低于490℃,Si原料用的是Si2H6、Ge原料用的是GeH4、C原料用的是SiH3CH3,用这种方法能够形成具有良好结晶性的SiGeC层2。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 晶体 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体晶体的制造方法，其特征在于：它是一种将含有硅(Si)的原料气体、含有锗(Ge)的原料气体以及含有碳(C)的原料气体导入到固定有衬底的容器中，由所述原料气体的热分解，在所述衬底上制造含有Si原子、Ge原子和C原子的半导体晶体的制造方法；在该半导体晶体制造方法中、所述热分解是在低于490℃的温度下进行的。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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