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[发明专利]一种节能灯管设备-CN201710795498.9在审
发明人：王世美 -专利权人：王世美
申请日： 2017-09-06 - 公布日： 2018-01-26 - 主分类号： H01J9/24 文献下载
摘要：本发明提供了一种节能灯管设备，所述节能灯管设备包括基架、转向装置、加温装置、成形装置、切开装置、划拨装置、成品腔和操控器，所述基架为上表面开槽，基架内部安装所述的转向装置、加温装置和划拨装置，左右方向的中点位置两侧及基架中点上方安装所述成形装置，基架中点靠右上部安装所述切开装置，右端面位置安装所述成品腔；本发明的有益效果是，控制容易，更换第一模体和第二模体即可变换灯管的纵截面形状，且一次成型2根灯管，自动化控制高。
一种节能灯管设备

[发明专利]六氟化硫电气设备中高压气体微型质谱分析进样系统-CN201710749986.6在审
发明人：唐彬;刘陈瑶;尚美洁;张洁明;朱立平;刘威;罗宗昌 -专利权人：广西电网有限责任公司电力科学研究院
申请日： 2017-08-28 - 公布日： 2018-01-26 - 主分类号： H01J49/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种六氟化硫电气设备中高压气体微型质谱分析进样系统及针对高压气体的进样方法。该系统包括有减压稳压阀和脉冲阀；减压稳压阀的出气口与脉冲阀的进气口连接；使用时，减压稳压阀的进气口直接与高压容器连接，脉冲阀的出气口与质谱仪的进样口连接。质谱进样量的大小可以通过改变脉冲阀的脉宽和频率进行调节。首先调节减压稳压阀，将高压气体降低至设定的气压值，之后再打开脉冲阀，再将样品引入至进气端。本发明通过调节脉冲阀的频率和脉宽可以改变进样量的大小，高压脉冲阀可以实现小体积管路中高压气体直接进样。本发明提出的针对高压气体样品的进样方法可以同时实现连续进样分析，实验的重复性好。
六氟化硫电气设备高压气体微型谱分析系统

[发明专利]二氧化硅介质层的制备方法-CN201710827053.4在审
发明人：李佳;芦伟立;房玉龙;尹甲运;王波;郭艳敏;张志荣;冯志红 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2017-09-14 - 公布日： 2018-01-26 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种二氧化硅介质层的制备方法，涉及半导体技术领域。该方法包括以下步骤在基板上生长N型重掺杂碳化硅外延层，所述N型重掺杂碳化硅外延层的掺杂元素为氮；通过氧化工艺将所述N型重掺杂碳化硅外延层氧化形成二氧化硅介质层。本发明通过热氧化工艺将N型重掺杂碳化硅外延层氧化形成二氧化硅介质层，由于掺杂氮元素的N型重掺杂碳化硅外延层在氧化后，存在大量的C≡N键或者Si≡N键，这种强健可以释放界面应力，从而使界面陷阱密度减小。该方法形成的二氧化硅介质层不再进行氮化退火处理，从而减少器件制作工序，降低成本。
二氧化硅介质制备方法

[发明专利]薄膜晶体管及其制作方法-CN201710887036.X在审
发明人：胡小波 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2017-09-26 - 公布日： 2018-01-26 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本申请公开了一种薄膜晶体管及其制作方法，该方法包括在衬底基板上沉积复合膜层，复合膜层包括依次沉积的铜膜层和镍膜层；对沉积复合膜层的衬底基板进行退火处理，以使得铜膜层的表层为铜‑镍掺杂层；图形化退火处理后的复合膜层。通过上述方式，使得铜膜层的表层为铜‑镍掺杂层，可以阻止铜膜层进一步氧化，降低铜膜层的电阻率，从而改善薄膜晶体管的显示效果，提升显示面板的品质。
薄膜晶体管及其制作方法

[发明专利]一种防止液体迸溅起雾的挡水机构-CN201610569608.5在审
发明人：王一 -专利权人：沈阳芯源微电子设备有限公司
申请日： 2016-07-19 - 公布日： 2018-01-26 - 主分类号： H01L21/302 文献下载
摘要：本发明属于半导体行业晶片的高压清洗、显影、蚀刻等湿法处理领域，具体地说是一种防止液体迸溅起雾的挡水机构，安装在底层收集杯上，电机输出轴上连接有位于挡水机构内的承片台，晶片吸附在所述承片台上、随承片台由所述电机驱动旋转；挡水机构包括外层挡水罩、防溅网及内层挡水罩，外层挡水罩安装在底层收集杯上，防溅网位于外层挡水罩内、并与外层挡水罩相连接，电机的上方设有防止液体进入电机的内层挡水罩，内层挡水罩位于防溅网内、安装在底层收集杯上，内层挡水罩的顶部位于晶片边缘的下方。本发明通过防溅网和外层挡水罩组成的内衬套结构对飞溅出晶片的化学液进行两次衰减，防止了迸溅现象和起雾现象，从根本上杜绝了晶片的二次污染。
一种防止液体迸溅机构

[发明专利]一种基于金属辅助化学刻蚀技术制备硅纳米线阵列的方法-CN201710821863.9在审
发明人：杨宇;周志文;王荣飞;杨杰;王茺 -专利权人：云南大学
申请日： 2017-09-13 - 公布日： 2018-01-26 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于金属辅助化学刻蚀技术制备硅纳米线阵列的方法，属于半导体纳米材料的制备技术领域。本发明首先配制一定参数的氢氟酸（HF）和硝酸银（AgNO3）混合溶液，接着超声混合溶液3～5min；将清洗好的硅片放入混合溶液中沉积Ag颗粒，然后将硅片置于一定参数的氢氟酸（HF）和双氧水（H2O2）混合溶液中，利用混合溶液与Ag颗粒及硅片形成原电池的原理，制备出长度可控的硅纳米线阵列。该方法具有低成本、工艺简单、生产效率高等特点，为制备硅纳米线太阳能电池提供了更简便的途径。
一种基于金属辅助化学刻蚀技术制备纳米阵列方法

[发明专利]晶圆的返工方法-CN201710818552.7在审
发明人：褚海波;郭万里 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2017-09-12 - 公布日： 2018-01-26 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明提供了一种晶圆的返工方法，包括提供待返工的晶圆，所述晶圆的表面形成有图形化的光刻胶层，所述晶圆的表面和/或所述图形化的光刻胶层的表面附着有杂质颗粒，直接采用湿法刻蚀去除所述图形化的光刻胶层及所述杂质颗粒，湿法刻蚀避免了在返工过程中生成粘附性极强的聚合物，杂质颗粒粘附在晶圆的表面更难去除的情况，在返工成本基本不变的情况下，简化了工艺和流程，减少了返工后的晶圆表面的缺陷密度，提高了返工后的晶圆的良率。
返工方法

[发明专利]一种GaNMOS‑HEMT器件及其制备方法-CN201710682055.9在审
发明人：孙辉;刘美华;林信南;陈东敏 -专利权人：北京大学深圳研究生院
申请日： 2017-08-10 - 公布日： 2018-01-26 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明公开了一种GaN MOS‑HEMT器件及其制备方法，该方法为在GaN外延片上沉积氮化硅介质层，保护材料表面；刻蚀形成栅极窗口；在氮化硅介质层表面和栅极窗口内沉积多晶硅层；将多晶硅层氧化为SiO2栅介质层；刻蚀形成欧姆接触孔；淀积欧姆金属并形成源漏电极；淀积栅电极金属并形成栅电极；表面保护并打开电极(PAD)窗口。本发明的制备工艺和条件均与Si CMOS工艺兼容，其工艺简单，可操作性强，很好的协调了器件性能和工艺复杂度之间的矛盾，为GaN MOS‑HEMT器件的量产提供了可能；本发明的栅介质层采用SiO2薄膜构成，其致密性良好，陷阱电荷少，既可降低GaN器件的栅极泄漏电流，又能使GaN器件具有较好的动态特性，可显著提升器件的性能和稳定性。
一种 ganmos hemt 器件及其制备方法

[发明专利]一种高压金属氧化物半导体及其制作方法-CN201610565456.1在审
发明人：杜蕾 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2016-07-18 - 公布日： 2018-01-26 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供了一种高压金属氧化物半导体及其制作方法，其中，制作方法包括在P型衬底上制作相邻的P井区和N井区；在N井区的表面形成两个相间隔的场氧区，并在P井区的表面和部分N井区的表面形成第一有源区，其中，两个相间隔的场氧区之间的区域为第二有源区，部分N井区为临近P井区的N井区端部至临近P井区的第一场氧区之间的区域；在第一有源区、第二有源区和两个场氧区的表面进行厚栅氧化，形成厚栅层；对第一有源区上的第一部分厚栅层以及第二有源区上的厚栅层进行光刻及刻蚀处理，其中，第一有源区上的厚栅层中除第一部分厚栅层之外的第二部分厚栅层与第一场氧区相接。本发明提高了HVMOS的耐压值。
一种高压金属氧化物半导体及其制作方法

[发明专利]一种阵列基板及其制造方法-CN201710870202.5在审
发明人：余威 -专利权人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2017-09-20 - 公布日： 2018-01-26 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种阵列基板及其制造方法，所述制造方法包括在衬底基板表面形成栅极层；在所述栅极表面形成绝缘层；在所述绝缘层表面形成具有分隔部的多晶硅层；在所述具有分隔部的多晶硅层表面形成源极漏极层，使所述源极漏极层不直接与所述多晶硅层接触。通过上述方式，有效提高了源极漏极层和非晶硅层接触电阻，从而有效减小了漏电，大幅度改善了TFT器件的特性。
一种阵列及其制造方法

[发明专利]一种离子注入能量测试结构及测试方法、电子装置-CN201610565429.4在审
发明人：孟丽华;王兴;李洋 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2016-07-18 - 公布日： 2018-01-26 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明涉及一种离子注入能量测试结构及测试方法、电子装置。所述测试结构包括半导体衬底，具有第一导电类型；第二注入区域，位于所述半导体衬底中，具有第二导电类型；第一注入区域，位于所述第二注入区域中，具有第一导电类型；其中，所述半导体衬底和所述第二注入区域电连接至接地端，所述第一注入区域上施加有应力电流。通过所述测试结构可以监控离子注入的能量，以将WAT测试中在线捕获异常的晶圆，减小晶圆的异常风险，进一步提高半导体器件的性能和良率。
一种离子注入能量测试结构方法电子装置

[发明专利]晶圆退火装置-CN201710734279.X在审
发明人：周颖;吴宗祐;林宗贤 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2017-08-24 - 公布日： 2018-01-26 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：一种晶圆退火装置，包括预热腔室和工艺腔室；传输平台，所述预热腔室、工艺腔室沿所述传输平台的周向固定设置于所述传输平台；第一传输机构，固定设置于所述传输平台，适于将晶圆从所述预热腔室传送至所述工艺腔室。经过预热的晶圆具有相对较高的温度，当将相对温度较高的晶圆放置于工艺腔室中进一步进行加热时，晶圆在工艺腔室中的温度变化范围相对较小，从而使得工艺腔室中加热灯泡的温度变化范围较小，降低加热灯泡损坏的概率，提高加热灯泡的使用寿命。
退火装置

[发明专利]一种电子元器件清洗装置-CN201710746745.6在审
发明人：杨晓峰 -专利权人：上海曼斐电器贸易有限公司
申请日： 2017-08-27 - 公布日： 2018-01-26 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种电子元器件清洗装置，包括矩形箱体,所述矩形箱体内左侧面上边缘处加工条形凹槽，所述条形凹槽内嵌装旋转端为水平的一号微型旋转电机，所述一号微型旋转电机旋转端上套装摆动杆，所述摆动杆上套装折形摆动杆，所述折形摆动杆上套装电控喷枪，所述矩形箱体内右侧面中心处加工矩形凹槽，所述矩形凹槽内嵌装旋转端为水平的二号微型旋转电机，所述二号微型旋转电机旋转端上套装电控伸缩杆，所述电控伸缩杆上铰链连接转动杆，所述转动杆上套装固定圆环，所述固定圆环内嵌装烘干风机。本发明的有益效果是，结构简单，操作方便，实用性强，清洗效率高，减轻劳动强度。
一种电子元器件清洗装置

[发明专利]一种薄膜冲压装置以及芯片喷码工艺-CN201710889826.1在审
发明人：陈东 -专利权人：江苏凯尔生物识别科技有限公司
申请日： 2017-09-27 - 公布日： 2018-01-26 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种薄膜冲压装置以及芯片喷码工艺，包括冲压平台、固定片、冲压上模体、冲压下模座和固定装置，其中，所述冲压平台上表面设置有工作区，所述冲压下模座位于所述工作区内；所述固定片用于与薄膜贴合，所述固定片设有至少一个镂空部；所述固定装置设置在所述冲压平台上，其用于所述固定片在所述工作区上的活动装夹。本发明在薄膜与芯片贴合之前，将薄膜上覆盖在固定片的镂空部上，由冲压上模体和冲压下模座冲压加工出通孔，具有通孔的薄膜覆盖在芯片上后，会使得芯片有部分露出，通过喷码装置对该露出部分进行喷码，从而解决了现有技术中的问题，无需在喷码前对薄膜进行撕除。
一种薄膜冲压装置以及芯片工艺

[发明专利]电池片掰片系统-CN201710890858.3在审
发明人：李文;沈庆丰;喻双喜;卓远;陈定川;周浩;陈鹏;张徐兵;邹振 -专利权人：无锡奥特维科技股份有限公司
申请日： 2017-09-27 - 公布日： 2018-01-26 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种电池片掰片系统，包括旋转送料装置，用于将整片电池片按照掰片处理工序依序传送至检测工位、切割工位和下料工位；检测装置，设置于检测工位，用于对检测工位上的电池片进行合规检测；切割装置，设置于切割工位，用于在切割工位上的电池片上预切出分割线；掰片装置，用于从下料工位吸取经预切处理的电池片，并从掰片工位将吸取的电池片沿分割线掰断。本发明将检测装置以及切割装置分设于两个工位，可以同时进行电池片的检测以及预切操作，提高掰片系统的工作效率。
电池片掰片系统