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[发明专利]用于数据传输的有机薄膜-CN202211446264.0在审
发明人： B·C·马林;J·D·埃克顿;S·V·R·皮耶塔姆巴拉姆;K·达尔马韦卡尔塔 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2022-11-18 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H10K50/844 文献下载
摘要：本文公开的是在微电子封装上使用光学信令的有机半导体以及制造所述有机半导体的方法。所述微电子封装可以包括衬底、接受器、供应器和阻焊剂层。所述衬底可以包括迹线。所述接受器可以与所述迹线电连通。所述供应器可以连接到所述接受器。所述阻焊剂层可以连接到所述衬底并且包封至少所述接受器的一部分。
用于数据传输有机薄膜

[发明专利]包括采用不同焊料材料的互连的微电子组件-CN202211545075.9在审
发明人： J·埃克顿;J·M·甘巴;B·C·马林;S·V·皮耶塔姆巴拉姆;孙小轩;O·G·卡尔哈德;X·F·布龙;Y·李;S·纳德;单博涵;陈昊博;段刚 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2022-11-21 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L23/482 文献下载
摘要：本文公开了微电子组件、相关装置和方法。在一些实施例中，一种微电子组件可以包括：位于第一层中的具有第一表面和相反的第二表面的第一管芯；位于第一层上的重新分布层(RDL)，其中，该RDL包括导电过孔，所述导电过孔具有朝向该RDL的第一表面的较大宽度和朝向该RDL的相反的第二表面的较小宽度；其中，该RDL的第一表面通过具有第一焊料的第一焊料互连电耦合至第一管芯的第二表面；以及位于该RDL上的第二层中的第二管芯，其中，第二管芯通过具有第二焊料的第二焊料互连电耦合至该RDL，其中，第二焊料不同于第一焊料。
包括采用不同焊料材料互连微电子组件

[发明专利]高带宽光互连架构-CN202180070904.X在审
发明人： S·V·皮耶塔姆巴拉姆;B·C·马林;S·派塔尔;S·瓦德利马尼;R·N·马内帕利;X·李;S·V·波图库迟;S·沙兰;A·萨卡尔;O·卡尔哈德;N·德什潘德;D·普拉塔普;J·埃克顿;D·马利克;R·V·马哈詹;张志超;K·艾京;B·聂;K·达尔马韦卡尔塔;J·E·若斯;J·M·甘巴;B·K·卡斯珀;段刚;R·印蒂;M·曼苏里;S·贾达夫;K·布朗;A·阿格拉瓦尔;P·多布里亚尔 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2021-09-09 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L31/0203 文献下载
摘要：本文中公开的实施例包括光学封装。在实施例中，光学封装包括封装基板以及耦合到封装基板的光子管芯。在实施例中，计算管芯耦合到封装基板，其中，光子管芯通过位于封装基板中的桥通信地耦合到计算管芯。在实施例中，光学封装还包括嵌入在封装基板中的光波导。在实施例中，光波导的第一端位于光子管芯下方，并且光波导的第二端与封装基板的边缘基本上共面。
带宽互连架构

[发明专利]在相同的堆积层上具有定制的可变金属厚度的电子封装架构-CN202211012308.9在审
发明人： J·D·埃克顿;K·达马维卡塔;S·娜德;O·奥杰达;聂白;B·C·马林;段刚;J·韦洪斯基;O·奥兹坎;N·S·海恩 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2022-08-23 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本文中公开的实施例包括电子封装以及形成此类电子封装的方法。在实施例中，电子封装包括多个堆叠层。在实施例中，第一迹线在第一层上，其中，第一迹线具有第一厚度。在实施例中，第二迹线在第一层上，其中，第二迹线具有大于第一厚度的第二厚度。在实施例中，第二层在第一迹线和第二迹线之上。
相同堆积具有定制可变金属厚度电子封装架构

[发明专利]磁感应器设备和方法-CN202211002826.2在审
发明人：宁鑫;B·C·马林;K·O·李;S·K·阿卢尔;N·艾哈迈德;B·威廉姆斯;M·斯图尔特;N·欧;C·库里亚沙 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2022-08-19 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：显示了衬底中的传输路径和相关联的方法。示例传输路径包括：具有芯的半导体衬底、固定在芯上的电介质层、延伸穿过电介质层和芯中的至少一个的至少一个第一电传输路径。第一路径包括：设置在至少一个第一电传输路径的至少芯内的磁性材料、延伸穿过磁性材料的至少一个第二电传输路径、设置在至少第二电传输路径内的磁性材料的内圆周表面上的镍层、设置在第二电传输路径内的至少镍层上的铜层。电介质间隔体或镍层将铜层与磁性材料分离。至少一个第三路径延伸穿过电介质层和芯中的至少一个，至少一个第三路径与至少一个电传输路径分离。
感应器设备方法

[发明专利]将玻璃通孔的金属焊盘与玻璃表面分隔开的电介质层-CN202210986612.7在审
发明人： S·V·皮耶塔姆巴拉姆;S·派塔尔;K·达尔马韦卡尔塔;田中宏树;B·C·马林;J·D·埃克顿;段刚 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2022-08-17 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本文描述的实施例可以涉及与封装中的衬底之内的玻璃芯相关的设备、工艺和技术，所述玻璃芯具有填充有导电材料的一个或多个玻璃通孔(TGV)，以将玻璃芯的第一侧与玻璃层的与第一侧相对的第二侧电耦接。也是导电材料的焊盘与TGV的导电材料的第一和/或第二端电和物理耦接。电介质材料层在制造、处置和/或操作期间位于焊盘的至少一部分和玻璃芯的位于焊盘和玻璃芯之间的表面之间，以有助于减小玻璃芯中的应力裂缝。可以描述和/或主张其他实施例。
玻璃金属表面隔开电介质

[发明专利]包含倒置玻璃中介层的精细凸块间距管芯到管芯平铺-CN202210890269.6在审
发明人： J·D·埃克顿;B·C·马林;S·V·皮耶塔姆巴拉姆;S·纳德;L·阿拉纳 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2022-07-27 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本文公开的实施例包括电子封装和组装这种电子封装的方法。在实施例中，电子封装包括包含玻璃的第一层。在实施例中，穿过第一层形成导电柱，并且内建层堆叠体在在第一层上。在实施例中，穿过内建层堆叠体提供导电布线。在实施例中，第二层在内建层堆叠体的与玻璃层相反的表面上方。本公开内容涉及包含倒置玻璃中介层的精细凸块间距管芯到管芯平铺。
包含倒置玻璃中介精细间距管芯平铺

[发明专利]实现混合接合和自对准模板的贴片封装架构-CN202210960768.8在审
发明人： J·埃克顿;段刚;S·V·皮耶塔姆巴拉姆;B·C·马林;聂白 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2022-08-11 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：提供了一种微电子组件的衬底，衬底包括穿过有机电介质的导电迹线，以及包括硅和氧的涂层。衬底被配置为通过穿过涂层的至少一个或多个导电过孔与部件电和机械耦合，导电过孔电连接到导电迹线，使得在耦合时，涂层在有机电介质和部件之间。在一些实施例中，部件包括另一涂层，另一涂层包括硅和氧，导电过孔穿过第二涂层。衬底的导电过孔和涂层被配置为分别与部件的导电过孔和涂层结合以形成混合接合。
实现混合接合对准模板封装架构

[发明专利]用于实现精细间距管芯拼铺的玻璃核心向电子衬底中的集成-CN202210966785.2在审
发明人： J·D·埃克顿;B·C·马林;A·阿列克索夫;S·V·皮耶塔姆巴拉姆;L·阿拉纳 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2022-08-12 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本文公开的实施例包括封装衬底。在实施例中，封装衬底包括具有第一表面和第二表面的核心，其中，所述核心包括玻璃。在实施例中，第一过孔穿过所述核心，其中，第一过孔包括导电材料，并且膜位于核心的第一表面之上，其中，膜是粘合剂。在实施例中，第二过孔穿过膜，其中，第二过孔包括导电材料，其中，第二过孔接触第一过孔。在实施例中，第二过孔的中心线与第一过孔的中心线对准。在实施例中，构建层位于膜之上。
用于实现精细间距管芯玻璃核心电子衬底中的集成

[发明专利]用于多个层之上的对准过孔的技术-CN202210546872.2在审
发明人：刘昌华;L·R·阿拉纳;J·D·埃克顿;S·纳德;B·C·马林 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2022-05-18 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：公开了用于低错位或零错位过孔的技术。在一个实施例中，向衬底施加高光敏度层、中等光敏度层和低光敏度层，并且同时利用多色调掩模对这些层曝光。在受到显影之后，一个层形成了用于第一过孔的模制物，一个层形成了用于导电迹线和第二过孔的模制物，并且一个层形成了在第二过孔的位置之上伸出物。利用铜填充由这些光敏层形成的模制物，并且然后对其进行蚀刻。伸出物防止位于伸出物区域下方的铜填充物的顶部受到蚀刻。照此，位于伸出物之下的区域在蚀刻之后形成了可以被用作过孔的支柱或立柱。还公开了其他实施例。
用于多个层之上对准技术

[发明专利]多个光信号转换成和转换自具有多个偏振的单个波长以增加光学带宽-CN202111376377.3在审
发明人： K·侯赛尼;C·欧基夫;B·C·马林;田中宏树 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2021-11-19 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： G02B6/27 文献下载
摘要：本文描述的实施例可以涉及与双偏振小芯片相关的装置、过程和技术，所述双偏振小芯片可以由光接收器使用以将在单条光纤上传播并承载两个或更多个光信号的多偏振光划分到两条或更多条光纤中，每条光纤承载特定光信号。双偏振小芯片还可以由光发射器使用以组合要被传送到单条光纤上的多个光信号，其中多个光信号中的每一个由单条光纤上的波长的不同偏振表示。还可以描述和/或要求保护了其他实施例。
多个光信号转换具有偏振单个波长增加光学带宽

[发明专利]封装中用于长距离芯片到芯片通信的具有自对准反射镜的波导-CN202111385797.8在审
发明人： J·D·埃克顿;田中宏树;B·C·马林;S·V·皮耶塔姆巴拉姆;段刚;聂白;陈昊博;张志超;S·瓦德拉曼尼;A·阿列克索夫 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2021-11-22 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：本文所公开的实施例包括电子封装和形成这种结构的方法。在实施例中，电子封装包括：封装衬底，在封装衬底上方的第一管芯，以及在封装衬底上方的第二管芯。在实施例中，电子封装还包括在封装衬底上的光波导。在实施例中，光波导的第一端部在第一管芯下方，并且光波导的第二端部在第二管芯下方。在实施例中，光波导将第一管芯通信地耦合到第二管芯。
封装用于长距离芯片通信具有对准反射波导

[发明专利]用于半导体衬底封装中的光学绝缘体的法拉第旋转器光学互连-CN202111261811.3在审
发明人：田中宏树;B·C·马林;K·达尔马卡尔塔;R·A·梅;S·R·S·博雅帕提;S·V·皮耶塔姆巴拉姆 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2021-10-28 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： G02B6/42 文献下载
摘要：本文公开的实施例包括具有法拉第旋转器以提高效率的光子封装。在实施例中，光子封装包括封装衬底和在封装衬底上方的计算管芯。在实施例中，光子封装还包括在封装衬底上方的光子管芯。在实施例中，计算管芯通过封装衬底中的桥接器通信地耦合到光子管芯。在实施例中，光子封装还包括在封装衬底上方的集成散热器(IHS)，以及穿过IHS并且光耦合到光子管芯的法拉第旋转器。
用于半导体衬底封装中的光学绝缘体法拉第旋转互连

[发明专利]贴片架构中作为贯穿过孔配置的法拉第旋转器互连-CN202111313488.X在审
发明人： B·C·马林;D·普拉塔普;田中宏树;N·德什潘德;O·卡尔哈德;R·A·梅;S·R·S·博雅帕提;S·V·皮耶塔姆巴拉姆;李晓倩;S·瓦德拉曼尼;J·埃克顿 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2021-11-08 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：本文公开的实施例包括具有法拉第旋转器以提高效率的光学系统。在实施例中，一种光子封装包括内插器以及内插器上方的贴片。在实施例中，贴片悬置于内插器的边缘上方。在实施例中，该光子封装还包括贴片上的光子管芯以及穿过贴片厚度的法拉第旋转器。在实施例中，法拉第旋转器在光子管芯下方。
架构作为贯穿配置法拉第旋转互连

[发明专利]用于在光子多芯片封装中增加带宽和/或减少光纤数量的嵌入式法拉第旋转器和部件-CN202111325750.2在审
发明人： B·C·马林;K·侯赛尼;C·欧基夫;田中宏树 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2021-11-10 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：本文公开的实施例包括具有双偏振模块的光子系统。在实施例中，光子贴片包括：贴片衬底和在贴片衬底的第一表面之上的光子管芯。在实施例中，多路复用器在贴片衬底的第二表面之上。在实施例中，设置从光子管芯到多路复用器的第一光路以用于传播第一光信号，并且设置从光子管芯到多路复用器的第二光路以用于传播第二光信号。在实施例中，沿着第二光路设置法拉第旋转器，以在第二光信号到达多路复用器之前将第二光信号从第一模式转换为第二模式。
用于光子芯片封装增加宽和减少光纤数量嵌入式法拉第旋转部件

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