[发明专利]半导体工艺中顶层光刻成像的改善无效
| 申请号： | 00106712.5 | 申请日： | 2000-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN1150599C | 公开（公告）日： | 2004-05-19 |
| 发明（设计）人： | S·布特;U·P·施勒德 | 申请（专利权）人： | 因芬尼昂技术北美公司 |
| 主分类号： | H01L21/302 | 分类号： | H01L21/302;H01L21/027;G03F7/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 梁永;王忠忠 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种腐蚀表面(12)的方法包括以下步骤：在表面上形成底层(14)而顶层(16)形成在底层上；在顶层刻图形以暴露出底层的某些部分；在底层的暴露部分形成含硅层(22)；除去顶层，暴露出底层未被硅层覆盖的部分；腐蚀底层未被硅层覆盖的部分，暴露出表面。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 工艺 顶层 光刻 成像 改善 | ||
【主权项】：
1.一种腐蚀半导体表面的方法，包括以下步骤：在半导体材料的表面上形成底层和在底层上形成顶层；在顶层刻图形以使底层的部分表面暴露出来；在底层暴露的部分形成含硅层；除去顶层，暴露出底层未被硅层覆盖的部分；腐蚀底层未被硅层覆盖的部分以露出表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
