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[发明专利]形成氮氧化硅膜的方法和具有由此形成的氮氧化硅膜的衬底-CN201180071757.4有效
发明人： N·申德;长原达郎;高野祐辅 -专利权人： AZ电子材料IP（日本）株式会社
申请日： 2011-06-22 - 公布日： 2014-04-02 - 主分类号： C01B21/082 文献下载
摘要：本发明提供了一种制备氮氧化硅膜的方法，其能降低能量成本；还涉及一种具有通过使用该制备方法制备的氮氧化硅膜的衬底。所述方法包括如下步骤：通过用包含聚硅氮烷化合物的成膜组合物涂覆衬底表面以在衬底表面上形成涂层；移除所述涂膜中所含的过量溶剂；然后在从所述涂膜中移除溶剂后，将所述涂膜在低于150℃的温度条件下暴露于紫外辐射中。
形成氧化方法具有由此衬底

[发明专利]绝缘膜的形成方法-CN201280008540.3有效
发明人： 高野祐辅;长原达郎;S·尼纳德;岩田孝文 -专利权人： AZ电子材料IP（日本）株式会社
申请日： 2012-02-17 - 公布日： 2013-10-30 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：本发明提供可形成均匀且具有高的填充密度、并且缺陷少的绝缘膜的方法。一种绝缘膜的形成方法，其中，在基板表面涂布包含二氧化硅微粒、聚合物、表面活性剂和分散介质的二氧化硅分散液，接着涂布聚硅氮烷组合物，然后进行加热而形成绝缘膜。
绝缘形成方法

[发明专利]使用聚硅氮烷形成反色调图像的硬掩模方法-CN200980156339.8有效
发明人： D·J·阿布达拉;R·R·达梅尔;高野祐辅;李晋;黑泽和则 -专利权人： AZ电子材料美国公司
申请日： 2009-03-30 - 公布日： 2012-01-04 - 主分类号： G03F7/40 文献下载
摘要：本发明涉及在器件上形成反色调图像的方法，包括：a)在基材上形成任选的吸收性有机底层；b)在所述底层上方形成光致抗蚀剂的涂层；c)形成光致抗蚀剂图案；d)在所述光致抗蚀剂图案上方由聚硅氮烷涂料组合物形成聚硅氮烷涂层，其中所述聚硅氮烷涂层比所述光致抗蚀剂图案厚，和进一步其中所述聚硅氮烷涂料组合物包含硅/氮聚合物和有机涂料溶剂；e)蚀刻所述聚硅氮烷涂层以除去所述聚硅氮烷涂层至少直到所述光致抗蚀剂的顶部的程度以致所述光致抗蚀剂图案露出；和f)干蚀刻以除去所述光致抗蚀剂和在所述光致抗蚀剂下方的底层，从而在曾经存在所述光致抗蚀剂图案的位置的下方形成开口。本发明进一步涉及上述方法的产品和由使用上述方法制成的微电子器件。
使用聚硅氮烷形成色调图像硬掩模方法

[发明专利]超精细图案化掩模、其生产方法以及将其用于形成超精细图案的方法-CN200980103216.8有效
发明人： 高野祐辅;季晋;石川智规;能谷刚 -专利权人： AZ电子材料(日本)株式会社
申请日： 2009-01-27 - 公布日： 2011-06-01 - 主分类号： G03F7/40 文献下载
摘要：本发明提供了一种超精细图案形成方法，其可以简便地以高规模化生产率来生产超精细图案。该方法中，在待处理薄膜上形成第一凸起图案；在凸起图案的侧面上形成由含硅氮烷键的树脂组合物形成的隔体；通过使用隔体或设置在隔体周围的树脂层作为掩模来形成超精细图案。该隔体通过仅在第一凸起图案周围的部分固化均匀涂覆的树脂组合物来形成。因此，可以形成与常规图案形成方法相比更加精细的图案。
精细图案化掩模生产方法以及用于形成

[发明专利]用于形成抗反射膜的组合物以及使用该组合物的图案形成方法-CN200880122511.3有效
发明人：能谷刚;秋山靖;高野祐辅 -专利权人： AZ电子材料(日本)株式会社
申请日： 2008-12-12 - 公布日： 2010-12-08 - 主分类号： G03F7/11 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于形成具有低折射率，平缓的摆动曲线，小摆动比率的顶部抗反射涂层组合物。该组合物包含溶剂和具有亲水基的含蒽骨架聚合物。该组合物涂覆在光致抗蚀膜上形成抗反射涂层，并能用在通过使用波长为160～260nm的光形成图案的光刻法中。
用于形成反射组合以及使用图案方法

[发明专利]用于形成顶层抗反射膜的组合物以及使用该组合物的图案形成方法-CN200880119991.8有效
发明人：秋山靖;能谷刚;仓本胜利;高野祐辅 -专利权人： AZ电子材料(日本)株式会社
申请日： 2008-12-10 - 公布日： 2010-09-29 - 主分类号： G03F7/11 文献下载
摘要：公开了一种用于形成顶层抗反射膜的组合物，其包含至少一种含氟化合物和通式(1)表示的季铵化合物(其中R¹、R²、R³和R⁴中的至少一个表示羟基或链烷醇基，其余的表示氢原子或具有1～10个碳原子的烷基；X^-表示羟基、卤离子或硫酸根离子)，以及非强制选择的水溶性聚合物、酸、表面活性剂和水性溶剂。该用于形成顶层抗反射膜的组合物当以较少用量涂覆时，可以表现出与传统的用于形成顶层抗反射膜的组合物相同水平的功能。通式(1)
用于形成顶层反射组合以及使用图案方法

[发明专利]用于形成精细图案的水溶性树脂组合物及使用该组合物形成精细图案的方法-CN200880014317.3有效
发明人：洪圣恩;高野祐辅;康文兵 -专利权人： AZ电子材料（日本）株式会社
申请日： 2008-05-01 - 公布日： 2010-03-17 - 主分类号： G03F7/40 文献下载
摘要：一种方法，其包括将含水溶性乙烯基树脂、在分子中具有至少两个氨基的化合物、溶剂以及(如果需要的话)添加剂例如表面活性剂的水溶性树脂组合物施覆到在基板(1)上形成的抗蚀图(2)上，以形成水溶性树脂膜(3)，通过混合使与抗蚀图邻接的该水溶性树脂膜的一部分改性，以在抗蚀图表面上形成无法通过水洗除去的水不溶性层(4)，然后通过水洗除去水溶性树脂膜的未改性部分，其能有效地按比例缩减抗蚀图的导线间距大小和开孔大小至较曝光波长的分辨限度更精细的水平。优选使用含氮乙烯基单体例如烯丙胺、丙烯酰胺、乙烯基吡咯烷酮或乙烯基咪唑的均聚物、两种或更多种含氮乙烯基单体的共聚物或至少一种含氮乙烯基单体与至少一种无氮乙烯基单体的共聚物作为水溶性乙烯基树脂。
用于形成精细图案水溶性树脂组合使用方法

[发明专利]防反射涂层用组合物及使用该组合物的图案形成方法-CN200580021579.9无效
发明人：松尾二郎;高野圣史;高野祐辅;秋山靖 -专利权人：大日本油墨化学工业株式会社;日本AZ电子材料株式会社
申请日： 2005-06-29 - 公布日： 2007-09-05 - 主分类号： G03F7/11 文献下载
摘要：本发明提供一种维持作为防反射膜的性能并具有特别优异的涂布特性的防反射涂层用组合物以及使用该组合物的图案形成方法。一种防反射涂层用组合物，其至少含有下述(A)、(B)、(C)、(D)和(E)成分：(A)下述通式(1)所示的全氟烷基·亚烷基磺酸；C_nF_2n+1(CH₂CH₂)_mSO₃H(1)(式中，n表示1～20的整数、m表示0～20的整数)(B)有机胺；(C)水溶性聚合物；(D)下述通式(2)所示的含有全氟烷基乙基的化合物；C_kF_2k+1CH₂CH₂－X－Y(2)(式中，k表示1～20的整数、X表示单键或2价的连接基团、Y表示阴离子性基团或非离子性基团。其中，该化合物具有与上述(A)成分不同的结构)(E)水。
反射涂层组合使用图案形成方法

[发明专利]水溶性树脂组合物和使用该组合物形成图案的方法-CN200580012201.2有效
发明人：西部刚史;洪圣恩;高野祐辅;冈安哲雄 -专利权人： AZ电子材料（日本）株式会社
申请日： 2005-04-08 - 公布日： 2007-04-11 - 主分类号： G03F7/40 文献下载
摘要：一种用于图案形成方法中的水溶性树脂组合物，所述方法涉及涂敷涂层到由ArF响应的辐射敏感树脂组合物形成的抗蚀图上并增大所述抗蚀图宽度以获得有效小型化的沟槽图案和孔图案，其中，抗蚀图层的尺度收缩程度比现有技术有提高，并且，其中粗/密抗蚀图对尺度收缩的依赖性减小；和一种使用所述水溶性树脂组合物形成图案的方法。提供了一种用于上述图案形成方法中的水溶性树脂组合物，可适用于ArF受激准分子激光辐射，含有水溶性树脂、当被加热时能产生酸的发生剂、表面活性剂、交联剂和含水溶剂。还提供一种使用所述水溶性树脂组合物形成图案的方法。
水溶性树脂组合使用形成图案方法

[发明专利]用于形成精细图形的材料和使用该材料形成精细图形的方法-CN200480020562.7有效
发明人：高桥清久;高野祐辅 -专利权人： AZ电子材料（日本）株式会社
申请日： 2004-06-04 - 公布日： 2006-08-23 - 主分类号： G03F7/40 文献下载
摘要：本发明提供了一种精细图形形成材料，含有水溶性树脂，水溶性交联剂，和水或由水和水溶性有机溶剂的混合液组成的溶剂，其特征在于其包含胺化合物；还提供了一种使用该材料的精细图形形成方法。该胺化合物为伯胺化合物或季胺化合物，该伯胺化合物包括肼，脲，氨基酸，葡糖胺衍生物和聚烯丙基胺衍生物，该季胺化合物包括该伯胺化合物的二甲基铵盐，三甲基铵盐，四甲基铵盐，二甲基乙基苄基铵盐和N－甲基吡啶鎓盐。在实际的使用图形形成材料使抗蚀图形精细化的方法中，在仅使用水进行显影的时候，上述材料允许形成图形缺陷减少了的固化涂层图形。
用于形成精细图形材料使用方法

[发明专利]微细图形形成材料以及微细图形形成方法-CN200480015273.8有效
发明人：高桥清久;高野祐辅 -专利权人： AZ电子材料（日本）株式会社
申请日： 2004-06-04 - 公布日： 2006-07-05 - 主分类号： G03F7/40 文献下载
摘要：本发明提供了一种形成微细图形的方法，包括下述步骤：在直径为6英寸或更大的基底1上形成由化学增强光致抗蚀剂制成的抗蚀图形3，涂覆含有水溶性树脂，水溶性交联剂，和水或水与水溶性有机溶剂的混合溶剂的微细图形形成材料以形成涂覆层4，烘焙该化学增强光致抗蚀图形和该涂覆层，并且在烘焙后使该涂覆层显影，其中微细图形形成材料中的水溶性树脂是一种在DSC曲线中的熔融热峰值温度高于上面的烘焙步骤中的烘焙温度并且同时高于130℃的水溶性树脂。
微细图形形成材料以及方法

[发明专利]水溶性树脂组合物、图形形成方法和检查抗蚀图形的方法-CN200480004824.0有效
发明人： 高野祐辅;洪圣恩 -专利权人： AZ电子材料(日本)株式会社
申请日： 2004-02-16 - 公布日： 2006-03-22 - 主分类号： G03F7/40 文献下载
摘要：本发明的水溶性树脂组合物至少包含水溶性树脂、加热时能够产生酸的酸产生剂和含水溶剂。该水溶性树脂组合物被施覆在由抗蚀剂例如ArF易感应放射线敏感树脂组合物形成在基底1上的高抗水性抗蚀图形3上，而在其上形成涂覆层4。将抗蚀图形3和涂覆层4进行热处理而在抗蚀图形3表面附近形成显影液不溶的改性层5。显影涂覆层，形成被改性层5增厚的抗蚀图形。改性层是具有足够厚度的层，能够在高抗水性抗蚀图形例如ArF易感应放射线敏感树脂组合物中形成，其尺寸可控性高。结果，有效地将抗蚀图形的分离尺寸和孔径尺寸降低到小于极限分辨率。由于改性层5在电子束辐射时具有对于抗蚀图形的保护膜作用，所以可以防止尺寸测量SEM电子束辐照时引起的抗蚀图形尺寸测量波动。
水溶性树脂组合图形形成方法检查

[发明专利]形成图形的方法和在其中使用的处理剂-CN01818879.6有效
发明人：居岛一叶;高野祐辅;田中初幸;船户觉 -专利权人：克拉瑞特国际有限公司
申请日： 2001-10-24 - 公布日： 2004-02-11 - 主分类号： G03F7/38 文献下载
摘要：形成抗蚀图形的方法，包括以下步骤：(a)涂覆和形成化学放大光致抗蚀剂膜，(b)在化学放大光致抗蚀剂膜上涂覆pH值为1.3到4.5的处理剂，(c)在涂覆和形成化学放大光致抗蚀剂膜和涂覆所述的处理剂这两步的至少一步之后烘焙所述的化学放大光致抗蚀剂膜，(d)选择性地，将所述的化学放大光致抗蚀剂膜曝光，(e)曝光后烘焙所述的化学放大光致抗蚀剂膜，和(f)将所述的化学放大光致抗蚀剂膜显影，其中在用水去除光致抗蚀剂上的处理剂和在显影前旋转干燥后，比不涂覆处理剂的情况，化学放大光致抗蚀剂薄膜未曝光部分和显影液的接触角降低了10°到110°。使用此方法，在光致抗蚀剂膜上的显影溶液的湿润性得到了提高，因为在处理剂中含有例如有机酸的酸性成份，所以减小了漂浮的碱性物质的影响，从而形成了具有良好形状的图形。
形成图形方法其中使用处理

[发明专利]防止显影缺陷的方法和材料-CN01811661.2有效
发明人： 高野祐辅;居岛一叶;船户觉;村上佳男;田中初幸 -专利权人：克拉瑞特国际有限公司
申请日： 2001-06-14 - 公布日： 2003-08-27 - 主分类号： G03F7/38 文献下载
摘要：将由含有表面活性剂的酸性组合物制得的减少显影缺陷的组合物涂布到在8英寸或更大的基质上形成的化学增强的光刻胶膜上。结果是，抗蚀剂表面成为亲水性，防止在抗蚀剂层上形成显影液很难溶解的层。通过从减少显影缺陷的组合物中扩散的适当量的酸，化学增强的光刻胶的膜厚度的减少，比没有涂布减少显影缺陷组合物大10～500，形成了没有图形轮廓变坏如T－形或圆顶形图形的抗蚀图形。
防止显影缺陷方法材料

[发明专利]抗反射涂层组合物-CN00802540.1无效
发明人： 高野祐辅;田中初幸;李东翰 -专利权人：克拉瑞特国际有限公司
申请日： 2000-11-08 - 公布日： 2002-02-13 - 主分类号： G03F7/11 文献下载
摘要：本发明公开了一种抗反射涂层组合物,其至少包含(a)聚丙烯酸;(b)聚乙烯基吡咯烷酮;(c)CnF2n+1COOH(其中,n为整数3～11);和(d)四甲基氢氧化铵。涂敷的光致抗蚀剂膜进行曝光和显影,获得一种具有满意形成的抗蚀剂图案,无T形顶、圆形顶等。
反射涂层组合

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