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[发明专利]用于控制在由嵌段共聚物和聚合物的混合物获得的膜中的缺陷率的方法-CN201580048764.0有效
发明人： C.纳瓦罗;C.尼科利特;X.切瓦利耶 -专利权人：阿科玛法国公司
申请日： 2015-09-09 - 公布日： 2020-12-22 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：本发明涉及用于控制在使用沉积在表面上的包括嵌段共聚物和聚合物的混合物的组合物获得的膜中的缺陷率的方法。所述聚合物包括至少一种与所述嵌段共聚物的任一嵌段中存在的单体相同的单体。
用于控制共聚物聚合物混合物获得中的缺陷方法

[发明专利]用于控制包括嵌段共聚物的共混物的纳米结构化组合体的周期的方法-CN201480049611.3有效
发明人： C.纳瓦罗;X.希瓦利埃;C.尼科利特;I.伊利奥普洛斯;R.蒂朗;G.弗勒里;G.哈齐约安努 -专利权人：阿科玛法国公司;国家科学研究中心;波尔多大学;波尔多理工学院
申请日： 2014-09-05 - 公布日： 2020-12-22 - 主分类号： C09D153/00 文献下载
摘要：本发明涉及用于控制包括沉积在表面上或者在模具中的嵌段共聚物的共混物的纳米结构化组装体的周期的方法。嵌段共聚物的特征在于，该嵌段共聚物具有至少一种相同的嵌段共聚物每一嵌段各自的构成单体，但呈现不同的分子量。所述控制方法的目标在于获得几乎没有纳米结构缺陷的膜或物品的厚度，该厚度对于经处理的表面是足够大的，以使所述经处理的表面能够用作在微电子应用中使用的掩膜，或者对于由此获得的物品是足够大的以呈现先前未公布的机械、声学或光学特性。
用于控制包括共聚物共混物纳米结构组合周期方法

[发明专利]用于制造由嵌段共聚物成分获得的厚的纳米结构化膜的方法-CN201480049607.7有效
发明人： C.纳瓦罗;X.希瓦利埃;C.尼科利特;I.伊利奥普洛斯;R.蒂朗;G.弗勒里;G.哈齐约安努 -专利权人：阿科玛法国公司;国家科学研究中心;波尔多大学;波尔多理工学院
申请日： 2014-09-05 - 公布日： 2020-11-10 - 主分类号： C09D153/00 文献下载
摘要：本发明涉及用于在表面上无纳米结构缺陷地制造由嵌段共聚物获得的纳米结构化膜的方法，所述嵌段共聚物呈现在1.1和2之间的分散度指数(包括界限)，从而使该经处理的表面能够用作在微电子应用中使用的掩模。
用于制造共聚物成分获得纳米结构方法

[发明专利]嵌段共聚物的合成的方法和其在纳米光刻中的应用-CN201580068369.9有效
发明人： C.纳瓦罗;C.尼科利特;X.舍瓦利耶 -专利权人：阿科玛法国公司
申请日： 2015-12-15 - 公布日： 2020-05-12 - 主分类号： C08F297/02 文献下载
摘要：控制包含至少两个嵌段的嵌段共聚物的合成的方法，所述至少两个嵌段包括至少一个非极性嵌段和至少一个极性嵌段，所述方法使得可特别地控制嵌段之间的比率和各嵌段的分子量，所述共聚物为意图通过直接自组装件(DSA)用作纳米光刻方法中的掩模的嵌段共聚物，所述控制是通过在非质子非极性介质中的半连续阴离子聚合实现的并且包括下列步骤：‑合成大分子引发剂形式的第一非极性嵌段，‑通过在非质子非极性溶剂中混合先前合成的大分子引发剂与碱金属醇盐而制备所述先前合成的大分子引发剂的溶液，‑在非质子非极性溶剂中制备极性单体的溶液，‑以恒定的流量比，将两种先前制备的大分子引发剂和极性单体的溶液注入连接至聚合反应器的微混合器中，‑收取所获得的共聚物。
共聚物合成方法纳米光刻中的应用

[发明专利]用于在基底上制造嵌段共聚物膜的方法-CN201480075435.0有效
发明人： G.弗洛瑞;C.纳瓦罗;G.哈德兹奥安诺;C.尼科利特;X.希瓦利埃;C.雷布尔;V.卡斯蒂略;G.佩卡斯泰恩格斯 -专利权人：阿科玛法国公司;波尔多大学;波尔多理工学院;国家科学研究中心
申请日： 2014-12-10 - 公布日： 2019-08-16 - 主分类号： C08J9/26 文献下载
摘要：本发明涉及用于在基底上制造自组装的嵌段共聚物膜的方法，所述方法由以下构成：借助于含不同化学性质且不混溶的嵌段共聚物和统计共聚物的混合物的溶液同时沉积嵌段共聚物和统计共聚物，然后实施退火处理以便促进嵌段共聚物的自组装体固有的相偏析。
用于基底制造共聚物方法

[发明专利]用于控制表征由嵌段共聚物和嵌段之一的(共)聚合物的共混物获得的形态的周期的方法-CN201480052279.6有效
发明人： C.纳瓦罗;X.希瓦利埃;C.尼科利特 -专利权人：阿科玛法国公司
申请日： 2014-07-18 - 公布日： 2019-06-04 - 主分类号： C08J5/18 文献下载
摘要：本发明涉及采用特别的方式进行嵌段共聚物和所述嵌段之一的(共)聚合物的共混物的合成来控制表征在表面上的从嵌段共聚物和所述嵌段之一的(共)聚合物的共混物获得的形态的周期的方法。
用于控制表征共聚物之一聚合物共混物获得形态周期方法

[发明专利]控制基底表面能的方法-CN201580008266.3有效
发明人： C.纳瓦罗;C.尼科利特;X.希瓦利埃 -专利权人：阿科玛法国公司
申请日： 2015-02-06 - 公布日： 2018-12-25 - 主分类号： C09D153/00 文献下载
摘要：本发明涉及控制基底的表面能以可获得随后沉积在所述表面上的嵌段共聚物膜的纳米畴的特定取向的方法，所述方法特征在于，其包括下列步骤：制备聚合物的共混物，聚合物各自包括至少一个容许将其接枝到所述基底的表面或在所述基底的表面上进行交联的官能团，将由此制备的共混物沉积到所述基底的表面上，实施如下处理：其导致所述共混物的各聚合物接枝到所述基底的表面或者在所述基底的表面上进行交联。
控制基底表面方法

[发明专利]允许通过嵌段共聚物的自组装产生纳米结构体的方法-CN201480068283.1有效
发明人： M.马姆塔兹;K.艾苏;C.布罗乔恩;E.克劳泰特;G.弗洛瑞;G.哈德齐奥阿诺;C.纳瓦罗;C.尼科利特;X.希瓦利埃 -专利权人：阿科玛法国公司;国家科学研究中心;波尔多理工学院;波尔多大学
申请日： 2014-12-11 - 公布日： 2018-11-27 - 主分类号： C09D153/00 文献下载
摘要：本发明涉及允许通过嵌段共聚物的自组装产生纳米(nanometric)结构体的方法，其中所述嵌段中的至少一种来自包括至少一种符合式I的环状实体的单体的聚合，其中X＝Si(R₁,R₂)，Ge(R₁,R₂)；Z＝Si(R₃,R₄)，Ge(R₃,R₄)，O，S，C(R₃,R₄)；Y＝O，S，C(R₅,R₆)；且T＝O，S，C(R₇,R₈)；其中，R₁、R₂、R₃、R₄、R₅、R₆、R₇、R₈选自氢，具有或不具有杂原子的直链、支链、环状烷基基团，和具有或不具有杂原子的芳族基团。
允许通过共聚物组装产生纳米结构方法

[发明专利]减少嵌段共聚物的有序膜中的缺陷的方法-CN201680078180.2在审
发明人： C.纳瓦罗;C.尼科利特;X.舍瓦利耶 -专利权人：阿科玛法国公司
申请日： 2016-12-16 - 公布日： 2018-08-28 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种减少沉积在表面上的包含嵌段共聚物(BCP)的组合物的有序膜中的缺陷数量而不降低其他关键结构化参数(动力学、厚度、临界尺寸均匀性)的方法，无论纳米畴的取向如何(垂直于基底，平行于基底等)；该组合物具有在10.5和40之间的χ有效*N的乘积(其中χ有效＝所考虑的嵌段之间的弗洛里哈金斯参数，且N为这些嵌段的总聚合度)。
嵌段共聚物基底嵌段临界尺寸均匀性关键结构动力学聚合度取向沉积平行垂直

[发明专利]用于降低嵌段共聚物膜的缺陷率的方法-CN201680044441.9在审
发明人： X.舍瓦利耶;C.尼科利特;C.纳瓦罗;G.哈德齐奥安努 -专利权人：阿科玛法国公司;波尔多理工学院;波尔多大学;国家科学研究中心
申请日： 2016-05-26 - 公布日： 2018-03-27 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：本发明涉及用于降低嵌段共聚物膜(BCP1)的缺陷率的方法，所述嵌段共聚物膜(BCP1)的底表面与基底(S)的预中性化的表面(N)接触且所述嵌段共聚物膜(BCP1)的顶表面覆盖有顶表面中性化层(TC)，以得到垂直于底界面和顶界面两者的所述嵌段共聚物(BCP1)的纳米畴的取向，所述方法的特征在于为了覆盖嵌段共聚物膜(BCP1)的顶表面而实施的所述顶表面中性化层(TC)由第二前端共聚物(BCP2)构成。
用于降低共聚物缺陷方法

[发明专利]用于控制嵌段共聚物和另外化合物之间的界面处的表面能的方法-CN201680039637.9在审
发明人： X.舍瓦利耶;C.尼科利特;C.纳瓦罗;G.哈德齐奥安努 -专利权人：阿科玛法国公司;国家科学研究中心;波尔多理工学院;波尔多大学
申请日： 2016-05-26 - 公布日： 2018-02-23 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：本发明涉及用于控制嵌段共聚物(BCP1)的顶部界面处的表面能的方法，以便获得垂直于顶部界面和底部界面两者的所述嵌段共聚物(BCP1)的纳米畴取向，所述嵌段共聚物(BCP1)的底部界面与基底的预中性化的表面接触，所述方法在于用上表面中性化层(TC)覆盖所述嵌段共聚物(BCP1)的上表面，且所述方法的特征在于所述上表面中性化层(TC)由第二嵌段共聚物(BCP2)组成。
用于控制共聚物另外化合物之间界面表面方法

[发明专利]用于减少由嵌段共聚物制成的有序膜的组装时间的方法-CN201680017300.8在审
发明人： X.舍瓦利耶;R.伊努布利;C.纳瓦罗;C.尼科利特 -专利权人：阿科玛法国公司
申请日： 2016-01-21 - 公布日： 2017-12-01 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：本发明涉及用于减少包括嵌段共聚物(BCP)的有序膜的组装时间的方法。本发明也涉及用于制造所述有序膜的组合物，和涉及由此制造的有序膜，其特别地可用作光刻领域中的掩模。
用于减少共聚物制成有序组装时间方法

[发明专利]用于制造包括嵌段共聚物的厚的且高周期的有序膜的方法-CN201680017307.X在审
发明人： X.舍瓦利耶;R.伊努布利;C.纳瓦罗;C.尼科利特 -专利权人：阿科玛法国公司
申请日： 2016-01-21 - 公布日： 2017-12-01 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：本发明涉及用于制造厚(典型地>20nm)的和在纳米尺度上高周期(典型地>10nm)的有序膜的方法，所述有序膜包括嵌段共聚物(BCP)。本发明也涉及用于制造所述厚的有序膜的组合物，和涉及由此制造的有序膜，其可特别地用作光刻领域中的掩模。
用于制造包括共聚物周期有序方法

[发明专利]用于减少由嵌段共聚物制成的有序膜中的缺陷的方法-CN201680017316.9在审
发明人： X.舍瓦利耶;R.伊努布利;C.纳瓦罗;C.尼科利特 -专利权人：阿科玛法国公司
申请日： 2016-01-21 - 公布日： 2017-12-01 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：本发明涉及用于减少包括嵌段共聚物(BCP)的有序膜中的缺陷数量的方法。本发明也涉及用于制造所述有序膜的组合物，和涉及由此制造的有序膜，其特别地可用作光刻领域中的掩模。
用于减少共聚物制成有序中的缺陷方法

[发明专利]用于改善嵌段共聚物的有序膜的关键尺寸均匀性的方法-CN201680017108.9在审
发明人： C.纳瓦罗;C.尼科利特;R.伊努布利;X.舍瓦利耶 -专利权人：阿科玛法国公司
申请日： 2016-01-21 - 公布日： 2017-11-28 - 主分类号： C08L53/00 文献下载
摘要：本发明涉及用于在纳米尺度上控制嵌段共聚物的有序膜的关键尺寸均匀性的方法。本发明还涉及用于控制嵌段共聚物的有序膜的关键尺寸均匀性的组合物，和涉及由此获得的有序膜，所述有序膜特别地可用作光刻领域中的掩模。
用于改善共聚物有序关键尺寸均匀方法

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