[发明专利]具有电容器保护层的半导体存储器件及其制备方法无效
| 申请号： | 00131892.6 | 申请日： | 2000-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN1292571A | 公开（公告）日： | 2001-04-25 |
| 发明（设计）人： | 李容卓;赵学柱;金荣宽 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/10 | 分类号： | H01L27/10 |
| 代理公司： | 柳沈知识产权律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 具有电容器保护层的半导体存储器件以及制备半导体存储器件的方法。半导体存储器件的电容器被具有多层结构的密封层覆盖。密封层包括由不同材料组成的阻隔层和电容器保护层。阻隔层由能防止电容器介质层挥发和/或能防止位于阻隔层之下的材料层与电容器保护层之间反应的材料组成。电容器保护层由能防止氢扩散到电容器介质层中的材料层组成。此外,半导体存储器件可具有在电容器与钝化层之间的作为另一电容器保护层的氢阻挡层。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 电容器 保护层 半导体 存储 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1．一种半导体存储器件，包括：电容器，具有下电极、上电极以及位于下和上电极之间的电容器介质层；密封层，具有多层结构，密封层覆盖电容器的整个表面并包括至少由不同绝缘材料形成的两个材料层；介质层，形成在密封层上；和金属接触，经密封层和介质层形成，与上电极接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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