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[发明专利]清洗电子元件或其制造设备的元件的方法和装置-CN97197334.2有效
发明人：今冈孝之;山下幸福 -专利权人：奥加诺株式会社;阿鲁普斯电气株式会社
申请日： 1997-08-19 - 公布日： 2004-08-25 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：用清洗溶液来清洗电子元件构件或类似零件，如硅晶片等。清洗溶液是将氢气或臭氧溶进高纯水中制备成具有负的或正的氧化-还原电位。这种清洗溶液对于电子元件具有显著改善的洗净性能。此外，调节清洗溶液的pH值，可对电子元件进行更高效率的清洗。
清洗电子元件制造设备元件方法装置

[发明专利]处理装置及机械手装置-CN97199200.2有效
发明人：宫迫久显 -专利权人：芝浦机械电子装置股份有限公司
申请日： 1997-10-23 - 公布日： 2004-08-25 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明提供一种处理装置，它能用较小的空间设置多个处理部。它设有按上下二段配置的多个处理部，从位于上段或者下段的任意一方的一端上的处理部供给未处理过的被处理物。这个被处理物由上段或者下段中的任意一方的处理部加以处理，接着由另一方的处理部加以处理，由位于另一方的一端上的处理部进行处理之后加以回收。
处理装置机械手

[发明专利]增加半导体的介电材质的粘附性质的方法-CN00130911.0有效
发明人：蔡正原;林经祥;杨名声 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2000-11-21 - 公布日： 2004-08-25 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：首先提供一基底，其上覆盖形成一阻挡层。然后，藉由化学气相沉积法(CVD)将粘附促进剂沉积于阻挡层上以形成一第一中间层，其中，粘附促进剂系为一有机材料，例如甲基三丙酮硅氧烷(methyltriacetoxysilane；MTAS)。接着，覆盖形成一第一介电层于第一中间层上。其次，藉由化学气相沉积法(CVD)将粘附促进剂沉积于第一介电层上以形成一第二中间层。之后，覆盖形成一蚀刻终止层于第二中间层上。随后，藉由化学气相沉积法(CVD)将粘附促进剂沉积于蚀刻终止层上以形成一第三中间层。然后，覆盖形成一第二介电层于第三中间层上。
增加半导体材质粘附性质方法

[发明专利]可防止溢胶的基板式半导体装置封装方法-CN00134545.1有效
发明人：黄建屏 -专利权人：矽品精密工业股份有限公司
申请日： 2000-12-11 - 公布日： 2004-08-25 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：一种可防止溢胶的基板式半导体装置封装方法，其特征在于形成一延伸的空洞部分于基板表面上的电性绝缘层中的一特定位置上；该特定位置即为该基板式半导体装置固定于模具中的一定位置时，其中的电性绝缘层、模具的实体部分与模具的模穴三者之间的交会的处。于封装胶体制造过程中，使得流入至此空洞部分的胶质封装材料可更快速地吸收模具中的热量，而使得其黏度变大而减缓其流速；因此使得胶质封装材料不易进而溢流入电性绝缘层与模具之间的压合间隙之中而产生溢胶现象。
可防止板式半导体装置封装方法

[发明专利]硅片保持体及其制造方法-CN99102471.0有效
发明人：汤盐泰久;仲田博彦;夏原益宏 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 1999-03-02 - 公布日： 2004-08-25 - 主分类号： H01L21/68 文献下载
摘要：一种层叠多个氮化铝陶瓷衬底与高熔点金属层和粘附层而获得硅片保持体及其制造方法，该氮化铝陶瓷衬底包括3a族元素化合物，剩余部分为氮化铝(AlN)，3a族元素占重量的0.01到1％。其中AlN晶体的平均颗粒大小为从2到5μm。材料粉末混合，模制，在非氧化气氛下1600到2000℃下焙烧，形成衬底，而后层叠多个衬底，其间插入高熔点金属层和粘附层，在上述气氛中1500到1700℃下焙烧层叠体以及修整，制成保持体。
硅片保持及其制造方法

[发明专利]表面安装元件和表面安装元件的安装结构-CN00128356.1有效
发明人：笈田敏文;落井纪宏;奥田修功;佐藤芳郎;藤川胜彦 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2000-11-24 - 公布日： 2004-08-25 - 主分类号： H01L23/12 文献下载
摘要：将绝缘电极设置在作为表面安装元件的多层元件的安装表面上，以便与安装表面上的其它元件绝缘。对于施加到绝缘电极的焊剂，施加范围能够安全地限定在绝缘电极内的区域。
表面安装元件结构

[发明专利]具有高散热性的超薄封装件及其制造方法-CN00134099.9有效
发明人：黄建屏;何宗达 -专利权人：矽品精密工业股份有限公司
申请日： 2000-12-13 - 公布日： 2004-08-25 - 主分类号： H01L23/13 文献下载
摘要：一种具有高散热性的超薄封装件及其制造方法，该封装件包括基板、散热片、芯片、金属导线及胶体。散热片借由其延伸部粘着固定于基板底面的接地环上。而芯片的正面是粘着固定于散热片上。此外，金属导线使得芯片与基板电性连接，而胶体内包覆芯片、散热片及金属导线。该封装件的体积薄小，而散热效果佳，并可省去传统作法中的粘胶带及去胶带的制造过程，使得生产成本降低。
具有散热超薄封装及其制造方法

[发明专利]引线架及树脂封装型半导体器件的制造方法-CN00122860.9有效
发明人：南尾匡纪;安达修 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2000-08-30 - 公布日： 2004-08-25 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：在用于制备凸起栅阵列(LGA)型封装体的引线架中，通过事先形成带倾角的半切断部(24)，而使其底面将成为凸起电极的凸起引线(4)上的凸起电极(16)的面，比引线(5)上的凸起电极的面更向下突出。这样，在利用密封片进行树脂封装时，可借助模具的冲压，使凸起电极(16)进入密封片(20)中而保持紧密的接合。因此，封装树脂就不会进入凸起电极(16)中。结果是：在凸起引线(4)的凸起电极(16)上就不会留下什么树脂毛刺了。
引线树脂封装半导体器件制造方法

[发明专利]用于液晶显示器的薄膜晶体管阵列面板-CN00137010.3有效
发明人：朴云用 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2000-11-06 - 公布日： 2004-08-25 - 主分类号： H01L27/00 文献下载
摘要：一种用于液晶显示器的薄膜晶体管阵列，包括：栅极线路，该栅极线路包括在水平方向形成的栅极线；数据线路，该数据线路包括在垂直方向形成的数据线，其中数据线路与栅极线路相交叉并与所说栅极线路绝缘；象素电极，该象素电极是在通过该栅极线和数据线相交叉限定的象素中形成，用于通过数据线接收图像信号；存储线路，该存储线路，包括存储电极线和连接存储电极线的存储电极，其中，存储线路通过重叠象素电极形成存储电容；和存储线路连接线，至少连接邻近象素的该存储线路。
用于液晶显示器薄膜晶体管阵列面板

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN00128864.4有效
发明人：柴田宽;矶部敦生 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2000-09-26 - 公布日： 2004-08-25 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：提供一种具有高显示品质的液晶显示器件，它具有高的孔径比而又确保有足够的存储电容(Cs)，同时还可通过将电容线的负荷(像素的写入电流)及时地分散开以便有效地减小该负荷。扫描线形成在与栅电极不同的层上，以便将电容线安置得与信号线平行。每个像素都通过介电质与各独立的电容线相连接。因而，由邻近像素的写入电流所引起的电容线的电位变化就可避免，由此可获得满意的显示图像。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体元件及其制造方法-CN99105945.X有效
发明人：齐藤惠志;佐野政史 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 1999-03-16 - 公布日： 2004-08-25 - 主分类号： H01L29/04 文献下载
摘要：在包含微晶态半导体的半导体元件中，在微晶态晶粒内提供半导体结。而且在包含微晶态半导体的半导体元件中，提供不同直径的微晶态晶粒作为混合物，以便形成半导体层。因此，半导体结的不连续性得以改善，从而改善半导体元件的特性，耐用性，耐热性。半导体层中的变形也降低。
半导体元件及其制造方法

[发明专利]氮化镓基蓝光发光二极管芯片的制造方法-CN00131322.3有效
发明人：吴启保;章裕中;王胜国;熊建明 -专利权人：方大集团股份有限公司
申请日： 2000-10-26 - 公布日： 2004-08-25 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种氮化镓基蓝光发光二极管芯片的制造方法，采取如下步骤：a.检测晶体外延片，进行p型层活化，形成p型层；b.依次进行隔离光刻、隔离干法刻蚀、n电极刻蚀光刻及n电极区干法刻蚀，形成n台面；c.在n型层上形成n电极；d.在p型层上形成p电极；e.然后减薄，划片，崩片，分管芯。其改变了现有制作工艺的流程，在刻蚀出n台面后，先后在其上形成n、p电极，电极接触电阻较小，透光率较好；避免了电极多次交替定位制作的烦琐，定位精度和重复定位精度大大提高，生产效率和成品率进一步提高。
氮化镓基蓝光发光二极管芯片制造方法

[发明专利]热电元件的制造方法-CN97191716.7有效
发明人：平石久人;渡边滋 -专利权人：时至准钟表股份有限公司
申请日： 1997-11-12 - 公布日： 2004-08-25 - 主分类号： H01L35/32 文献下载
摘要：本发明是制造热电元件的方法，该方法如下，分别留下厚度方向的一部分，按照相同的间隔制作平行地形成了多个槽(16、26)的n型热电半导体的开槽块(11)以及p型热电半导体的开槽块(21)，使该n型和p型热电半导体的开槽块(11、21)相互嵌套，在其嵌套部分的缝隙中充填具有粘接性的绝缘材料进行粘合，形成一体化块(3)。除去该一体化块(3)中的n型和p型热电半导体相互嵌套着的嵌套部分以外的部分，使得n型以及p型热电半导体单元露出来，形成把该各热电半导体单元相互串联连接的电极。进而，在该上述一体化块(3)上，留下厚度方向的一部分，沿着与上述槽(16、26)的方向相交叉的方向上进行多个槽加工，在该槽加工部分中充填绝缘材料并使其固化以后，最好进行使上述半导体单元露出来的工艺和形成电极的工艺。
热电元件制造方法

[发明专利]压电谐振器的制造方法-CN98120894.0有效
发明人：竹岛哲夫;山崎武志;草开重雅;川合丰 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 1998-09-29 - 公布日： 2004-08-25 - 主分类号： H01L41/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种谐振元件的制造方法，包括以下步骤：制备层叠体；在形成有绝缘薄膜的大致整个表面上形成外部电极；在形成所述外部电极的表面上形成多个凹槽，并平行于所述凹槽地切割层叠体；其中所述第一列中第一组所述开口设置在每一个所述内部电极的交替的暴露部分，而相邻于所述第一列的所述第二列的第二组剩余开口设置在所述内部电极的每一个剩余交替的暴露部分本方法可以高成品率制造谐振元件。
压电谐振器制造方法

[发明专利]压电谐振器和压电振荡器-CN00137457.5有效
发明人：轮岛正哉;小谷谦一 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2000-12-20 - 公布日： 2004-08-25 - 主分类号： H01L41/083 文献下载
摘要：一种压电谐振器，包括：压电谐振单元；以及分别层叠在压电谐振单元上下的第一外部基片与第二外部基片；其中所述第一外部基片和第二外部基片的每块都包含至少一层内部电极的多层基片，而且第一外部基片和第二外部基片的每一个都包括液体煅烧的第一基片材料层和未在第一基片材料层煅烧温度下煅烧的第二基片材料层。
压电谐振器振荡器