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[发明专利]连接器护罩构造-CN202010698800.0有效
发明人： D·J·德坎特;S·尼兰詹;R·拉马斯瓦米 -专利权人：安波福技术有限公司
申请日： 2020-07-20 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01R13/40 文献下载
摘要：连接器的示例性实施方式包括：端子，上述端子构造成与另一部件建立电连接；以及护罩，上述护罩围绕该端子。护罩包括第一侧壁和横向于第一侧壁的第二侧壁。第一侧壁和第二侧壁在与端子的纵向轴线平行的方向上具有侧壁尺寸。护罩包括在第一侧壁与第二侧壁之间的第一过渡部，上述第一过渡部呈具有大于90度的第一角度测量值的中空圆柱形区段的形式。过渡段的过渡尺寸小于侧壁尺寸。
连接器护罩构造

[发明专利]用于FINFET架构的自对准栅极端盖中的集成熔断器和制造方法-CN202110835843.3在审
发明人： S·阿什特卡尔;R·拉马斯瓦米;W·哈菲兹;H·M·萨韦德拉加西亚 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2021-07-23 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： H01L23/525 文献下载
摘要：本公开描述了用于FINFET架构的自对准栅极端盖中的集成熔断器和制造方法。在一些方面，一种器件结构包括：第一鳍状物上的第一栅极、第二鳍状物上的第二栅极，其中第二栅极与第一栅极间隔开一定距离。熔断器跨越所述距离并与第一栅极和第二栅极接触。第一电介质在第一鳍状物和第二鳍状物之间，其中第一电介质与熔断器接触并且在熔断器下方，并且第二电介质在第一栅极和第二栅极之间，其中第二电介质在熔断器上。
用于 finfet 架构对准栅极中的集成熔断器制造方法

[发明专利]用于集成高密度缩放器件的自对准前端电荷俘获闪存存储单元和电容器设计-CN202011557729.0在审
发明人： T·特里维迪;W·M·哈菲兹;R·班拜;D·B·奥布莱恩;C·A·诺尔夫;R·拉马斯瓦米;T·常 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2020-12-25 - 公布日： 2021-12-24 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：本文所公开的实施例包括半导体器件和形成这种器件的方法。在实施例中，所述半导体器件包括：衬底和衬底上的晶体管。在实施例中，晶体管包括：第一栅极电极，其中，第一栅极电极是具有第一间距的第一栅极电极阵列的一部分。在实施例中，第一栅极电极具有第一平均晶粒尺寸。在实施例中，半导体器件还包括在衬底上的部件单元。在实施例中，部件单元包括：第二栅极电极，其中，第二栅极电极是具有大于第一间距的第二间距的第二栅极电极阵列的一部分。在实施例中，第二栅极电极具有大于第一平均晶粒尺寸的第二平均晶粒尺寸。
用于集成高密度缩放器件对准前端电荷俘获闪存存储单元电容器设计

[发明专利]具有双纳米带沟道结构的全环绕栅极集成电路结构-CN202011552566.7在审
发明人： T·特里维迪;R·拉马斯瓦米;J·D·金;B·法拉哈扎德;张旭佑;T·常;N·尼迪;W·M·哈菲兹 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2020-12-24 - 公布日： 2021-09-07 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：描述了具有双纳米线/纳米带沟道结构的全环绕栅极集成电路结构及制造具有双纳米线/纳米带沟道结构的全环绕栅极集成电路结构的方法。例如，一种集成电路结构包括在衬底上方的纳米线的第一垂直布置。电介质帽盖在纳米线的第一垂直布置之上。纳米线的第二垂直布置在衬底上方。纳米线的第二垂直布置中的各个纳米线与纳米线的第一垂直布置中的各个纳米线和电介质帽盖横向交错。
具有纳米沟道结构环绕栅极集成电路

[发明专利]在栅极内部使用选择性金属氧化的基于应变的性能增强-CN202010998119.8在审
发明人： R·拉马斯瓦米;张旭佑;B·法拉哈扎德;H-Y·王;T·常;T·特里维迪;J·D·金;N·尼迪;W·M·哈菲兹 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2020-09-21 - 公布日： 2021-07-09 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：本公开涉及在栅极内部使用选择性金属氧化的基于应变的性能增强。本文公开的实施例包括半导体器件及形成这种器件的方法。在实施例中，一种半导体器件，包括：源极；漏极；以及在源极和漏极之间的半导体沟道。在实施例中，半导体沟道具有在半导体沟道的整个厚度上的非均匀应变。在实施例中，半导体器件还包括围绕半导体沟道的栅极堆叠体。
栅极内部使用选择性金属氧化基于应变性能增强

[发明专利]具有横向渐变功函数的晶体管栅极金属-CN201480080734.3有效
发明人： C-H·简;W·哈菲兹;张旭佑;R·奥拉-沃;T·张;R·拉马斯瓦米;P-C·刘;N·迪亚斯 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2014-08-19 - 公布日： 2021-05-25 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了包括具有功函数在整个栅极电极长度上单调渐变的栅极电极的晶体管的半导体器件、以及制造这种器件的方法。在实施例中，在栅极电极的源极和漏极边缘之间使栅极金属功函数渐变，以实现改进的高电压性能。在实施例中，栅极金属的厚度从源极边缘处的非零值渐变到漏极边缘处的较大厚度。在其他实施例中，具有渐变栅极金属厚度的高电压晶体管与采用标称厚度的栅极电极金属的另一个晶体管集成。在实施例中，制造半导体器件的方法包括通过使第一栅极金属在第一开口内相对于周围电介质非均匀地凹陷，在源极端部和漏极端部之间使栅极金属厚度渐变。
具有横向渐变函数晶体管栅极金属

[发明专利]具有空隙加速击穿的MOS反熔丝-CN201480080746.6有效
发明人： R·奥拉-沃;W·哈菲兹;C-H·简;张旭佑;T·张;R·拉马斯瓦米;P-C·刘;N·迪亚斯 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2014-08-19 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种MOS反熔丝，具有由形成在电极中的空隙或缝隙引起的加速电介质击穿。在一些实施例中，在其下MOS反熔丝经受电介质击穿的编程电压通过对MOS反熔丝电介质的至少部分的故意损坏来减小。在一些实施例中，在电极材料的回蚀期间可以引入损坏，该电极材料具有在将电极材料回填到具有阈值纵横比的开口中期间所形成的缝隙。在另外的实施例中，MOS反熔丝位单元包括MOS晶体管和MOS反熔丝。MOS晶体管具有保持预定的电压阈值摆幅的栅极电极，而MOS反熔丝包括具有空隙加速电介质击穿的栅极电极。
具有空隙加速击穿 mos 反熔丝

[发明专利]具有不同大小的鳍状部的多栅极晶体管-CN201480079250.7有效
发明人： N·尼迪;C-H·简;R·W·奥拉-沃;张旭佑;N·L·迪亚斯;W·M·哈菲兹;R·拉马斯瓦米 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2014-06-27 - 公布日： 2021-01-05 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：实施例包括一种装置，包括：非平面晶体管，该非平面晶体管包括鳍状部，该鳍状部包括具有源极区宽度和源极区高度的源极区、具有沟道区宽度和沟道区高度的沟道区、具有漏极宽度和漏极高度的漏极区、以及形成在沟道区的侧壁上的栅极电介质；其中，装置包括以下各项中的至少一项：(a)沟道区宽度比源极区宽度宽，以及(b)栅极电介质包括在第一位置处的第一栅极电介质厚度以及在第二位置处的第二栅极电介质厚度，第一位置和第二位置位于侧壁上的等同高度处，并且第一栅极电介质厚度和第二栅极电介质厚度彼此不相等。本文中描述了其它实施例。
具有不同大小鳍状部栅极晶体管

[发明专利]基于非线性鳍状物的器件-CN201480079230.X有效
发明人： N·L·迪亚斯;C-H·简;W·M·哈菲兹;R·W·奥拉-沃;张旭佑;T·张;R·拉马斯瓦米;P-C·刘 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2014-06-27 - 公布日： 2020-08-25 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：实施例包括一种装置，包括：非平面鳍状物，其具有第一、第二和第三部分，第一、第二和第三部分均具有长轴和短轴，并且彼此成整体；其中(a)第一、第二和第三部分的长轴彼此平行，(b)第一和第二部分的长轴彼此是非共线的，(c)第一、第二和第三部分中的每个部分包括从包括源极、漏极和沟道的组中选择的晶体管的节点，(e)第一、第二和第三部分包括至少一个finFET。在本文描述了其它实施例。
基于非线性鳍状物器件

[发明专利]用于嵌入式动态随机存取存储器(eDRAM)的低泄漏非平面存取晶体管-CN201380079114.3有效
发明人： J·朴;G·比马拉塞蒂;R·拉马斯瓦米;C-H·简;W·M·哈菲兹;J-Y·D·叶;C·蔡 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2013-09-27 - 公布日： 2019-07-23 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本发明描述了用于嵌入式动态随机存取存储器(eDRAM)的低泄漏非平面存取晶体管和制造用于eDRAM的低泄漏非平面存取晶体管的方法。例如，一种半导体器件包括半导体鳍状物，所述半导体鳍状物设置在衬底上方并包括设置在两个宽的鳍状物区之间的窄的鳍状物区。栅极电极叠置体被设置为与所述半导体鳍状物的所述窄的鳍状物区共形，所述栅极电极叠置体包括设置在栅极电介质层上的栅极电极。所述栅极电介质层包括下层和上层，所述下层由所述半导体鳍状物的氧化物组成。包括一对源极/漏极区，所述源极/漏极区中的每个区设置在所述宽的鳍状物区中的对应的鳍状物区中。
用于嵌入式动态随机存取存储器 edram 泄漏平面存取晶体管

[发明专利]药物输送帮浦用与药物容器连接的无菌液体沟道连接件-CN201280041852.4有效
发明人： S·M·奥康纳;I·B·汉森;P·F·本特四世;R·拉马斯瓦米;D·S·科德;S·W·比弗;K·L·博克曼;J·C·洛芙 -专利权人：尤尼特拉克特注射器控股有限公司
申请日： 2012-09-12 - 公布日： 2016-11-30 - 主分类号： A61M5/168 文献下载
摘要：本发明提供一种由使用者激活的液体沟道连接件(300)，包含：连接插座(310)；刺穿构件(330)；无菌套管(320)；及药物容器(50)，具有箍盖(52)、可刺穿的密封体(56)、圆筒(58)、及柱塞密封体(60)，刺穿构件(330)最初保持在无菌套管(320)中且位于连接插座(310)与密封体(56)之间。连接插座(3310)包含设于连接插座(3310)中的内部开口(3310D)，其用作为限流器，且刺穿构件(3330)连接至内部开口(3310D)的一端，液体导管(3030)连接至内部开口(3310D)的另一端。一种具有整合的无菌保持部件的药物输送帮浦(10)，包含壳体(12)，在壳体上安装激活机构(14)、插入机构(200)、如上述的液体沟道连接件(300)、电力及控制系统(400)、及连接至药物容器(50)的驱动机构(100)。亦提供本发明的组装及操作的方法。
药物输送帮浦用容器连接无菌液体沟道

[发明专利]基于无线网络质量的注册定时器调整-CN200780041256.5有效
发明人： S·R·科第林格尔;R·拉马斯瓦米 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2007-11-07 - 公布日： 2009-09-16 - 主分类号： H04L29/06 文献下载
摘要：本公开内容涉及管理在无线网络中运行的无线通信设备(WCD)的注册。WCD可以支持根据信令协议的注册，例如会话发起协议(SIP)。WCD基于该WCD所经历的网络质量来调整注册定时器。例如，当网络质量较差时，WCD减小注册定时器的长度。降低的网络质量可以表示WCD处于失去网络覆盖的风险中。通过在网络质量降低时减小注册定时器的长度，可以减少用于脱离覆盖的WCD的旧注册。具体而言，缩短的注册定时器会更快地期满，允许更快地清除注册。结果，可以减少专用于旧注册的呼叫转移和其它资源的数量。如果WCD保持网络覆盖，其就可以通过发送另一个注册请求来维持注册。
基于无线网络质量注册定时器调整

[发明专利]在基于GPS的CDMA无线网络中使用ATM传输控制可闻语音失真的系统和方法-CN01821926.8无效
发明人： D·春;M·德斯潘德;S·希克斯;B·奈特;李国钧;R·帕拉科德蒂;R·拉马斯瓦米;G·塞拉纳;D·瓦尔克;J·张 -专利权人：艾利森电话股份有限公司
申请日： 2001-11-13 - 公布日： 2004-03-31 - 主分类号： H04J3/06 文献下载
摘要：提供了一种减少在码分多址(CDMA)无线网络中的可闻噪声的发生的基站控制器(BSC)。根据本发明的一种实施方案的BSC包含一种媒体流板(MSB)，用于将来自公共交换电话网络(PSTN)的160个PCM语音采样的组压缩为语音编码帧，以及一种专用板(SPB)，用于将来自MSB的语音编码帧重新格式化为空中CDMA语音编码帧。MSB和SPB每个都具有一个从属于“PSTN时间”的本地定时器。BSC进一步包含一个连接到GPS接收机的定时部分板(TUB)。TUB接收来自GPS接收机的“GPS时间”。TUB生成定时单元，每个定时单元都包含根据“GPS时间”的日时信息。TUB通过异步转移模式(ATM)网络将定时单元分发到MSB和SPB。MSB和SPB使用接收到的定时单元来比较跟踪“PSTN时间”的它们的本地定时器与“GPS时间”。无论何时MSB和SPB的本地定时器对“GPS时间”的漂移超出一个预定的时间窗口，MSB和SPB都使它们的本地定时器与“GPS时间”重新对准。
基于 gps cdma 无线网络使用 atm 传输控制语音失真系统方法

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