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[发明专利]半导体装置结构的形成方法-CN202310587484.3在审
发明人：陈建汉;张世郁;邱建智;陈煌明 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-05-23 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种半导体装置结构的形成方法。在具有形成于其中的导体部件的半导体结构上形成第一与第二蚀刻停止层。在第二蚀刻停止层上形成介电层，在介电层上形成包括钨基材料的硬掩模并将其图形化。在图形化的硬掩模的上方形成阻剂层。使用图形化的阻剂层作为掩模而施行第一蚀刻工艺，以形成延伸而局部穿透介电层的导孔开口。使用图形化的硬掩模作为蚀刻掩模而施行第二蚀刻工艺(例如，干式蚀刻工艺)，以将导孔开口延伸而穿透第二蚀刻停止层，施行第三蚀刻工艺(例如，湿式蚀刻工艺)，以将导孔开口延伸而穿透第一蚀刻停止层而到达导体部件。
半导体装置结构形成方法

[实用新型]天线装置-CN202321248045.1有效
发明人： 邱建智 -专利权人：佛山市顺德区顺达电脑厂有限公司;神云科技股份有限公司
申请日： 2023-05-22 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01Q1/36 文献下载
摘要：本实用新型是有关于一种天线系统，特别是一种天线装置，结合一电子装置的一机壳的一安装模块上。该天线装置包含一天线单元及一射频连接单元。该天线单元包括一连接该射频连接单元的螺旋导线模块，及一连接该螺旋导线模块的第一导线模块。借由该螺旋导线模块可被弯折而使该天线单元转弯一角度的设计，将该射频连接单元结合该安装模块后，且将该螺旋导线模块自体弯折该角度而使天线单元整体的长度小于该机壳的高度，可有效因应该天线装置组装于该机壳后，该天线装置不会超出该机壳的高度的组装需求，且透过该天线单元的螺旋导线模块可自体弯折的巧思，达成该天线装置不需额外增加复杂的枢转结构就可将该天线装置转弯角度的应用，有效节省成本。
天线装置

[发明专利]一种建筑装修防水风景园林植被移栽设备-CN202310143885.X在审
发明人：李德华;聂立刚;杨文娟;郭宏;戴海波;唐海涛;邱建智;冯春咏;聂丽平;李良;方彬;李剑;李敏倩;梁海响;曾雨桥;黄卫星;丘雨娜 -专利权人：深圳广信建设（集团）有限公司
申请日： 2023-01-20 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： A01G20/18 文献下载
摘要：本发明属于植被移栽技术领域，特别涉及一种建筑装修防水风景园林植被移栽设备，包括底盘、上料组件、辅助组件和整平组件；所述上料组件包括夹持机构和两组旋转机构；两组所述旋转机构以夹持机构的中轴线为中心，且两组所述旋转机构对称滑动连接在夹持机构的两端，通过上料组件内部的夹持机构与旋转机构的配合使用，使堆积的草坪卷进行自动上料操作，节省人力提高草坪植被的移栽效率，储料箱与辅助组件的配合使用，使辅助组件根据上料组件两端的倾角传感器检测底盘的使用环境，当草坪铺设到凹凸种植面时，能够通过辅助组件对草坪卷的表面进行多次喷洒与施肥，用于增加草坪与凹凸种植面贴合度，提高草坪植被移栽的品质。
一种建筑装修防水风景园林植被移栽设备

[发明专利]晶体管结构及其形成方法-CN202210669456.1在审
发明人：陈建汉;张世郁;邱建智;陈煌明;谢志宏 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-06-14 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了晶体管结构及其形成方法。该方法包括：形成包括源极/漏极区和栅电极的晶体管；形成位于源极/漏极区上方并且电连接到源极/漏极区的源极/漏极接触插塞；在源极/漏极接触插塞上方形成第一层间电介质；在第一层间电介质上方形成蚀刻停止层；蚀刻蚀刻停止层以形成第一通孔开口；在第一层间电介质上方形成第二层间电介质；执行刻蚀工艺，使得第二层间电介质被刻蚀以形成沟槽，并且刻蚀停止层中的第一通孔开口延伸到第一层间电介质中以露出源极/漏极接触插塞；以及在共同的工艺中填充沟槽和第一通孔开口以分别形成金属线和通孔。
晶体管结构及其形成方法

[发明专利]具有自对准通孔的半导体器件-CN201910661420.7有效
发明人：陈建汉;邱建智;梁明中 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-07-22 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本公开涉及具有自对准通孔的半导体器件。一种形成半导体器件的方法，包括：在衬底上方形成导电线；在导电线上方形成蚀刻停止层(ESL)，ESL沿着导电线的上表面并且沿着与导电线相邻的第一电介质层的上表面连续延伸，其中，ESL的第一下表面与导电线的上表面接触，ESL的第二下表面与第一电介质层的上表面接触，第一下表面与第二下表面相比更靠近衬底；在ESL上方形成第二电介质层；在第二电介质层中形成开口，该开口暴露ESL的第一部分；移除ESL的第一部分以暴露导电线；以及用导电材料来填充开口以形成通孔。
具有对准半导体器件

[实用新型]天线装置-CN202221546807.1有效
发明人： 邱建智 -专利权人：环达电脑（上海）有限公司;神云科技股份有限公司
申请日： 2022-06-20 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： H01Q1/50 文献下载
摘要：一种天线装置，适用结合一电子装置上且使该电子装置可与一远程控制装置进行无线通信传输。该天线装置包含一电路板、一印刷于该电路板上的天线单元，及一设置于该电路板上且连接该天线单元的金属导线单元。该天线单元具有一第一端，及一第二端。该天线单元具有一工作频率。该金属导线单元具有二连接端。借由该金属导线单元的所述连接端分别连接该天线单元的第一端与该第二端的设计且该天线单元配合该金属导线单元用以调整该天线单元的工作频率至该中心频率的巧思，可透过调整该金属导线单元长度配合该天线单元的布局设计增加整体波长而调整出所需的频率且确保该电子装置透过该天线装置以该中心频率与该远程控制装置进行收发讯号。
天线装置

[发明专利]内连线结构的形成方法-CN202210216805.4在审
发明人：陈建汉;林大为;陈逸棠;邱建智 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-03-07 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：描述一种形成内连线结构的方法。在一些实施例中，方法包含形成罩幕结构于介电层上，而罩幕结构包含第一层、设于第一层上的第二层、及设于第二层上的第三层。方法还包含形成具有第一尺寸的第一开口于第一层中，以及形成多层结构于第一层上方。多层结构包含设于第一开口中及第一层上方的底层、设于底层上的中间层、及设于中间层上的光阻层。方法还包含形成具有第二尺寸的第二开口于底层中，以暴露出部分的介电层，而第二尺寸小于第一尺寸。方法还包含延伸第二开口至介电层。
连线结构形成方法

[发明专利]制造半导体装置的方法与半导体制造工具-CN202210325946.X在审
发明人：张世郁;陈建汉;邱建智;曾祺哲 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-03-29 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：在此揭露制造半导体装置的方法与半导体制造工具。一些方法包含提供静电吸盘，并相邻于静电吸盘放置边缘环。此静电吸盘包含第一电极，以在静电吸盘上的第一距离产生鞘。边缘环包含线圈与第二电极，以产生电场控制，而维持在边缘环上的部分鞘与静电吸盘上的部分鞘是共平面方向。
制造半导体装置方法工具

[实用新型]双无线通信系统的电子芯片卡-CN202220204930.9有效
发明人： 邱建智 -专利权人：环达电脑（上海）有限公司;神云科技股份有限公司
申请日： 2022-01-25 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： G06K19/077 文献下载
摘要：一种双无线通信系统的电子芯片卡，包含一第一电子标签单元，及一第二电子标签单元。该第一电子标签单元包括一第一电子标签模块，及一连接该第一电子标签模块的第一天线模块。该第一天线模块对应一第一频率。该第二电子标签单元包括一第二电子标签模块，及一连接该第二电子标签模块的第二天线模块，该第二天线模块对应一第二频率。当该电子芯片卡被近接感应一读取器时，该读取器发出一具有一工作频率的射频讯号至该电子芯片且使该电子芯片的该第一天线模块与该第二天线模块中的其中一个天线模块收到该射频讯号，并使接收到该射频讯号的天线模块所对应的电子标签模块与该读取器形成无线通信，有效达成该电子芯片卡可应用于两个无线通信系统的需求。
无线通信系统电子芯片

[实用新型]可支持双NFC金融支付的电子系统-CN202220024230.1有效
发明人： 邱建智 -专利权人：昆达电脑科技（昆山）有限公司;神云科技股份有限公司
申请日： 2022-01-04 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： H01Q1/38 文献下载
摘要：一种可支持双NFC金融支付的电子系统，包含一行动电子装置，及一结合于该行动电子装置上且位于该行动电子装置外侧的双天线装置。该行动电子装置包括一天线处理模块。该双天线装置包含一金属板、二设置于该金属板的两相反侧的铁氧体单元、分别设置于所述铁氧体单元上的一第一近距离通讯天线单元，及一第二近距离通讯天线单元。借由该双天线装置结合于该行动电子装置外的设计，有效解决该双天线装置占用该行动电子装置内部空间的问题，并透过该第一近距离通讯天线单元与该第二近距离通讯天线单元被所述铁氧体单元与该金属板隔开的巧思，有效隔离屏蔽该第一、第二近距离通讯天线单元，避免该第一、第二近距离通讯天线单元彼此互相干扰的问题。
支持 nfc 金融支付电子系统

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201711239729.4有效
发明人：何俊德;陈建汉;邱建智;梁明中 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-11-30 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本公开提供一种半导体结构的形成方法。上述方法包括形成第一导线于基板上、沉积第一介电层于上述第一导线上、沉积第二介电层于上述第一介电层上。上述第二介电层包括不同于上述第一介电层的介电材料。上述方法也包括于第一介电层以及第二介电层中图案化出导孔开口，其中使用第一蚀刻工艺参数图案化第一介电层以及使用上述第一蚀刻工艺参数图案化第二介电层。上述方法也包括于第二介电层中图案化出沟槽开口。上述方法也包括于上述导孔开口的底部上、沿着上述导孔开口的侧壁、于上述沟槽开口的底部上以及沿着上述沟槽开口的侧壁沉积扩散阻挡层以及使用导电材料填充上述导孔开口以及上述沟槽开口。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]内连线结构的制造方法-CN201710574988.6有效
发明人：何俊德;邱建智;梁明中 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-07-14 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本公开实施例提供内连线结构的制造方法，包含形成第一介电层，及在第一介电层中形成开口。此方法也包含对邻近开口的第一介电层施加气体，在对邻近开口的第一介电层施加气体之后，此开口的底面已经平坦化。此方法也包含通过开口蚀刻第一介电层，以暴露出第一介电层底下的第一接触，以及在开口中形成导线。
连线结构制造方法

[发明专利]碳纤维复合材料-CN201580083606.9有效
发明人： 邱建智;颜伟俸;许永勇;谷峰 -专利权人：惠普发展公司有限责任合伙企业
申请日： 2015-11-06 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： B32B5/00 文献下载
摘要：碳纤维复合材料和形成聚合物碳纤维复合材料的方法。该方法包括将两个碳纤维片施加到夹物模压模具，使得一片被固定在夹物模压模具的空腔侧，且另一片被固定在夹物模压模具的核心侧。该方法进一步包括夹物模压在两个碳纤维片之间的聚合物以形成聚合物碳纤维复合材料，其中聚合物设置在两个碳纤维片之间以形成聚合物碳纤维复合材料的夹心结构，并且其中聚合物与两个碳纤维片接触。
碳纤维复合材料

[发明专利]半导体结构与其制作方法-CN202110436335.8在审
发明人：陈建汉;邱建智;张世郁;林大为;陈逸棠 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-04-22 - 公布日： 2021-08-27 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本公开涉及一种半导体结构与其制作方法。半导体内连线结构包括导电线路电性耦接至主动半导体装置，第一蚀刻停止层形成于导电线路上；第一介电层，形成于第一蚀刻停止层上；第二蚀刻停止层形成于第一介电层上；第二介电层形成于第二蚀刻停止层上；以及内连线结构电性耦接至导电线路并延伸穿过第一蚀刻停止层、第一介电层、第二蚀刻停止层、与第二介电层。内连线结构包括通孔，延伸穿过第一蚀刻停止层、第二蚀刻停止层、与第一介电层；以及沟槽，延伸穿过第二介电层。
半导体结构与其制作方法

[发明专利]一种釉面不龟裂的长余辉陶瓷及其制作工艺-CN201811080067.5有效
发明人：李双展;许建星;彭照耀;林志辉;郑长龙;卢迪榛;邱建智 -专利权人：泉州市陶瓷科学技术研究所
申请日： 2018-09-17 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： C03C8/14 文献下载
摘要：一种釉面不龟裂的长余辉陶瓷及其制作工艺，一种釉面不龟裂的长余辉陶瓷，包括坯体和釉料，釉料包括以下原料：低温釉水、铝酸盐长余辉材料，低温釉水包括以下原料：澳大利亚锂辉石、滑石、石灰石、硼砂、硼酸、德化石英、夕线石、高岭土、氧化锌，低温釉水的原料组成的澳大利亚锂辉石、夕线石的热膨胀系数极小，通过二者的配合可降低釉料的热膨胀系数，使其热膨胀系数小于坯体的热膨胀系数，制作时，先制作低温釉水与铝酸盐长余辉材料配合使用，煅烧制成的熔块可有效降低釉料的烧成温度，保证釉料的烧结温度在790‑810℃之间，保证釉料中的长余辉材料的发光效果。
一种釉面龟裂余辉陶瓷及其制作工艺

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