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[发明专利]使用一个或多个无定形碳硬模层来处理基板的方法、系统和装置-CN202280019632.5在审
发明人： K·尼塔拉;S·M·博贝克;K·D·李;R·林杜尔派布恩;K·基欧希斯;K·嘉纳基拉曼 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2022-02-14 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：各方面总体上涉及用于使用一个或多个无定形碳硬模层处理基板的方法、系统和装置。在一方面中，改变膜应力同时促进增强的蚀刻选择性。在一种实施方式中，一种处理基板的方法包括将一个或多个无定形碳硬模层沉积到基板上，以及在沉积一个或多个无定形碳硬模层之后在基板上进行快速热退火操作。快速热退火操作持续达60秒或更短的退火时间。快速热退火操作包括将基板加热到在600摄氏度至1,000摄氏度的范围内的退火温度。所述方法包括在进行快速热退火操作之后蚀刻基板。
使用一个无定形碳硬模层来处理方法系统装置

[发明专利]用于处理基板的方法-CN202010489010.1有效
发明人： P·K·库尔施拉希萨;K·D·李;金柏涵;Z·J·叶;S·P·贝赫拉;G·巴拉苏布拉马尼恩;J·C·罗查-阿尔瓦雷斯;J·J·陈 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2015-07-07 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明涉及用于处理基板的方法。所公开的技术用于在处理腔室中提高击穿电压、同时在超过约300摄氏度的温度下大幅减少静电夹盘的电压泄漏的方法和设备。
用于处理方法

[发明专利]处理腔室沉积限制-CN202180082431.5在审
发明人： S·M·博贝克;V·S·C·帕里米;S·河;K·D·李 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-10-18 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： C23C16/458 文献下载
摘要：示例性半导体处理系统可以包括腔室主体，该腔室主体包括侧壁和基部。该系统可包括延伸穿过腔室主体基部的基板支撑件。腔室主体可限定通路，该通路在该腔室主体的该基部处绕该基板支撑件周向地延伸。该系统可包括设置在腔室主体内的一个或多个隔离器。一个或多个隔离器可在一个或多个隔离器与腔室主体之间限定排放路径。排放路径可延伸到腔室主体的基部。该系统可包括流体源，该流体源在绕该基板支撑件延伸的该通路处与该腔室主体流体地耦接。
处理沉积限制

[发明专利]在基板和腔室部件上沉积金属硅化物层-CN201880031496.5有效
发明人： P·K·库尔施拉希萨;王家锐;K·D·李;M·嘉德瑞;X·闵;P·康纳斯 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2018-05-11 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：本公开的实施方式大体上涉及用于在基板和腔室部件上沉积金属硅化物层的方法和装置。在一个实施方式中，形成硬掩膜的方法包括：将具有目标层的基板定位在处理腔室内、在所述目标层上形成包括金属硅化物的种晶层和在所述种晶层上沉积钨基主体层，其中所述金属硅化物层和所述钨基主体层形成硬掩膜。在另一实施方式中，调节等离子体处理腔室的部件的方法包括：使包括氩气或氦气的惰性气体从气体施加器流动到所述等离子体处理腔室中、使基板支撑件暴露于所述等离子体处理腔室内的等离子体和在所述基板支撑件的铝基表面上形成包括金属硅化物的陈化层。
部件沉积金属硅化物层

[发明专利]用于间隙填充的非晶碳-CN202180069575.7在审
发明人：闵笑全;K·D·李 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-09-22 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： C23C16/04 文献下载
摘要：描述了用于在基板上沉积非晶碳层和用于用非晶碳间隙填充来填充基板特征的方法。所述方法包括执行沉积循环，所述沉积循环包括以下步骤：将烃源引入处理腔室；将等离子体引发气体引入处理腔室；在处理腔室中在大于600℃的温度下产生等离子体；以大于200nm/小时的沉积速率在基板上形成非晶碳层；以及净化处理腔室。
用于间隙填充非晶碳

[发明专利]原位陶瓷涂层沉积的方法-CN202180063009.5在审
发明人： S·M·博贝克;A·A·哈贾;R·林杜尔派布恩;K·D·李 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-09-17 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C23C16/56 文献下载
摘要：本公开内容涉及一种用于原位陈化处理腔室部件(诸如电极)的方法。所述方法包括在所述处理腔室部件上方沉积硅氧化物膜并将所述硅氧化物膜转化为含硅碳膜。所述含硅碳膜在所述处理腔室部件上方形成保护膜并耐受等离子体处理和/或干法蚀刻清洁。所述涂层具有高密度、良好的发射率控制并降低器件性质漂移的风险。
原位陶瓷涂层沉积方法

[发明专利]高蚀刻选择性非晶碳膜-CN202180059228.6在审
发明人： R·普拉萨德;S·博贝克;P·K·库尔施拉希萨;K·D·李;H·怀特赛尔;押尾英隆;李铜衡;D·M·拉杰米特尔;S·福克;V·R·查瓦 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-07-21 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： C23C16/505 文献下载
摘要：提供了用于在基板上沉积非晶碳膜的方法和技术。在一个示例中，方法包括在第一处理区域中的位于基座上的底层上沉积非晶碳膜。方法进一步包括在第二处理区域中将掺杂剂或惰性物种注入到非晶碳膜中。在一些组合中的注入物种、能量、剂量以及温度可用以增强硬模硬度。方法进一步包括将经掺杂的非晶碳膜图案化。方法进一步包括蚀刻底层。
蚀刻选择性非晶碳膜

[发明专利]高压缩/拉伸的翘曲晶片上的厚钨硬掩模膜沉积-CN201780056070.0有效
发明人：王家锐;P·K·库尔施拉希萨;E·文卡塔苏布磊曼聂;S·S·罗伊;K·D·李 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2017-09-05 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：本公开的实施方案总体上是关于集成电路的制造。更特定而言，本文所述的实施方案提供用于在基板上沉积厚硬掩模膜的技术。在一个实施方案中，提供在基板上形成硬掩模层的方法。该方法包含以下步骤：将卡紧电压施加到位于处理腔室中的静电卡盘上的基板，通过在处理腔室中供应种晶层气体混合物并同时维持卡紧电压而在设置于基板上的膜堆层上形成包含硼的种晶层，通过在处理腔室中供应过渡层气体混合物而在种晶层上形成包含硼与钨的过渡层，以及通过在处理腔室中供应主沉积气体混合物而在过渡层上形成块状硬掩模层。
压缩拉伸晶片厚钨硬掩模膜沉积

[发明专利]超高模量与蚀刻选择性的硼-碳硬掩模膜-CN201811561845.2有效
发明人： P·K·库尔施拉希萨;段子青;K·T·纳拉辛哈;K·D·李;金柏涵 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2016-08-11 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本公开的实施例大体而言涉及集成电路制造。更具体而言，本文所述实施例提供用于在基板上沉积硼‑碳膜的技术。在一实施例中，提供处理基板的方法。方法包含使含烃气体混合物流动至具有基板定位于内的处理腔室的处理容积，其中基板经加热达约400℃至约700℃的基板温度；使含硼气体混合物流动至处理容积；及在处理容积内产生RF等离子体，以于加热基板上沉积硼‑碳膜，其中硼‑碳膜具有约200GPa至约400GPa的弹性模量和约‑100MPa至约100MPa的应力。
超高蚀刻选择性碳硬掩模膜

[发明专利]在高温下去除处理腔室中的硼-碳残留物的清洁工艺-CN201780033498.3有效
发明人：毕峰;P·K·库尔施拉希萨;K·D·李;P·康纳斯 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2017-06-16 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明的实施方式总体涉及使用水蒸汽等离子体处理从处理腔室的表面去除硼‑碳层的方法。在一个实施方式中，一种用于清洁处理腔室的表面的方法包括：将底座定位在距喷头的第一距离处，和将沉积的硼碳层暴露于第一等离子体工艺，其中所述第一等离子体工艺包括通过偏置设置在所述底座上的所述喷头来产生包括水蒸汽和第一载气的等离子体，和将所述底座定位在距所述喷头的第二距离处，和将所述沉积的硼‑碳层暴露于第二等离子体工艺，其中所述第二等离子体工艺包括通过偏置所述喷头并相对于所述喷头偏置侧部电极来产生包括水蒸汽和第二载气的等离子体。
高温去除处理中的残留物清洁工艺

[发明专利]掺杂氮的碳硬模膜-CN202180030852.3在审
发明人：闵笑全;许璐;P·K·库尔施拉希萨;K·D·李 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-02-11 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本文公开了一种用于形成碳硬模以改善沉积均匀性和蚀刻选择性的方法和设备。碳硬模可在PECVD处理腔室中形成，并且碳硬模是掺杂氮的碳硬模。使用含氮气体、含氩气体和碳氢化合物气体来形成掺杂氮的碳硬模。
掺杂碳硬模膜

[发明专利]超高模量与蚀刻选择性的硼-碳硬掩模膜-CN201680056619.1有效
发明人： P·K·库尔施拉希萨;段子青;K·T·纳拉辛哈;K·D·李;金柏涵 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2016-08-11 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本公开的实施例大体而言涉及集成电路制造。更具体而言，本文所述实施例提供用于在基板上沉积硼‑碳膜的技术。在一实施例中，提供处理基板的方法。方法包含使含烃气体混合物流动至具有基板定位于内的处理腔室的处理容积，其中基板经加热达约400℃至约700℃的基板温度；使含硼气体混合物流动至处理容积；及在处理容积内产生RF等离子体，以于加热基板上沉积硼‑碳膜，其中硼‑碳膜具有约200GPa至约400GPa的弹性模量和约‑100MPa至约100MPa的应力。
超高蚀刻选择性碳硬掩模膜

[发明专利]使用不同编译设置的代码的即时JIT编译实例-CN202110390847.5在审
发明人： B·J·克恩;P·J·孟德格雷尔;E·E·爱勒特逊;K·D·李 -专利权人：慧与发展有限责任合伙企业
申请日： 2021-04-12 - 公布日： 2022-05-03 - 主分类号： G06F9/448 文献下载
摘要：本公开涉及使用不同编译设置的代码的即时JIT编译实例。在一些示例中，即时JIT控制指令在执行时使系统启动由程序调用的第一代码的JIT编译的多个实例，其中，对第一代码的JIT编译的多个实例的启动是在程序外部的JIT控制指令的控制下进行的，并且第一代码的JIT编译的多个实例使用相应的不同的编译设置并要产生第一代码的相应JIT编译实例。
使用不同编译设置代码即时 jit 实例

[发明专利]减少腔室残留物的方法-CN202080043412.7在审
发明人：胡良发;P·K·库尔施拉希萨;A·M·帕特尔;A·A·哈贾;V·卡尔塞卡尔;V·K·普拉巴卡尔;S·T·B·托卡奇丘;B·S·权;R·林杜尔派布恩;K·D·李;G·巴拉苏布拉马尼恩 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2020-04-24 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本公开涉及用于在处理腔室中的基板处理期间减少硬件残留物的形成并最小化二次等离子体形成的系统和方法。处理腔室可包含气体分配构件，所述气体分配构件被配置成使第一气体流入处理容积并从第一气体产生等离子体。第二气体被供应到处理容积的下部区域中。此外，排气端口设置在下部区域中以在处理期间或之后从处理容积移除过量的气体或副产物。
减少残留物方法

[发明专利]在等离子体增强化学气相沉积系统中高温下使用压缩应力或拉伸应力处理晶片的方法和装置-CN202111232228.X在审
发明人： Z·J·叶;J·D·平森二世;塙广二;周建华;林兴;段仁官;K·D·李;金柏涵;S·P·贝海拉;S·哈;G·巴拉苏布拉马尼恩;J·C·罗查-阿尔瓦雷斯;P·K·库尔施拉希萨;J·K·福斯特;M·斯利尼瓦萨恩;U·P·哈勒;H·K·博尼坎帝 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2015-08-12 - 公布日： 2022-01-25 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本公开的实施例提供了一种用于在高温下维持在等离子体反应器中处理的基板的平坦度的静电卡盘。在一个实施例中，所述静电卡盘包括：耦接到支撑杆的卡盘主体，所述卡盘主体具有基板支撑表面，并且所述卡盘主体在约250℃至约700℃的温度下具有约1×107ohm‑cm至约1×1015ohm‑cm的体电阻率值；以及电极，所述电极嵌在所述主体中，所述电极耦接到电源。在一个示例中，所述卡盘主体由氮化铝材料组成，已经观察到氮化铝材料在沉积或蚀刻工艺、或者使用高操作温度和基板夹持特征两者的任何其他工艺期间，能够在约600℃或更高温度下优化卡持性能。
等离子体增强化学沉积系统高温使用压缩应力拉伸处理晶片方法装置

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