[发明专利]半导体集成电路器件的制造方法无效
| 申请号： | 01132856.8 | 申请日： | 2001-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN1337736A | 公开（公告）日： | 2002-02-27 |
| 发明（设计）人： | 佐藤英纪;林良之;安藤敏夫 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立制作所;日立超大规模集成电路系统株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/318 | 分类号： | H01L21/318 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王宪模 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种通过在具有高图形密度区和低图形密度区的半导体晶片的主表面上淀积均匀厚度的氮化硅膜来制造半导体集成电路器件的方法。它是这样实现的用单晶片冷壁热CVD反应器在具有高栅极图形密度区和低栅极图形密度区的衬底上淀积氮化硅膜时,设定氨(NH3)与单硅烷(SiH4)的流速比,使其与在平的衬底上淀积氮化硅膜时的流速比相比更大。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 集成电路 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
权利要求书1.一种半导体集成电路器件的制造方法，包括步骤；(a)利用包含硅烷基气体和氨气的第一源气，通过热CVD在半导体衬底的主表面上淀积第一氮化硅膜；(b)在半导体衬底的主表面上形成多个具有低图形密度区和高图形密度区的第一图形；(c)利用包含硅烷基气体和氨气的第二源气，通过热CVD在所述半导体衬底的已在其上形成了所述多个第一图形的主表面上淀积第二氮化硅膜；其中，所述第一源气和所述第二源气在所述硅烷基气体与所述氨气的流速比方面彼此不同。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
