“Z·J·叶”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果27个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]具有等离子体限制特征的基板支撑基座-CN201780024022.3有效
发明人：林兴;周建华;E·P·哈蒙德四世;Z·J·叶;Z·苏;J·赵;J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2017-01-25 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：提供了一种用于加热的基板支撑基座的方法及装置。在一个实施例中，该加热的基板支撑基座包括：主体，包括陶瓷材料；多个加热元件，封装在该主体内。柱耦合至该主体的底面。多个加热器元件、顶电极及屏蔽电极安置在该主体内。该顶电极安置在该主体的顶面附近，而该屏蔽电极安置在该主体的该底面附近。导电杆被安置成穿过该柱且耦合至该顶电极。
具有等离子体限制特征支撑基座

[发明专利]用于处理基板的方法-CN202010489010.1有效
发明人： P·K·库尔施拉希萨;K·D·李;金柏涵;Z·J·叶;S·P·贝赫拉;G·巴拉苏布拉马尼恩;J·C·罗查-阿尔瓦雷斯;J·J·陈 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2015-07-07 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明涉及用于处理基板的方法。所公开的技术用于在处理腔室中提高击穿电压、同时在超过约300摄氏度的温度下大幅减少静电夹盘的电压泄漏的方法和设备。
用于处理方法

[发明专利]减少多层PECVD TEOS氧化物膜中的缺陷的方法-CN202180077769.1在审
发明人： R·豪莱德;H·俞;M·S·K·穆蒂亚拉;Z·J·叶;A·凯什里;S·卡马斯;D·R·B·拉吉;D·帕德希 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-10-15 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： C23C16/52 文献下载
摘要：示例性沉积方法可包括在第一电压下将半导体基板静电卡紧在半导体处理腔室的处理区域内。所述方法可包括执行沉积工艺。沉积工艺可包括在半导体处理腔室的处理区域内形成等离子体。所述方法可包括暂停等离子体在半导体处理腔室内的形成。所述方法可包括与所述暂停同时地，将静电卡紧的第一电压增大至第二电压。所述方法可包括净化半导体处理腔室的处理区域。
减少多层 pecvd teos 氧化物中的缺陷方法

[发明专利]用于静电吸盘的电源信号调节-CN202180072290.9在审
发明人： Z·J·叶;D·R·B·拉吉;R·豪莱德;A·凯什里;S·G·卡马斯;D·A·迪兹尔诺;J·C·罗查－阿尔瓦雷斯;S·斯里瓦斯塔瓦;K·R·恩斯洛;韩新海;D·帕德希;E·P·哈蒙德 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-09-22 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：示例性半导体处理系统可包括处理腔室及至少部分设置在处理腔室内的静电吸盘。静电吸盘可包括至少一个电极和加热器。一种半导体处理系统可包括电源，向电极提供信号来提供静电力，以将基板紧固至静电吸盘。所述系统还可包括滤波器，所述滤波器通信耦合在电源与电极之间。所述滤波器被配置为在维持基板上的静电力的同时移除因操作加热器而引入吸附信号中的噪声。滤波器可包括有源电路系统、无源电路系统或两者，并且可包括调整电路以设置滤波器的增益，使得来自滤波器的输出信号电平对应于用于滤波器的输入信号电平。
用于静电吸盘电源信号调节

[发明专利]高温双极静电卡盘-CN202180076870.5在审
发明人：黎坚;Z·J·叶;D·A·迪兹尔诺;J·C·罗查－阿尔瓦雷斯 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-10-08 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：示例性支撑组件可包括限定基板支撑表面的静电卡盘主体。基板支撑组件可包括与静电卡盘主体耦接的支撑杆。基板支撑组件可包括嵌入静电卡盘主体内的加热器。基板支撑组件可包括在加热器与基板支撑表面之间嵌入静电卡盘主体内的第一双极电极。第一双极电极可包括至少两个分离的网格区段，其中每个网格区段由圆扇形表征。基板支撑组件可包括在加热器与基板支撑表面之间嵌入静电卡盘主体内的第二双极电极。第二双极电极可包括穿过第一双极电极的至少两个分离的网格区段延伸的连续网格。
高温静电卡盘

[发明专利]用于测量高温环境中的射频电功率的电压-电流探针及其校准方法-CN201880012154.9有效
发明人： Z·J·叶;J·D·平森二世;J·C·罗查-阿尔瓦雷斯;A·A·哈贾 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2018-01-25 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： G01R15/18 文献下载
摘要：一种电压‑电流传感器，所述电压‑电流传感器实现更精确测量被输送到高温处理区域的RF功率的电压、电流和相位。所述传感器可包括平面主体、测量开口、电压拾取器以及电流拾取器，所述平面主体包括非有机的电绝缘材料，所述测量开口形成于平面主体中，所述电压拾取器设置在测量开口周围，并且所述电流拾取器设置在测量开口周围。由于传感器的平面配置和材料成分，传感器可设置在等离子体处理腔室的高温表面附近或与等离子体处理腔室的高温表面接触。
用于测量高温环境中的射频电功率电压电流探针及其校准方法

[发明专利]陶瓷加热器和具有增强的晶片边缘性能的ESC-CN201610625498.X有效
发明人：林兴;周建华;Z·J·叶;陈建;J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2016-08-02 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本公开的实施方式提供一种用于支撑基板的改进的静电卡盘。所述静电卡盘包括：卡盘主体，所述卡盘主体耦合到支撑杆，所述卡盘主体具有基板支撑表面；多个突片，所述多个突片远离所述卡盘主体的所述基板支撑表面突出，其中所述突片绕所述卡盘主体圆周设置；电极，所述电极嵌入在所述卡盘主体内，所述电极从所述卡盘主体的中心径向地延伸到超出所述多个突片的区域；以及RF电源，所述RF电源通过第一电连接耦合到所述电极。
陶瓷加热器具有增强晶片边缘性能 esc

[发明专利]用于在多个频率下控制RF参数的方法及装置-CN202080066374.7在审
发明人： Z·J·叶;D·R·本杰明拉吉;S·斯里瓦斯塔瓦;N·S·乔拉普尔;N·O·穆库提;D·A·迪兹尔诺;J·C·罗查 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2020-08-19 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：公开了一种用于控制RF等离子体属性的方法和装置。本公开的一些实施例在可在高温下操作的处理室内提供RF传感器。一些实施例提供了使用处理室内的RF传感器来测量RF等离子体属性以提供对RF产生器的反馈控制的方法。
用于频率控制 rf 参数方法装置

[发明专利]具有改善的高温吸附的半导体基板支撑件-CN202080062434.8在审
发明人：李建;J·C·罗查－阿尔瓦雷斯;Z·J·叶;D·R·B·拉杰;S·斯里瓦斯塔瓦;韩新海;D·帕德希;胡可嵩;C-Y·王 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2020-07-22 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：示例性支撑组件可包括限定基板支撑表面的静电吸盘主体。所述组件可包括与静电吸盘主体耦接的支撑杆。所述组件可包括嵌入在静电吸盘主体内的加热器。所述组件还可包括在加热器与基板支撑表面之间嵌入静电吸盘主体内的电极。基板支撑组件可由在大于500℃或约为500℃的温度下和在大于600V或约为600V的电压下通过静电吸盘主体的小于4mA或约为4mA的泄漏电流来表征。
具有改善高温吸附半导体支撑

[发明专利]一种静电卡盘-CN202111151942.6在审
发明人：林兴;周建华;Z·J·叶;陈建;J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2016-08-02 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：公开了一种静电卡盘。所述静电卡盘包括：主体，所述主体耦合到支撑杆，所述主体具有基板支撑表面；肩部，所述肩部从所述主体的基板支撑表面突出，其中绕所述主体的周边设置所述肩部；内部电极，所述内部电极嵌入在所述主体内，所述内部电极从所述主体的中心径向地延伸到邻近所述肩部的区域；以及外部电极，所述外部电极嵌入在所述主体内，所述外部电极径向地设置在所述内部电极的外部，并且所述外部电极相对地设置在所述内部电极上方的一高度处。
一种静电卡盘

[发明专利]在等离子体增强化学气相沉积系统中高温下使用压缩应力或拉伸应力处理晶片的方法和装置-CN202111232228.X在审
发明人： Z·J·叶;J·D·平森二世;塙广二;周建华;林兴;段仁官;K·D·李;金柏涵;S·P·贝海拉;S·哈;G·巴拉苏布拉马尼恩;J·C·罗查-阿尔瓦雷斯;P·K·库尔施拉希萨;J·K·福斯特;M·斯利尼瓦萨恩;U·P·哈勒;H·K·博尼坎帝 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2015-08-12 - 公布日： 2022-01-25 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本公开的实施例提供了一种用于在高温下维持在等离子体反应器中处理的基板的平坦度的静电卡盘。在一个实施例中，所述静电卡盘包括：耦接到支撑杆的卡盘主体，所述卡盘主体具有基板支撑表面，并且所述卡盘主体在约250℃至约700℃的温度下具有约1×107ohm‑cm至约1×1015ohm‑cm的体电阻率值；以及电极，所述电极嵌在所述主体中，所述电极耦接到电源。在一个示例中，所述卡盘主体由氮化铝材料组成，已经观察到氮化铝材料在沉积或蚀刻工艺、或者使用高操作温度和基板夹持特征两者的任何其他工艺期间，能够在约600℃或更高温度下优化卡持性能。
等离子体增强化学沉积系统高温使用压缩应力拉伸处理晶片方法装置

[发明专利]射频静电卡盘滤波器电路-CN202080029359.5在审
发明人： Z·J·叶;E·海伍德;A·菲施巴赫;T·J·富兰克林 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2020-02-17 - 公布日： 2021-11-23 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本文描述的实施例涉及用于实质减低通过卡紧电极的射频(RF)耦合的发生的设备和方法。卡紧电极设置在定位于基板支撑件上的静电卡盘中。基板支撑件耦合至工艺腔室主体。RF源用于在与基板支撑件相邻的工艺容积中产生等离子体。阻抗匹配电路设置在RF源和设置在静电卡盘中的卡紧电极之间。静电卡盘滤波器耦合在卡紧电极与卡紧功率源之间。
射频静电卡盘滤波器电路

[发明专利]基板支撑组件-CN201710946426.X有效
发明人： P·K·库尔施拉希萨;K·D·李;金柏涵;Z·J·叶;S·P·贝赫拉;G·巴拉苏布拉马尼恩;J·C·罗查-阿尔瓦雷斯;J·J·陈 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2015-07-07 - 公布日： 2021-10-12 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明涉及一种基板支撑组件。所公开的技术用于在处理腔室中提高击穿电压、同时在超过约300摄氏度的温度下大幅减少静电夹盘的电压泄漏的方法和设备。
支撑组件

[发明专利]用于电感耦合等离子体的递归线圈-CN201980089223.0在审
发明人： Z·J·叶;A·坎古德;L·布恩卡特;R·乔德里;杰伊二世·D·平森 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2019-10-28 - 公布日： 2021-08-31 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本公开的实施例总体上涉及一种半导体处理设备。更具体地，本公开的实施例涉及产生和控制等离子体。处理腔室包括腔室主体，所述腔室主体包括一个或多个腔室壁并限定处理区域。处理腔室还包括处于同心轴向对准的两个或更多个感应驱动射频(RF)线圈，所述RF线圈布置在腔室壁附近以触发并维持腔室主体内的等离子体，其中的两个或更多个RF线圈中的至少两个处于递归配置。
用于电感耦合等离子体递归线圈

[发明专利]用于基座的RF接地配置-CN201980029768.2在审
发明人： S·托卡奇丘;爱德华四世·P·哈蒙德;V·卡尔塞卡尔;Z·J·叶;A·A·哈贾;V·K·普拉巴卡尔 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2019-04-23 - 公布日： 2020-12-18 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本公开的实施例总体上涉及用于工艺腔室的基板支撑件以及与其一起使用的RF接地配置。还描述了将RF电流接地的方法。腔室主体至少部分地在其中界定工艺容积。第一电极设置在工艺容积中。基座与第一电极相对地设置。第二电极设置在基座中。RF滤波器通过导电杆耦接到第二电极。RF滤波器包括耦接到导电杆和接地的第一电容器。RF滤波器还包括耦接到馈通箱的第一电感器。馈通箱包括以串联耦接的第二电容器和第二电感器。用于第二电极的直流(DC)功率供应器耦接在第二电容器和第二电感器之间。
用于基座 rf 接地配置

1
2
下一页»
尾页
共 27 条