专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]双重固化组合物-CN202080058602.6有效
  • 刘俊英;D·M·奥尔特戈特;S·斯威尔 - 美国陶氏有机硅公司
  • 2020-08-03 - 2023-05-23 - C08L83/04
  • 本发明涉及一种组合物,该组合物包含:(a)包含2个或更多个巯基基团的不含硅的巯基化合物;(b)每分子包含一个或多于一个末端不饱和烯基基团、相对于硅原子的摩尔数为40摩尔%或更多的苯基基团和至少一个烷氧基甲硅烷基基团的线性聚有机硅氧烷;(c)包含一个或多于一个末端不饱和烯基基团和相对于硅原子的摩尔数为20摩尔%或更多的苯基基团的树脂状聚有机硅氧烷;(d)光引发剂;以及(e)湿气固化催化剂;并且其中该组合物中巯基基团与末端不饱和烯基基团的摩尔比在0.3至2.0的范围内。
  • 双重固化组合
  • [发明专利]用于生产密封光半导体装置的方法-CN201880050214.6有效
  • 北浦英二;尼子雅章;S·斯威尔 - 杜邦东丽特殊材料株式会社;美国陶氏有机硅公司
  • 2018-08-31 - 2023-03-14 - H01L33/56
  • 提供了一种用于生产密封光半导体装置的方法,所述方法使得可能使用密封膜以简单且高度可靠的方式密封光半导体元件。所述方法包括以下步骤:其中在减压室内将密封膜放置在其上放置光半导体元件的光半导体元件基板上,并降低所述减压室内的压力的步骤;其中加热所述密封膜并且使所述密封膜的至少周边热熔合到所述光半导体元件置放基板的表面的步骤;以及其中释放所述减压室内的减压并且通过所述密封膜密封所述光半导体元件置放基板的步骤。当释放所述减压室内的减压时所述光半导体元件置放基板的温度T2为所述密封膜展现了0.02‑0.15MPa的拉伸强度以及150%‑450%的断裂伸长率的温度。
  • 用于生产密封半导体装置方法
  • [发明专利]用于生产密封光半导体装置的方法-CN201880053054.0有效
  • 北浦英二;尼子雅章;S·斯威尔 - 杜邦东丽特殊材料株式会社;美国陶氏有机硅公司
  • 2018-08-31 - 2023-03-14 - H01L33/54
  • 提供了一种用于生产密封光半导体装置的方法,即使当内层中的密封膜的物理特性包括差的可拉伸性时,所述方法使得能够以高度可靠的方式密封光半导体元件。本发明包括以下步骤:其中在减压室内将包括内层密封膜和最外层密封膜的至少两种类型的密封膜按照此顺序放置在其上安装光半导体元件的光半导体元件安装基板上并且降低所述减压室中的压力的步骤;其中加热所述最外层密封膜并且使所述最外层密封膜的至少周边热熔合到所述光半导体元件安装基板的表面的步骤;以及其中释放所述减压室内的减压并且通过所述最外层密封膜和所述内层密封膜密封所述光半导体元件安装基板的步骤。当释放所述减压室内的减压时所述光半导体元件安装基板的温度T2为所述最外层密封膜展现了0.02‑0.15MPa的拉伸强度以及200%‑450%的断裂伸长率的温度。所述内层密封膜在所述温度T2下展现了1.6或更大的损耗角正切(tanδ)。
  • 用于生产密封半导体装置方法

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