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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]用于减少节流阀漂移的主动冷却式前级管道陷阱-CN202180088856.7在审
发明人：付高生;T·A·恩古耶;A·班塞尔;K·嘉纳基拉曼;J·C·罗查－阿尔瓦雷斯 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-11-29 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： C23C16/50 文献下载
摘要：示例性半导体处理系统包括：处理腔室，所述处理腔室限定处理区域。半导体处理系统可包括前级管道，所述前级管道与处理腔室耦合。前级管道可限定流体导管。半导体处理系统可包括前级管道陷阱，所述前级管道陷阱与前级管道的远端耦合。半导体处理系统可包括可移除插件，在前级管道陷阱的内部内提供所述可移除插件。半导体处理系统可包括节流阀，所述节流阀在可移除插件的下游与前级管道陷阱耦合。
用于减少节流阀漂移主动冷却式前级管道陷阱

[发明专利]关闭机构真空腔室隔离装置和子系统-CN201880063210.1有效
发明人： T·A·恩古耶 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2018-09-28 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本公开总体涉及一种用于处理系统中的隔离装置。所述隔离装置包括主体，所述主体具有从中穿过而形成的流孔。在一个实施方式中，所述隔离装置设置在远程等离子体源与工艺腔室之间。关闭机构可枢转地设置在所述主体内。所述关闭机构可以被致动以启用或禁用在所述远程等离子体源与所述工艺腔室之间的流体连通。在一个实施方式中，所述关闭机构包括轴和耦接到所述轴的密封板。横臂耦接到与所述密封板相对的所述轴。所述横臂被配置为选择性地旋转所述关闭机构的所述轴和所述密封板。
关闭机构空腔隔离装置子系统

[发明专利]动态调平工艺加热器提升-CN201780060970.2有效
发明人： J·M·沙勒;M·罗勒;G·弗里曼;R·B·沃帕特;T·A·恩古耶;W·T·韦弗 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2017-09-18 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：一种用于通过相对于处理腔室内的表面对基板支撑件进行定向来改进处理腔室中的处理结果的方法和装置。所述方法包括：使基板支撑件的支撑表面相对于喷头的输出表面定向在第一方向上，其中基板支撑表面的第一方向相对于输出表面不共面；以及将第一层的材料沉积在设置于支撑表面上的基板上，所述支撑表面定向在第一取向上。
动态工艺加热器提升

[发明专利]在化学气相沉积工艺期间的动态晶片校平、倾斜、旋转-CN201780023993.6有效
发明人： A·K·班塞尔;J·C·罗查-阿尔瓦雷斯;K·嘉纳基拉曼;T·A·恩古耶 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2017-03-22 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本说明书所述实施例总体上有关在沉积工艺期间对基板支撑件与气体分配媒介之间的处理间距的动态、实时控制。于沉积工艺期间的任何时间，利用多维自由度来改变基板平面相对于气体分配媒介的角度及间距。如此，在沉积工艺期间可校平、倾斜、旋转、摇晃和/或移动基板和/或基板支撑件，以达到改善的膜均匀度。此外，由于在基板平面相对于喷头的校平的持续变化，可得到对各层的独立调校，以平均化基板上的有效沉积，因而改良整体的叠层沉积性能。
化学沉积工艺期间动态晶片倾斜旋转

[发明专利]射频接地系统和方法-CN202180039961.1在审
发明人： G·付;T·A·恩古耶;A·K·班塞尔 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-05-14 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： C23C16/458 文献下载
摘要：本公开提供一种装置，包括腔室主体及盖，在其中界定容积。装置包括基板支撑件，布置于容积中与盖相对。基板支撑件包括支撑主体，布置于主干上；及接地板，布置于支撑主体与主干之间。顶部凸缘耦合至接地板的下部外周表面；且底部凸缘耦合至腔室主体的底部。底部凸缘及顶部凸缘以利用多个条带彼此耦合，条带的各者具有耦合至底部凸缘的第一端及耦合至顶部凸缘的第二端。
射频接地系统方法

[发明专利]用于沉积应用的高温面板-CN202180042781.9在审
发明人： A·K·班塞尔;S·拉斯;T·A·恩古耶 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-05-18 - 公布日： 2023-02-14 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及用于处理腔室的面板。在一个示例中，面板包括主体，主体具有穿过主体形成的多个孔。加热组件设置在主体内，并且加热组件环绕多个孔。支撑环设置在主体中。支撑环环绕加热组件。支撑环包括主要体和从主要体径向向内延伸的悬臂。悬臂接触面板的主体。
用于沉积应用高温面板

[发明专利]用于半导体处理系统的底部净化-CN202180030923.X在审
发明人： N·帕塔克;V·普拉巴卡尔;B·N·拉马穆尔蒂;V·卡尔塞卡尔;T·A·恩古耶;J·C·罗查－阿尔瓦雷斯 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-03-23 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：示例性基板处理系统可以包括多个处理区域。所述系统可以包括限定与多个处理区域流体耦合的转移区域的转移区域外壳。所述系统可以包括多个基板支撑件，并且多个基板支撑件中的每个基板支撑件可以在转移区域与多个处理区域中的相关联的处理区域之间垂直平移。所述系统可以包括转移装置，所述转移装置包括延伸穿过转移区域外壳的可旋转轴。转移装置可包括与可旋转轴耦接的终端受动器。终端受动器可包括限定与净化源流体耦接的中央孔的中央毂。终端受动器还可以包括多个臂，所述多个臂具有与多个基板支撑件的基板支撑件数量相等的臂数量。
用于半导体处理系统底部净化

[发明专利]用于基板处理腔室的泵送设备与方法-CN201980082733.5有效
发明人： K·高希;D·伯拉尼克;A·K·班塞尔;T·A·恩古耶 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2019-11-15 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本公开内容涉及用于基板处理腔室的泵送装置、泵送装置的部件以及与泵送装置相关联的方法。在一个示例中，一种用于基板处理腔室的泵送环包括主体。主体包括上壁、下壁、内径向壁和外径向壁。泵送环还包括由上壁、下壁、内径向壁和外径向壁限定的环状体。泵送环还包括在主体中的第一排气口和在主体中的第二排气口，第一排气口流体耦接至环状体，第二排气口流体耦接至环状体。泵送环还包括设置在环状体中与第一排气口相邻的第一挡板，以及设置在环状体中与第二排气口相邻的第二挡板。
用于处理设备方法

[发明专利]腔室沉积和蚀刻工艺-CN202080092245.5在审
发明人：马骏;A·班塞尔;T·A·恩古耶 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2020-11-30 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：一种半导体处理的示例性方法，可包括以下步骤：在安置于容纳在半导体处理腔室的处理区域中的基板支撑件上的基板上沉积材料。处理区域可至少部分地由基板支撑件和面板限定。基板支撑件可在处理区域内相对于面板处于第一位置。方法可包括以下步骤：将基板支撑件平移到相对于面板的第二位置。方法可包括以下步骤：在半导体处理腔室的处理区域内形成蚀刻剂前驱物的等离子体。方法可包括以下步骤：蚀刻基板的边缘区域。
沉积蚀刻工艺

[发明专利]具有多个流体输送区的喷淋头组件-CN201610875496.6有效
发明人： A·K·班塞尔;J·C·罗查-阿尔瓦瑞兹;S·巴录佳;S·H·金;T·A·恩古耶 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2016-09-30 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本公开涉及了一种具有多个流体输送区的喷淋头组件。所述喷淋头组件包括：面板，所述面板被配置成将工艺气体输送到限定在所述喷淋头组件与所述基板支撑件之间的处理区域；以及底板，所述底板被定位在所述面板上方，在所述盖与所述底板之间限定第一气室，所述底板具有多个区域，其中每个区域具有多个开口，所述多个开口被配置成使一定量的惰性气体从所述第一气室流入所述面板与所述底板之间限定的第二气室，两个气室利用每个区中的所述多个开口流体连通，使得所述惰性气体在离开所述喷淋头组件之前与所述工艺气体混合。
具有流体输送喷淋组件

[发明专利]射频功率返回路径-CN202080069816.3在审
发明人： L·布恩卡特;D·伯拉尼克;T·A·恩古耶;A·K·班塞尔 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2020-07-29 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： C23C16/509 文献下载
摘要：本文中提出的实施例涉及处理腔室中的射频(RF)接地。在一个实施例中，介电板设置在处理腔室的腔室主体与盖之间。介电板横向延伸到由腔室主体和盖界定的容积中。基板支撑件设置在与盖相对的容积中。基板支撑件包括设置在杆上的支撑主体。支撑主体包括中心区域和周边区域。周边区域在中心区域的径向外侧。中心区域的厚度小于周边区域的厚度。凸缘设置为与周边区域的底表面相邻。凸缘从周边区域的外边缘径向向外延伸。波纹管设置在凸缘上并配置成密封地耦接到介电板。
射频功率返回路径

[发明专利]半导体处理腔室及清洁半导体处理腔室的方法-CN202080054583.X在审
发明人： N·帕塔克;张宇星;T·A·恩古耶;K·高希;A·班塞尔;J·C·罗查 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2020-07-23 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：处理腔室可以包括气体分配构件、基板支撑件、以及泵送衬垫。气体分配构件与基板支撑件可以至少部分定义处理容积。泵送衬垫可以定义经由围绕处理容积周向设置的泵送衬垫的多个孔隙而与处理容积流体连通的内部容积。处理腔室可以进一步包括流量控制机构，流量控制机构可操作以在从气体分配构件进入处理容积的流体分配期间经由泵送衬垫的多个孔隙的子集将流体流从泵送衬垫的内部容积引导进入处理容积。
半导体处理清洁方法

[发明专利]高密度基板处理系统及方法-CN202080050586.6在审
发明人： J·M·舒浩勒;S·洪坎;C·T·卡尔森;T·A·恩古耶;S·T·斯里尼瓦桑;K·C·保罗 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2020-07-08 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：示例性基板处理系统可以包括工厂接口和与工厂接口耦接的装载锁。系统可以包括与装载锁耦接的转移腔室。转移腔室可包括配置成从装载锁取回基板的机器人。系统可以包括定位成与转移腔室相邻并与转移腔室耦接的腔室系统。腔室系统可包括可由机器人横向存取的转移区域。转移区域可以包括围绕转移区域设置的多个基板支撑件。多个基板支撑件中的每个基板支撑件可垂直平移。转移区域也可包含转移设备，转移设备可沿着中心轴线旋转并经配置以接合基板并在多个基板支撑件之间转移基板。腔室系统还可包括多个处理区域，这些处理区域垂直地偏移并与相关的基板支撑件轴向对齐。
高密度处理系统方法

[发明专利]用于斜面蚀刻腔室的加热器支撑套件-CN202080044306.0在审
发明人： T·A·恩古耶;J·李;A·M·帕特尔;A·A·哈贾 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2020-02-21 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本文描述的实施例总体涉及用于处理基板的设备。在一个或多个实施例中，一种加热器支撑套件包括：加热器组件，所述加热器组件含有具有上表面和下表面的加热器板；卡环，所述卡环设置在所述加热器板的所述上表面的至少一部分上；加热器臂组件，所述加热器臂组件含有加热器臂并且支撑所述加热器组件；和加热器支撑板，所述加热器支撑板设置在所述加热器板与所述加热器臂之间并且与所述加热器板的所述下表面的至少一部分接触。
用于斜面蚀刻加热器支撑套件

[发明专利]用于基板处理腔室的隔离器设备和方法-CN202080044237.3在审
发明人： N·帕塔克;A·K·班塞尔;T·A·恩古耶;T·鲁比奥;B·N·拉马穆尔蒂;J·C·罗查－阿尔瓦雷斯 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2020-06-09 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本公开的方面总体上涉及用于基板处理腔室的隔离器装置、隔离器装置的组件以及与隔离器装置相关联的方法。在一种实施方式中，基板处理腔室包括设置在底座和泵送衬里之间的隔离器环。隔离器环包含第一表面，第一表面面向底座，第一表面设置在与底座的外周表面相距一间隙处。隔离器环包括第二表面与突出部，第二表面面向泵送衬里，突出部从隔离器环的第一表面朝向底座的外周表面突出。突出部限定底座与隔离器环之间的间隙的颈缩部分。
用于处理隔离器设备方法

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