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[发明专利]一种护理用转运床-CN202211404331.2在审
发明人：霍晓 -专利权人：连云港市妇幼保健院（连云港市第三人民医院）
申请日： 2022-11-10 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： A61G1/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种护理用转运床，包括：床架，床架的顶部安装有床板，床架的底部设有一对转动轮，床架远离转动轮的一侧设有万向轮；调节机构，调节机构安装在床架内，调节机构限制转动轮的转动速度；补偿机构，补偿机构安装在调节机构的一侧，补偿机构推动转动轮转动；切换机构，切换机构安装在调节机构与补偿机构之间，切换机构在工作人员加速推动时将调节机构自动切换为补偿机构，本发明通过调节机构可以方便医护人员缓慢稳定的推动患者，减小患者二次伤害的可能性，通过补偿机构在医护人员紧急推动患者时对转运床提供推动力，减小医护人员体力的消耗，方便对患者的推动。
一种护理转运

[发明专利]使用输入预处理和转换目标用于训练深度神经网络的半导体器件建模-CN201880001122.9有效
发明人：雷源;霍晓 -专利权人：香港应用科技研究院有限公司
申请日： 2018-06-20 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： G06N3/063 文献下载
摘要：一种基于深度神经网络的半导体器件建模系统和方法。通过对测试晶体管的测量来收集训练数据，所述训练数据包括栅极和漏极电压、晶体管宽度和长度、以及在上述输入条件下测量的漏极电流。所述训练数据通过输入预处理模块进行转换，所述输入预处理模块可采用对输入数据求对数或执行主成分分析(PCA)的方法。在训练深度神经网络时，不是将测量漏极电流用作拟合目标，而是将目标转换模块产生的转换漏极电流作为拟合目标，转换方法例如漏极电流关于栅极或漏极电压的导数，或其导数的对数。将输入数据经过深度神经网络的输出与转换漏极电流进行比较得到总误差，通过在训练期间对深度神经网络的权重进行调整，来不断减小总误差值，最终完成训练。
使用输入预处理转换目标用于训练深度神经网络半导体器件建模

[发明专利]用于生成神经网络的二值权重的方法和系统-CN202011262740.4在审
发明人：焦玉中;雷源;霍晓 -专利权人：联合微电子中心有限责任公司
申请日： 2020-11-12 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： G06N3/04 文献下载
摘要：一种用于神经网络的处理器，包括：权重概率分析模块，配置为基于神经网络的一个或多个层的一组输入权重生成至少表示一组输入权重中的每个输入权重与二元值相关联的概率的数据；方案生成模块，配置为针对所述权重的至少一个选定分组，基于针对选定的所述权重确定的概率生成至少表示一个或多个潜在二值权重矩阵的数据；方案选择模块，配置为至少生成表示每个潜在二值权重矩阵的矩阵特定概率值的数据，根据预定编码方法生成用于表示每个潜在二值权重矩阵的数据比特数的数据，并且基于所述矩阵特定概率值和所述数据比特数对潜在二值权重矩阵进行选择；以及权重生成模块，配置为根据所述选定的潜在二值权重矩阵生成表示一个或多个二值权重的数据。
用于生成神经网络权重方法系统

[发明专利]用于静电放电(ESD)保护的低电容和高保持电压瞬态电压抑制器(TVS)器件-CN201980000363.6有效
发明人：马晨月;任俊杰;霍晓 -专利权人：香港应用科技研究院有限公司
申请日： 2019-03-11 - 公布日： 2021-11-26 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种无阱的瞬态电压抑制器(TVS)硅控整流器(SCR)，其P+阳极区不在N阱中。P+阳极区20被表面附近的N+隔离区围绕，并且下面的深N+区形成在p‑衬底中。N+阴极区形成在p‑衬底中。深N+区的掺杂为5x1018至5x1019/cm3，相比之下，典型N阱的掺杂为1x1016/cm3，或者p‑衬底的掺杂为1x1013至1x1015/cm3。深N+区中的高掺杂导致复合电流，其可以分流一半阳极电流。由于深N+区比N阱浅得多，因此侧壁电容大大减小，允许更高速的应用。
用于静电放电 esd 保护电容保持电压瞬态抑制器 tvs 器件

[发明专利]用于静电放电保护的嵌入式PMOS触发可控硅整流器-CN201780000343.X有效
发明人：任俊杰;霍晓 -专利权人：香港应用科技研究院有限公司
申请日： 2017-04-18 - 公布日： 2021-08-24 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明提供一种静电放电(ESD)保护装置，其有一个带有触发PMOS晶体管的可控硅整流器(SCR)。SCR是一个PNPN结构，有中心N‑阱内的P+阳极/源极、P‑衬底、和外N‑阱，外N‑阱通过N+阱抽头连接到阴极。P+阳极/源极是触发PMOS晶体管的源极也是SCR的阳极。触发电路将触发PMOS晶体管的栅极驱动至低，将其导通以对P+漏极充电。由于P+漏极跨越阱边界，与中心N‑阱和P‑衬底都物理接触，空穴流入到P‑衬底。P+漏极被安置靠近保护环，保护环可以抑制闩锁。P+漏极的空穴涌向保护环之下的区域，暂时削弱其影响并降低触发电压。
用于静电放电保护嵌入式 pmos 触发可控硅整流器

[发明专利]用于生成神经网络的二值化权重的处理器和方法-CN202011457687.3在审
发明人：焦玉中;霍晓 -专利权人：联合微电子中心(香港)有限公司
申请日： 2020-12-11 - 公布日： 2021-07-27 - 主分类号： G06N3/063 文献下载
摘要：一种用于生成神经网络的二值化权重的处理器。所述处理器包括：二值化方案生成模块，所述二值化方案生成模块被配置为：针对从神经网络的一个或多个层的一组输入权重获得的权重分组，生成表示所述权重分组的一个或多个候选二值权重串；二值化方案选择模块，所述二值化方案选择模块被配置为至少部分地基于根据预定编码方法表示所述一个或多个候选二值权重串所需的数据比特数，从所述一个或多个候选二值权重串中选择表示所述权重分组的二值权重串；以及权重生成模块，所述权重生成模块被配置为输出表示用于表示所述权重分组的所述选定的二值权重串的数据。
用于生成神经网络二值化权重处理器方法

[发明专利]优化系统、重新训练系统及其方法及处理器和可读介质-CN202110031495.4在审
发明人：赵京雄;王东鹏;霍晓;李莎 -专利权人：联合微电子中心(香港)有限公司
申请日： 2021-01-11 - 公布日： 2021-07-27 - 主分类号： G06N3/04 文献下载
摘要：本申请涉及一种用于神经网络的优化系统和方法及重新训练系统和方法以及处理器和计算机可读介质。根据本申请，对于神经网络的同一层中的多个通道根据其相似度进行分组，然后对其进行聚类分析并在同一通道组内共享聚类中心对应的代表权重值。在重新训练时，先调整偏置项，如果不能达到精度的要求则进一步调整权重。在权重调整之后，根据调整后的权重，更新通道分组并重新进行聚类分析和权重共享。根据本发明的系统和方法，节省了权重聚类和权重反向传播计算的时间，大大提高了训练速度，并且获得了很好的精度。
优化系统重新训练及其方法处理器可读介质

[实用新型]一种水敏防伪标签纸-CN202021835733.4有效
发明人：张珉;霍晓 -专利权人：深圳市金世冠不干胶制品有限公司
申请日： 2020-08-26 - 公布日： 2021-04-30 - 主分类号： B32B5/02 文献下载
摘要：本申请涉及防伪技术的领域，尤其是涉及一种水敏防伪标签纸，其包括湿敏油墨层、基材层、防水层以及胶粘层，所述湿敏油墨层、基材层、防水层以及胶粘层依次层叠设置，所述防水层包括耐水层以及吸湿层，所述耐水层与吸湿层沿基材层向胶粘层的方向依次层叠设置。本申请具有能改善水敏防伪标签纸在湿水后粘接不牢固的问题的效果。
一种防伪标签

[实用新型]一种儿科用多功能听诊器-CN201921415650.7有效
发明人：霍晓 -专利权人：霍晓
申请日： 2019-08-26 - 公布日： 2020-08-21 - 主分类号： A61B7/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种儿科用多功能听诊器，包括耳件、导音管与听诊头，所述导音管外侧固定安装有结合块，所述结合块通过结合槽卡合连接有弹性带，所述弹性带外表壁固定安装有卡合块，所述弹性带远离结合槽的一侧与结合块固定连接。本实用新型中，儿科用听诊器在使用时，将耳件带上后，将结合块上的弹性带搭合到耳朵上部，接着将弹性带上的卡合块贴合结合块的底部并将弹性带通过结合槽与结合块卡合，实现弹性带的固定，此时弹性带会缠绕搭合在耳朵上，使得耳件在受到拉拽时，弹性带会对耳件进行支撑，避免耳件脱离，提高了儿科用听诊器的稳定性。
一种儿科多功能听诊器

[发明专利]用于静电放电或过度电性应力保护的阶梯鳍式场效应晶体管-CN201780000827.4有效
发明人：韩孝勇;霍晓;潘书礼 -专利权人：香港应用科技研究院有限公司
申请日： 2017-07-26 - 公布日： 2020-07-31 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供了一种静电放电(ESD)保护装置，其有一种具有硅鳍片的鳍式场效应晶体管(FinFET)，硅鳍片有一个分隔顶部鳍片和底部鳍片的阶梯。栅极围绕在顶部鳍片周围而不是底部鳍片周围。正常栅极控制的沟道传导发生在介于源极和漏极之间顶部鳍片上。在传导沟道下面是一个在底部鳍片上的覆盖的传导区域，其在ESD期间达到击穿电压之后传导。一个台阶，是鳍片侧壁上斜率突然发生变化，或者是在顶部鳍片和底部鳍片之间发生掺杂增加。底部鳍片比顶部鳍片宽2‑3倍，导致覆盖的传导区域的电阻比传导沟道的电阻小2‑3倍，使得击穿电流从沟道分流，从而降低在击穿期间发生的失效。
用于静电放电过度应力保护阶梯场效应晶体管

[实用新型]儿科医用物理降温装置-CN201921415876.7有效
发明人：霍晓 -专利权人：霍晓
申请日： 2019-08-26 - 公布日： 2020-07-07 - 主分类号： A61F7/10 文献下载
摘要：本实用新型公开了儿科医用物理降温装置，包括壳体，所述壳体的内部固定连接有微型水泵，所述微型水泵的两侧均连通有连接管，两个所述连接管均连通有水室。本实用新型中，壳体的内部设置了锂电池，并且壳体的外壁上设置了开关，采用此设计的好处在于：其一，将冷水从进水口倒入水室，通过锂电池给微型水泵供电，进而通过微型水泵使冷水循环，循环水进而可在吸热管内流动，从而吸收患儿额头的热量，对患儿进行物理降温，此设计中冷水不直接与患儿接触，避免了对皮肤的刺激，同时装置安全可靠，不会使患儿病情加重；其二，通过锂电池供电，使装置不需要连接电线，避免儿童触碰电线，从而提高了使用的安全性。
儿科医用物理降温装置

[发明专利]一种磁传感器-CN201610203297.0在审
发明人：郭慧民;楼书作;陈晓明;蔡光杰;王俊辉;霍晓 -专利权人：德昌电机（深圳）有限公司
申请日： 2016-04-01 - 公布日： 2017-10-24 - 主分类号： G01R33/07 文献下载
摘要：本发明涉及半导体元件技术领域，其公开了一种磁传感器，包括至少二磁感测元件，所述至少二磁感测元件构成至少一流通电流方向相反且对称设置的磁感测元件对。本发明提供的磁传感器，通过至少二磁感测元件对中的磁感测元件的流通电流方向相反的对称设置，消除由于制程偏差引起的单个磁传感器元件的电阻不对称，使得磁感测元件感测磁场强度更加准确。
一种传感器

[实用新型]管廊管道可移动提升就位装置-CN201720097311.3有效
发明人：张晓明;沙海;孟庆礼;霍晓;唐慎成;郭茜;迟白冰 -专利权人：中建一局集团安装工程有限公司;中国建筑股份有限公司;中国建筑一局（集团）有限公司
申请日： 2017-01-25 - 公布日： 2017-10-24 - 主分类号： B66F7/08 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种管廊管道可移动提升就位装置，包括支撑结构、固定在支撑结构上的管道提升系统和管道水平运输系统；支撑结构包括支撑平台和固定在支撑平台底部四角的万向轮；管道提升系统包括液压泵、四根下层支杆和四根上层支杆，液压泵和下层支杆的底端固定在支撑结构上。本实用新型由于竖向位置调节机构通过底部支撑结构放置在管廊底部，无需高空安装吊装设备即可对管道进行升降，操作简便、安全；当需要移动时，只要按需移动底部支撑结构即可，无需反复高空施工拆装，节约劳动力，能够方便地调节施工位置，具有操作灵活、调节方便的有益效果。
管道移动提升就位装置

[发明专利]一种绝缘体上硅SOI的ESD保护电路-CN201510165950.4有效
发明人：蔡小五;严北平;霍晓 -专利权人：香港应用科技研究院有限公司
申请日： 2015-04-09 - 公布日： 2017-09-08 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：一种静电放电(ESD)保护电路，其使用有氧化埋层但没有寄生衬底二极管的绝缘体上硅(SOI)晶体管，用于ESD保护。一个滤波电压由一个电阻和一个电容产生。当有一个VDD到VSS的ESD正脉冲时，滤波电压通过n‑沟道传输晶体管并被反转，驱动大SOI晶体管的栅极，泄放ESD电流。还有第二条路径是用于VSS到VDD的ESD正脉冲。当正ESD脉冲施加到VSS上时，滤波电压通过p‑沟道传输晶体管到达所述栅极。大SOI晶体管可连接在VDD和VSS之间，用于电源钳位，n‑沟道和p‑沟道传输晶体管的栅极连接到VDD。在VDD和VSS之间可以添加一个小的二极管，产生一个小的触发电流以触发I/O焊盘附近的栅极接地ESD保护晶体管，用于基于焊盘全芯片的ESD保护。
一种绝缘体 soi esd 保护电路

[发明专利]静电放电保护结构-CN201310232133.7有效
发明人：甘正浩;霍晓;张莉菲;代萌;俞少峰 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-06-09 - 公布日： 2017-05-17 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：一种静电放电保护结构，包括P型衬底，位于所述P型衬底内的触发三极管和可控硅结构；所述可控硅结构包括位于所述P型衬底内的第一N型阱区和P型阱区，所述第一N型阱区和P型阱区相邻且相接触，位于所述第一N型阱区内的第一P型掺杂区，位于所述P型阱区内的第二P型掺杂区和第二N型掺杂区；所述触发三极管的集电极、第一P型掺杂区与静电放电输入端相连接，所述第二N型掺杂区与静电放电输出端相连接，所述触发三极管的发射极、第二P型掺杂区与升压电阻的一端相连接，所述升压电阻的另一端与静电放电输出端相连接。所述静电放电保护结构利用触发电压较低的触发三极管进行辅助触发，使得所述静电放电保护结构的触发电压较低。
静电放电保护结构

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