[发明专利]用以读取经由交错式两遍数据编程技术粗略编程的存储器单元的简化操作在审

专利信息
申请号: 202111418849.7 申请日: 2021-11-25
公开(公告)号: CN114649039A 公开(公告)日: 2022-06-21
发明(设计)人: P·S·阮;J·菲兹帕特里克;K·K·姆奇尔拉 申请(专利权)人: 美光科技公司
主分类号: G11C16/34 分类号: G11C16/34;G11C16/10;G11C29/42
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 彭晓文
地址: 美国爱*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 本申请案中的实施例涉及用以读取经由交错式两遍数据编程技术粗略编程的存储器单元的简化操作。存储器系统用以在存储器单元中存储多个数据位。在接收到所述数据位之后,存储器装置根据位值的组合与阈值电平之间的映射将所述存储器单元的阈值电压粗略地编程到表示位值的组合的第一电平。所述阈值电平被分成多个组,每一组含有所述阈值电平的子集。为所述存储器单元确定所述多个组当中含有所述第一电平的第一组的组标识。所述存储器装置使用所述组标识从所述第一存储器单元读回所述数据位的子集,并且将所述组标识的所述位与所述子集组合以恢复整个数据位集以精细编程所述存储器单元的所述阈值电压以表示所述数据位。
搜索关键词: 用以 读取 经由 交错 式两遍 数据 编程 技术 粗略 存储器 单元 简化 操作
【主权项】:
暂无信息
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