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[发明专利]具有绝缘沟槽栅电极的功率半导体器件和生产功率半导体器件的方法-CN202180085877.3在审
发明人： L·德-米奇伊里斯;G·古普塔;W·A·维塔勒;E·布伊特拉戈;C·科瓦斯塞 -专利权人：日立能源瑞士股份公司
申请日： 2021-12-17 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：规定了一种功率半导体器件(1)，该功率半导体器件具有沿竖直方向在具有发射极电极(51)的发射极侧(21)和与发射极侧(21)相对的集电极侧(22)之间延伸的半导体本体(2)，功率半导体器件(1)包括：第一导电类型的漂移层(26)；在漂移层(26)和发射极侧(21)之间延伸的不同于第一导电类型的第二导电类型的基极层(28)；设置在基极层(28)的背离漂移层(26)的一侧上的第一导电类型的源极区域(29)；从发射极侧(21)延伸到漂移层(26)中的至少一个第一沟槽(3)；延伸到第一沟槽(3)中的绝缘沟槽栅电极(30)；从发射极侧(21)延伸到漂移层(26)中的至少一个第二沟槽(4)，至少一个第二沟槽(4)布置在至少一个第一沟槽(3)的背离源极区域(29)的一侧上；延伸到第二沟槽(4)中的导电层(41)，导电层(41)与基极层(28)和漂移层(26)电绝缘；其中：基极层(28)的设置在至少一个第二沟槽(4)的背离至少一个第一沟槽(3)的一侧上的部分(281)从发射极侧(21)朝集电极侧(22)沿竖直方向与至少一个第二沟槽(4)延伸相同深度；以及功率半导体器件(1)的在至少一个第一沟槽(3)和至少一个第二沟槽(4)之间延伸的子区域(6)包括电连接至基极层(28)的电荷载流子提取触点(61)。此外，还规定了一种生产功率半导体器件(1)的方法。
具有绝缘沟槽电极功率半导体器件生产方法

[发明专利]用于更软的反向恢复且有载流子的逐渐注入的半导体器件-CN202180022071.X有效
发明人： W·A·维塔勒;L·德-米奇伊里斯;B·K·博克斯坦;E·布伊特拉戈;M·安德娜 -专利权人：日立能源瑞士股份公司
申请日： 2021-03-12 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：半导体器件按从第一主侧(21)到第二主侧(22)的顺序包括：第一导电类型的第一半导体层(3)、第二导电类型的第三半导体层(41)、第二导电类型的第五半导体层(43)、以及第二导电类型的第四半导体层(42)，其中，第三半导体层与第一半导体层(3)形成pn结(5)，第五半导体层(43)的最大掺杂浓度低于第四半导体层(42)的最大掺杂浓度且高于第三半导体层(41)的最大掺杂浓度，并且其中，第一导电类型的第一半导体区(51)和第二半导体区(52)完全嵌入在第五半导体层(43)中。在反向恢复期间，第一半导体区(51)的第一导电类型载流子注入持续时间不同于第二半导体区(52)的第一导电类型载流子注入持续时间。
用于反向恢复载流子逐渐注入半导体器件

[发明专利]绝缘栅双极晶体管-CN202080077723.5有效
发明人： F·乌德雷亚;M·安东尼奥;N·洛菲蒂斯;C·科瓦斯塞;L·德-米奇伊里斯;U·维穆拉帕蒂;U·巴斯图恩;M·拉希莫 -专利权人：日立能源瑞士股份公司
申请日： 2020-11-06 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：公开了一种绝缘栅双极晶体管，其至少包括以下层：第一导电类型的源极层；第二导电类型的基极层，其中，源极层和基极层电接触源极电极；第一导电类型的漂移层；以及第二导电类型的集电极层，其布置在漂移层和集电极电极之间并且电接触集电极电极。绝缘栅双极晶体管进一步包括至少两个沟槽栅极电极和至少一个沟槽肖特基电极，并且第二导电类型的收集区域布置在这些电极的底部处。收集区域位于漂移层中并通过漂移层彼此横向地分开。肖特基层在接触区域处形成到收集区域的肖特基接触。
绝缘双极晶体管

[发明专利]绝缘栅极功率半导体器件及其制造方法-CN201980068533.4有效
发明人： L·德-米奇伊里斯;M·拉希莫;C·科瓦斯塞 -专利权人：日立能源瑞士股份公司
申请日： 2019-09-13 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：一种绝缘栅极功率半导体器件(1a)，按照从第一主侧(20)朝向与第一主侧(20)相对的第二主侧(27)的顺序包括：第一导电类型的源极层(3)、第二导电类型的基极层(4)、第一导电类型的增强层(6)以及第一导电类型的漂移层(5)。该绝缘栅极功率半导体器件(1a)进一步包括两个相邻的沟槽栅极电极(7)，以形成夹在两个相邻的沟槽栅极电极(7)之间的垂直MOS单元。第二导电类型的保护层(8a)的至少一部分布置在两个相邻的沟槽栅极电极(7)之间的区域中，其中，保护层(8a)由沿着栅极绝缘层(72)延伸的第一导电类型的沟道层(60a；60b)与栅极绝缘层(72)隔开。
绝缘栅极功率半导体器件及其制造方法

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