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[发明专利]一种碳纤维太阳能电池硅片载板-CN201710624011.0在审
发明人：候岳明;庄正军;朱广东;杨玉杰;上官泉元 -专利权人：常州比太科技有限公司
申请日： 2017-07-27 - 公布日： 2018-01-26 - 主分类号： H01L21/673 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳纤维太阳能电池硅片载板，包括载板主体、载板主体背面两侧的载板导向条及载板主体背面阵列的载板加强筋，载板加强筋与载板导向条垂直；载板主体使用耐高温、耐腐蚀及高强度的碳纤维材料；载板主体上具有阵列的矩形孔，矩形孔的周侧具有第一台阶并与侧壁形成第一凹槽，第一台阶的周侧具有第二台阶并与侧壁形成第二凹槽，硅片的周侧与第二台阶面接触以被所述第二台阶承托。本发明的载板主体使用碳纤维材料，实现了载板的易于清洗性；阵列的载板加强筋加强了载板的抗变形能力；第一台阶及第二台阶设置使硅片下方的镂空面积更大，减少了硅片与载板的接触面积，硅片加热效率高。
一种碳纤维太阳能电池硅片

[发明专利]一种硅片批量中转装置-CN201710625983.1在审
发明人：张学强;戴军;张建伟;贾宇鹏 -专利权人：罗博特科智能科技股份有限公司
申请日： 2017-07-27 - 公布日： 2018-01-26 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅片批量中转装置，包括花篮切换机构；以及硅片顶升机构，其中，花篮切换机构包括传送组件以及设于该传送组件上的两组硅片花篮，两组所述硅片花篮在传送组件的驱动下交替地作往复直线运动。根据本发明，其在提高硅片中转效率同时，还能够防止硅片在转移过程中受到污染及损坏，降低生产成本，提高生产效率。
一种硅片批量中转装置

[发明专利]一种用于三维集成工艺的光刻对准方法-CN201710743187.8在审
发明人：卢意飞 -专利权人：上海微阱电子科技有限公司
申请日： 2017-08-25 - 公布日： 2018-01-26 - 主分类号： H01L21/68 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于三维集成工艺的光刻对准方法，通过在顶层晶圆正面刻蚀形成深入其内部的深沟槽，然后向沟槽中进行介质层填充，形成光刻对准标记，以在完成顶层晶圆背面减薄工艺后，使光刻对准标记得以清楚识别，从而可准确进行晶圆背面工艺的光刻对准；本发明避免了现有顶层晶圆前道工艺对准标记信号微弱且不稳定引起的无法对准及对准精度差的问题，提升了三维集成工艺中光刻对准的精度。
一种用于三维集成工艺光刻对准方法

[发明专利]一种电子元器件的吸头装置以及吸头装置的加工方法-CN201710683820.9在审
发明人：李波;夏俊生;李文才;侯育增;张静 -专利权人：北方电子研究院安徽有限公司
申请日： 2017-08-11 - 公布日： 2018-01-26 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于电子元器件的吸头装置，包括柱状柄（1），在柱状柄（1）的端部连接吸头（2），吸头（2）由硅胶制成。本发明的优点本装置与传统吸嘴、吸笔相比优点在于，不需要额外的真空通道、真空发生或控制装置，硅胶材质柔软不会对器件造成损伤，可隔离人体防止静电损伤，装置制作简单，可根据器件的大小或重量制作相应形状，其操作灵活，当吸头被污染时，使用酒精棉球擦洗即可，清洗方便，且本装置耐磨、耐用、耐高温。
一种电子元器件吸头装置以及加工方法

[发明专利]主动阵列开关的制造方法-CN201710833624.5在审
发明人：何怀亮 -专利权人：惠科股份有限公司
申请日： 2017-09-15 - 公布日： 2018-01-26 - 主分类号： H01L21/84 文献下载
摘要：本发明提供了一种主动阵列开关的制造方法，包括于基板上形成栅极图形、栅极绝缘层以及半导体层；于半导体层上形成一光阻层，移除部分半导体层，以形成半导体图形；对光阻层进行干式蚀刻制程，使只有栅极图形中间上方留下来的光阻层仍覆盖部分半导体图形；利用导体化制程对半导体图形自光阻层所露出的部分进行导体化；移除栅极图形中间上方的全部光阻层并形成一源极和一漏极，使半导体层导体化以使不形成重叠区域的源漏极间阻抗变小，在减小主动阵列开关寄生电容的同时保证开态电流。
主动阵列开关制造方法

[发明专利]一种散热膜及其制备方法-CN201710645365.3在审
发明人：汪际军 -专利权人：全普光电科技（上海）有限公司
申请日： 2017-08-01 - 公布日： 2018-01-26 - 主分类号： H01L23/373 文献下载
摘要：本发明提供了一种散热膜及其制备方法，采用石墨烯薄膜‑第一纳米金属层‑第二纳米金属层的散热膜，利用石墨烯薄膜实现快速散热，利用第一纳米金属层的较高的空气隙占比，实现第一纳米金属层内的短程扩散和快速传输，能够使热量均匀进入第二纳米金属层中；第二纳米金属层具有较低空气隙占比，从从而实现对热量的快速传导，从而使热量从石墨烯薄膜快速有效的传输和发散出去。
一种散热及其制备方法

[发明专利]一种新型电子元器件的散热座-CN201710838902.6在审
发明人：冯馍潇;廖黄伟;黄智文 -专利权人：广西新全通电子技术有限公司
申请日： 2017-09-18 - 公布日： 2018-01-26 - 主分类号： H01L23/373 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型电子元器件的散热座，主要包括底座、缓冲垫片、新型电子元器件本体和温度传感器；所述的底座采用导热性良好的金属材料制成，底座的侧壁和底部为中空的，底座的内壁上涂油一层散热胶；所述的温度传感器设在底座的内壁上；所述的缓冲垫片和所述的新型电子元器件本体均设在底座内；所述的缓冲垫片设在新型电子元器件本体的底部。本发明结构结实，适合多种环境使用，而且散热效果明显，为新型电子元器件提供了一个安全稳定的环境。
一种新型电子元器件散热

[发明专利]一种低界面接触热阻的热界面及其制备方法-CN201710879754.2在审
发明人：闫金良;闫慧龙;李宏光 -专利权人：鲁东大学
申请日： 2017-09-26 - 公布日： 2018-01-26 - 主分类号： H01L23/373 文献下载
摘要：本发明涉及一种低界面接触热阻的热界面及其制备方法，属于电子器件散热技术领域。低界面接触热阻的热界面是在两个铜圆的内表面沉积有金属镍、钼或钨界面层，两个界面层之间填充液态金属和氧化液态金属复合层，界面层厚度20‑60nm。用直流磁控溅射方法在铜圆表面室温沉积界面层，在界面层表面大气环境涂敷液态金属形成液态金属和氧化液态金属复合层，用力挤压两个叠放铜圆得到热界面。本发明方法获得的热界面有效降低了界面接触热阻，在高功率密度器件散热领域具有良好的应用前景。
一种界面接触及其制备方法

[发明专利]一种大功率SIP金锡焊接封装结构及封装方法-CN201710831108.9在审
发明人：袁万里 -专利权人：成都睿腾万通科技有限公司
申请日： 2017-09-15 - 公布日： 2018-01-26 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本发明涉及一种大功率SIP金锡焊接封装结构，包括金属管壳、陶瓷电路片、功率芯片、玻珠、微带传输线和管帽，所述金属管壳为顶部具有开口的壳体结构，在所述金属管壳的内底面上焊接固定有陶瓷电路片，在所述陶瓷电路片一侧的金属管壳的内底面上还焊接固定有功率芯片，所述玻珠从金属管壳一侧的侧壁插入，所述微带传输线从金属管壳另一侧的侧壁插入，所述功率芯片分别与陶瓷电路片、玻珠和微带传输线电连接，所述管帽固定在金属管壳的开口处；还公开了其封装方法。本发明的优点在于部件之间通过AuSn20作为焊料进行密封，利用焊料的毛细管作用充分渗透部件的界面，形成致密的焊接，获得良好的密封效果，从而保证了SIP封装结构的气密性。
一种大功率 sip 焊接封装结构方法

[发明专利]一种金包银复合键合丝及其制备方法-CN201710637729.3在审
发明人：康菲菲;杨国祥;孔建稳;吴永瑾;周文艳;裴洪营;俞建树 -专利权人：贵研铂业股份有限公司
申请日： 2017-07-31 - 公布日： 2018-01-26 - 主分类号： H01L23/49 文献下载
摘要：本发明公开了一种金包银复合键合丝及其制备方法，属于电子封装领域。金包银复合键合丝的复层厚度和芯材直径比为1200～150，银芯材的化学成分(重量％)为2～10Pd，余量Ag。制备方法包括采用熔铸—钻孔—轧制—拉拔工艺流程制备金管，用连铸技术制备银棒，将金管和银棒热处理、清洗后组装成坯锭，坯锭经30～50％的大变形拉拔复合，复合坯锭拉拔加工成的细丝，经热处理制备成金包银复合键合丝。金包银复合键合丝具有良好的机械性能、电学性能和焊接性能，适合于微电子封装。采用套管拉拔复合技术制备金包银复合键合丝具有成品尺寸精确、表面光洁度高，界面结合力强、复层厚度可控、设备简单，维修方便等优点。
一种包银复合键合丝及其制备方法

[发明专利]电容器阵列结构及其制造方法-CN201710827396.0在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：睿力集成电路有限公司
申请日： 2017-09-14 - 公布日： 2018-01-26 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：本发明提供一种电容器阵列结构及其制造方法，包括如下步骤1）提供一半导体衬底；2）于半导体衬底的上表面形成交替叠置的牺牲层及支撑层，牺牲层包括交替叠置的第一材料层及第二材料层，第一材料层与第二材料层在同一刻蚀制程中具有不同的刻蚀速率；3）于步骤2）得到的结构的上表面形成具有开孔的图形化掩膜层；4）在支撑层及牺牲层内形成侧壁呈波纹状或矩形齿状的电容孔；5）于电容孔内形成下电极层；6）去除牺牲层；7）于下电极层的内表面及外表面形成电容介质层；8）于电容介质层的外表面形成上电极层。本发明可以制备出表面轮廓呈波纹状或矩形齿状的下电极板、电容介质层及上电极板，在不增加电容器高度的情况下，可以显着增加电容。
电容器阵列结构及其制造方法

[发明专利]一种电子元器件-CN201710841136.9在审
发明人：周露;黄智文;黄兴团 -专利权人：广西新全通电子技术有限公司
申请日： 2017-09-18 - 公布日： 2018-01-26 - 主分类号： H01L25/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种电子元器件，主要包括熔断器、主电容、整流桥堆、若干个电阻、若干个副电容、变压器、若干个二极管、若干个感应线圈和芯片；所述的熔断器与主电容电性串联，再与整流桥堆电性并联；所述的整流桥堆分别连接第一感应线圈和第二感应线圈；所述的第一感应线圈上并联有第一电阻。本发明结构紧凑适合多种环境使用，而且维护性能好，整体体积小，适用范围广。
一种电子元器件

[发明专利]FC芯片系统堆叠扇出封装结构及其制备方法-CN201710831123.3在审
发明人：高娜燕;张荣臻;明雪飞 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十八研究所
申请日： 2017-09-15 - 公布日： 2018-01-26 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：本发明涉及一种FC芯片系统堆叠扇出封装结构及其制备方法，其包括由两个FC芯片形成的堆叠封装体，堆叠封装体内两个FC芯片的背面相互靠接；在堆叠封装体的上方设置上再布线层，堆叠封装体的下方设置下再布线层，堆叠封装体内两个FC芯片相应的芯片凸点分别与上再布线层、下再布线层电连接；在堆叠封装体的外侧设置对称分布的垂直互连转接板，通过垂直互连转接板内的通孔连接体分别与上再布线层、下再布线层进行所需的电连接，以实现堆叠封装体内两个FC芯片之间所需的信号互连和/或信号引出端的转移。本发明结构紧凑，能有效实现FC芯片的堆叠封装，能简化工艺过程，提高封装效率，安全可靠。
fc 芯片系统堆叠封装结构及其制备方法

[发明专利]半导体封装装置及其制造方法-CN201710569372.X在审
发明人：何信颖;陈盈仲;赖律名 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2017-07-13 - 公布日： 2018-01-26 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：本发明提供一种光学模块，其包含载体；光发射器，其安置于所述载体上；光检测器，其安置于所述载体上；及外壳，其安置于所述载体上。所述外壳界定曝露所述光发射器的第一开口及曝露所述光检测器的第二开口。所述光学模块进一步包含安置于所述第一开口上的第一光透射元件及安置于所述第二开口上的第二光透射元件。第一不透明层安置于所述第一光透射元件上，所述第一不透明层界定第一孔隙，且第二不透明层安置于所述第二光透射元件上，所述第二不透明层界定第二孔隙。
半导体封装装置及其制造方法

[发明专利]一种具有交叉排列电极组合的功率模组-CN201710763944.8在审
发明人：徐文辉;王玉林;滕鹤松 -专利权人：扬州国扬电子有限公司
申请日： 2017-08-30 - 公布日： 2018-01-26 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有交叉排列电极组合的功率模组，包括具有电容电极组合的电容和具有功率模块电极组合的功率模块；电容电极组合包括第一电容电极和第二电容电极，功率模块电极组合包括第一功率模块电极和第二功率模块电极。本发明的第一功率模块电极连接部与第二功率模块电极连接部平行交叉排布，使得相邻的第一功率模块电极连接部与第二功率模块电极连接部的电流流向相反，在连接部间隙以外的区域、部分连接部之间的区域磁感应强度方向相反，可以互相抵消，能够大大降低杂散电感，这在本领域无疑是一个巨大的进步；本发明的每组对应的电容电极组合连接部与功率模块电极组合连接部能够同轴安装，这样也能大大降低杂散电感。
一种具有交叉排列电极组合功率模组

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