“M·乔杜里”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果17个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]用于减轻冲突和消隐的影响的SRS切换增强-CN202080106928.1在审
发明人： P·赵;张大伟;E·J·斯托克斯;许芳丽;胡海静;孙海童;崔杰;M·乔杜里;R·安巴蒂;T·埃兰戈万;曾威;W·赵;唐扬 -专利权人：苹果公司
申请日： 2020-10-15 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H04L5/00 文献下载
摘要：向基站报告探测参考信号切换(SRS切换)的潜在影响可包括：确定将要由UE执行SRS切换。基于确定将要执行SRS切换，可处理由在多个无线接入技术(RAT)的至少一个子集之间共享射频(RF)前端(RFFE)时执行SRS切换所引起的对该多个RAT中的一个或多个RAT的潜在影响。这些潜在影响可包括与该RAT的子集中的一个或多个RAT相关联的发射消隐(Tx消隐)和接收消隐(Rx消隐)中的至少一者。可编码指示这些SRS切换的潜在影响的通信以便发射到基站。该基站还可提供用于确定如何处理与SRS切换相关联的Tx消隐、Rx消隐和SRS跳过的优先级配置。
用于减轻冲突影响 srs 切换增强

[发明专利]具有多个相控天线阵列的电子设备-CN202111105607.2在审
发明人：马可心;杨思文;吴江枫;S·G·贝加肖;M·乔杜里;张立俊;蒋奕;胥浩;M·帕斯科利尼 -专利权人：苹果公司
申请日： 2021-09-22 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： H01Q21/00 文献下载
摘要：本公开涉及具有多个相控天线阵列的电子设备。电子设备可包括第一相控天线阵列和第二相控天线阵列，该第一相控天线阵列和该第二相控天线阵列传送在大于10GHz的频率下的射频信号。该第二阵列可具有比该第一阵列少的天线。控制电路可以分集模式和以同时阵列模式控制该第一阵列和该第二阵列。在该分集模式中，该第一阵列可形成第一信号波束，而该第二阵列不活动。当该第一阵列被物体阻挡或以其他方式表现出不令人满意的性能时，该第二阵列可形成第二信号波束，而该第一阵列不活动。在该同时模式中，该第一阵列和该第二阵列可形成组合阵列，该组合阵列产生第三信号波束。该组合阵列可最大化增益。可执行分级波束搜索操作。该阵列可分布在一个或多个模块上。
具有多个相控天线阵列电子设备

[发明专利]用于三维存储器器件的直通阵列导电通孔结构及其制造方法-CN201980075808.7在审
发明人： J·凯;M·乔杜里;富山文昭;J·阿尔斯迈耶;东谷方明 -专利权人：桑迪士克科技有限责任公司
申请日： 2019-11-21 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：绝缘层和介电间隔物层的交替堆叠在半导体衬底上方形成。存储器堆叠结构穿过交替堆叠形成。背侧沟槽、壕沟沟槽和接触开口通过该交替堆叠形成，并且随后分别用牺牲背侧沟槽填充材料结构、牺牲壕沟沟槽填充结构和牺牲接触开口填充结构填充。该牺牲壕沟沟槽填充结构用管状介电壁结构替换。该介电间隔物层的位于该管状介电壁结构外部的部分用导电层替换。该牺牲背侧沟槽填充材料结构用背侧沟槽填充结构替换。该牺牲接触开口填充结构用导电通孔结构替换。该背侧沟槽、该壕沟沟槽和该接触开口的同时形成减小了处理步骤和成本。
用于三维存储器器件直通阵列导电结构及其制造方法

[发明专利]包含源极层和漏极层的交替堆叠和竖直栅极电极的三维存储器器件-CN202080006753.7在审
发明人： J·凯;J·阿尔斯迈耶;M·乔杜里;松野雷电 -专利权人：桑迪士克科技有限责任公司
申请日： 2020-03-19 - 公布日： 2021-08-17 - 主分类号： H01L27/11582 文献下载
摘要：本发明提供了一种三维存储器器件，该三维存储器器件包括位于衬底上方的源极层和漏极层的交替堆叠、竖直延伸穿过该交替堆叠的这些源极层和这些漏极层中的每一者的栅极电极、横向围绕这些栅极电极中的相应一个栅极电极的存储器膜和横向围绕这些存储器膜中的相应一个存储器膜并且连接到相应竖直相邻的一对源极层和漏极层的半导体沟道。存储器开口阵列可竖直延伸穿过该交替堆叠，并且这些栅极电极中的每个栅极电极位于这些存储器开口中的相应一个存储器开口内。
包含源极层漏极层交替堆叠竖直栅极电极三维存储器器件

[发明专利]具有包括支撑管芯的接合结构的三维器件及其制备方法-CN201980085576.3在审
发明人：西田昭夫;虫贺光昭;崔志欣;J·凯;M·乔杜里;松野光一;J·阿尔斯迈耶 -专利权人：桑迪士克科技有限责任公司
申请日： 2019-11-25 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： H01L21/18 文献下载
摘要：包括存储器元件三维阵列的存储器管芯和包括支持存储器元件三维阵列的操作的外围电路的逻辑管芯可以通过管芯到管芯接合来接合以提供接合组件。可通过形成穿过该存储器管芯或穿过该逻辑管芯的凹陷区来提供用于接合组件的外部接合焊盘，以物理地暴露互连层级介电层内的金属互连结构。这些外部接合焊盘可包括这些金属互连结构的物理暴露的子集，或者可形成在这些金属互连结构的物理暴露的子集上。另选地或除此之外，横向绝缘外部连接通孔结构可通过该接合组件形成到这些金属互连结构的多个层级。此外，延伸穿过该存储器管芯的阶梯式介电材料部分的贯穿介电外部连接通孔结构可被物理地暴露，并且可在其上形成外部接合焊盘。
具有包括支撑管芯接合结构三维器件及其制备方法

[发明专利]接合的三维存储器器件及其通过用源极层替换承载衬底的制造方法-CN201980078807.8在审
发明人： J·凯;卢庆煌;M·乔杜里;J·阿尔斯迈耶 -专利权人：桑迪士克科技有限责任公司
申请日： 2019-11-22 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：本公开提供了一种三维存储器器件，该三维存储器器件可包括形成在承载衬底上方的绝缘层和间隔物材料层的交替堆叠。间隔物材料层形成为导电层，或者随后被该导电层替换。存储器堆叠结构穿过交替堆叠形成。每个存储器堆叠结构包括相应的竖直半导体沟道和相应的存储器膜。漏极区和位线可形成在存储器堆叠结构上方以提供存储器管芯。存储器管芯可接合到逻辑管芯，该逻辑管芯包含用于支持存储器管芯内的存储器单元的操作的外围电路。通过移除承载衬底来物理地暴露竖直半导体沟道中的每个竖直半导体沟道的远侧端部。源极层直接形成在竖直半导体沟道中的每个竖直半导体沟道的远侧端部上。可在源极层上形成接合焊盘。
接合三维存储器器件及其通过用源极层替换承载衬底制造方法

[发明专利]用于从晶圆的键合组件移除体衬底的方法-CN201980078021.6在审
发明人： J·凯;M·乔杜里;松野光一;J·阿尔斯迈耶 -专利权人：桑迪士克科技有限责任公司
申请日： 2019-12-27 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： H01L27/11551 文献下载
摘要：本公开提供了第一晶圆，该第一晶圆包括第一衬底、覆盖在该第一衬底上面的第一半导体器件以及覆盖在该第一半导体器件上面的第一介电材料层。牺牲材料层形成在包括第二衬底的第二晶圆的顶表面上方。第二半导体器件和第二介电材料层形成在该牺牲材料层的顶表面上方。该第二晶圆附接到该第一晶圆，使得该第二介电材料层面向该第一介电材料层。多个空隙穿过该第二衬底形成。通过提供蚀刻剂来移除该牺牲材料层，该蚀刻剂通过该多个空隙来蚀刻该牺牲材料层的材料。在移除该牺牲材料层时，该衬底与包括该第一晶圆、该第二半导体器件和该第二介电材料层的键合组件脱离。
用于组件衬底方法

[发明专利]治疗和预防关节炎的方法和组合物-CN201580072298.X有效
发明人： H·B·孙;D·J·梁;N·J·高贝利;D·M·赫什;J·A·哈丁;K·E·斯珀林;S·K·吉姆;D·C·斯普雷;C·古哈;M·乔杜里 -专利权人：蒙特法沃医疗中心;阿尔伯特爱因斯坦医学院公司
申请日： 2015-11-02 - 公布日： 2021-06-11 - 主分类号： A61K31/12 文献下载
摘要：提供了用于治疗或预防关节炎、特别是骨关节炎的方法和制剂，其中待施用于受试者以治疗或预防关节炎的制剂包含香芹酚、姜黄素、表没食子儿茶素‑3‑没食子酸酯和低聚原花青素。本发明提供了治疗或预防有需要的受试者的关节炎如骨关节炎的方法，该方法包括向该受试者施用包含有效治疗或预防关节炎的量的香芹酚、姜黄素、表没食子儿茶素‑3‑没食子酸酯和低聚原花青素的制剂或组合物。
治疗预防关节炎方法组合

[发明专利]用于减少氮氧化物的废气处理催化剂-CN201880013068.X在审
发明人： X·郑;M·乔杜里;P·伯克;永田诚;菅野快治;中山广树 -专利权人：巴斯夫公司;恩亿凯嘉股份有限公司
申请日： 2018-02-21 - 公布日： 2019-10-29 - 主分类号： B01J29/76 文献下载
摘要：本发明提供一种有效减少氮氧化物(NO_x)的选择性催化还原(SCR)催化剂，所述SCR催化剂包含用选自铁、铜及其组合的金属促进的金属促进分子筛，其中金属以基于金属促进的分子筛的总重量以氧化物计为2.6重量％或更少的量存在。本发明还提供了催化剂制品、废气处理系统方法和处理废气料流的方法，各自包含本发明的SCR催化剂。SCR催化剂特别可用于处理稀燃汽油发动机的废气。
金属分子筛氮氧化物废气处理催化剂稀燃汽油发动机选择性催化还原废气处理系统催化剂制品废气料流有效减少氧化物可用催化剂废气

[发明专利]IR热电堆探测器-CN201380024462.0有效
发明人： F·乌德雷亚;J·加德纳;S·Z·阿里;M·乔杜里;I·波埃纳鲁 -专利权人： AMS传感器英国有限公司
申请日： 2013-05-02 - 公布日： 2018-07-13 - 主分类号： G01J5/12 文献下载
摘要：一种IR探测器以热电堆的形式被提供，该热电堆包括由硅衬底(1)支撑的介电膜(2、3、4)上的一个或多个热电偶(6、7)。每个热电偶由两种材料(6、7)组成，其中至少一种是p掺杂或n掺杂的单晶硅。该装置紧跟着内蚀刻步骤被形成在SOI工艺中。该装置比现有技术装置有益，由于单晶硅的使用减少了输出信号中的噪声，使得层的几何形状及物理特性具有更高的再造性，并且此外，SOI工艺的使用使得温度传感器和电路能够在同一芯片上制造。
单晶硅热电堆热电偶蚀刻热电堆探测器温度传感器技术装置输出信号物理特性硅衬底介电膜探测器噪声电路芯片支撑制造

[发明专利]使用RFID标签来检测和识别跳线互连的电信接线系统-CN200580047778.7无效
发明人： M·G·格尔曼;M·乔杜里;D·W·麦考利;D·L·萨特思怀特;P·T·塔克 -专利权人：北卡罗来纳科姆斯科普公司
申请日： 2005-12-06 - 公布日： 2008-03-12 - 主分类号： H04Q1/14 文献下载
摘要：一种电线接线系统包括接线板，该接线板具有多个连接器端口并且具有RFID读取器以及与连接器端口相关联的RF天线。多个跳线被配置成选择性地互连成对的连接器端口。每一个跳线都具有相对的末端以及固定到每一个末端上的相应连接器，其中该连接器被配置成可拆卸地固定在连接器端口内。用于相应跳线的每一个连接器都包括RFID标签。用于相应跳线的RFID标签具有存储在该RFID标签内的相同的唯一标识符。与连接器端口相关联的RF天线发射RF信号，该RF信号促使跳线连接器RFID标签发射其标识符。当相应的跳线连接器被插入在所述连接器端口中的相应的一个连接器端口内以及从该连接器端口中移除时，每一个RF天线检测所发射的跳线连接器RFID标签标识符。
使用 rfid 标签检测识别跳线互连电信接线系统

[发明专利]包括囊性纤维化的严重感染的治疗和控制-CN200680001429.6无效
发明人： M·乔杜里 -专利权人：维纳斯药业有限公司
申请日： 2006-05-08 - 公布日： 2007-11-28 - 主分类号： A61K31/545 文献下载
摘要：本发明提供了一种药物组合物，它包括用于同时释放两种或两种以上抗生素的抗生素组合产品，其中这两种不同的抗生素包括一种由浓度依赖性杀菌活性组成及另一种非浓度依赖性杀菌或时间依赖性杀菌活性。本发明还解决了利用药物动力学及药理学原理来优选抗生素摄入法，以提高临床治疗效果和降低耐药性的发展。在本发明的特定例子中改进了头孢他啶与妥布霉素的组合。
包括纤维化严重感染治疗控制

[发明专利]抗药性细菌感染疾病的肠胃外综合治疗-CN200680001353.7无效
发明人： M·乔杜里 -专利权人：维纳斯药业有限公司
申请日： 2006-02-08 - 公布日： 2007-11-28 - 主分类号： A61K31/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种对抗耐多药性细菌引起的非眼部感染疾病的药物复合物。复合物中含有糖肽，优选万古霉素，和头孢菌素，优选头孢曲松。这些被发现的复合物可供感染严重的住院病人肠胃外给药。本发明也特别地公开了一种含有如CVMC剂类赋形剂，注射前需使用适宜的溶剂溶解的干燥粉末状的药物复合物。已经发现本发明所述的药物复合物通常在肠胃外给药时，溶液更难生成沉淀。本发明也详述了在使用前被溶解的存储在密封容器中的剂型。本发明还提供了制备所述复合物的过程及治疗患有耐多药性细菌引起的非眼部感染疾病的病人的方法。
抗药性细菌感染疾病肠胃综合治疗

[发明专利]用于对治疗感染提供总解决方案的抗生素组合-CN200580042611.1无效
发明人： M·乔杜里 -专利权人：维纳斯药业有限公司
申请日： 2005-12-16 - 公布日： 2007-11-21 - 主分类号： A61K31/7036 文献下载
摘要：本发明涉及新的药物成分、治疗感染的方法以及制备该成分的过程。感染并发是发病率和死亡率的重要原因。院内获得性肺炎(HAP)仍然是加护病房中最严重院内感染。当绿脓杆菌和/或抗甲氧苯青霉素的金黄色葡萄球菌表示病原或共病原时，β－内酰胺单独使用始终被认为是不够的。本发明提供用于控制所有细菌感染的预期经验疗法。本发明通过肠胃外剂型提供用于释放至少两种不同抗生素的抗生素组合，其中包括作为氨基羟丁基卡那霉素或者其硫酸盐的蛋白质合成抑制抗生素以及作为头孢吡肟或者其氯化氢盐的非蛋白质合成抑制抗生素。本发明提供对于抗多种抗生素绿脓杆菌或不动杆菌属某些种和/或抗甲氧苯青霉素的金黄色葡萄球菌的总解决方案，并且可用于作为抗生素对患有急性或严重感染的住院患者肌肉或静脉给药。本文所述的药物成分通常具有最小中毒性肾损害，并且具有头孢吡肟加氨基羟丁基卡那霉素组合的更好的功效及安全性。
用于治疗感染提供解决方案抗生素组合

[发明专利]非水液体肠胃外醋氯芬酸配方-CN200580039565.X无效
发明人： M·乔杜里 -专利权人：维纳斯药业有限公司
申请日： 2005-10-19 - 公布日： 2007-10-24 - 主分类号： A61K9/08 文献下载
摘要：公开一种非水液体肠胃外可释放药物配方、以及更具体来说是包括选择性NSAID醋氯芬酸的非水液体肠胃外醋氯芬酸配方。还公开了准备醋氯芬酸配方的过程、剂量的治疗剂型和存储、以及治疗具有其中需要采用NSAID的治疗的疾病或障碍的对象的方法。通过转换醋氯芬酸所形成的双氯芬酸由非水增溶剂增溶，它们相对于这种转换实质上是不活动的。该成分具有用于抑制醋氯芬酸的沉淀的醋氯芬酸盐稳定剂。本发明所公开的成分在以室温以及以冷藏温度存储时是稳定的。本发明所公开的成分无论是现成使用还是需要在给药之前稀释，均可通过本文公开的不昂贵过程来制备。
液体肠胃外醋氯芬酸配方

1
2
下一页»
尾页
共 17 条