[发明专利]双型薄膜场效应晶体管及其应用无效
| 申请号： | 00108220.5 | 申请日： | 2000-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN1279517A | 公开（公告）日： | 2001-01-10 |
| 发明（设计）人： | 托马斯·多德尔;黄威;常·C·楚艾 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L27/00;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 杜日新 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 微电子器件包括适合于接收输入电压的栅极层。在栅极层上形成绝缘层,并且在绝缘层上形成导电沟道层而导电沟道层在源和漏之间传送电流。导电沟道层适合于形成双沟道。双沟道既包括p沟道又包括n沟道,其中响应输入电压极性可选择地启动p沟道和n沟道其中之一。此外还公开形成器件的方法及其应用。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 场效应 晶体管 及其 应用 | ||
【主权项】：
1．一种微电子器件，包括：适合于接受输入电压的栅极层；在栅极层上形成的绝缘层；在绝缘层上形成在源和漏之间传送电流的导电沟道层；和导电沟道层适合于构成双沟道，双沟道既包含p沟道又包含n沟道，其中响应输入电压可选择地启动p沟道和n沟道其中之一。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于国际商业机器公司，未经国际商业机器公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/00108220.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
