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[实用新型]一种基于PCB板的光电测试装置-CN202221108818.1有效
发明人：包文中;王馨雨;陈洪雷 -专利权人：复旦大学
申请日： 2022-05-11 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： G01J1/42 文献下载
摘要：本实用新型属于光电探测技术领域，具体为一种基于PCB板的光电测试装置。本实用新型光电测试装置包括光电探测器、读出电路、光电快门、光源及PCB板；光电探测器与读出电路通过酒精胶固定到PCB板的指定位置，相应的引脚键压到PCB板已预留的pad处，二者通过PCB板实现物理连接，光源垂直入射到光电快门，光电快门控制光信号是否射入到探测器表面。将该结构装入杜瓦中，在不同入射光条件下对电路进行测试即可。该实用新型可以实现大多数光电材料（传统硅基光电材料和新兴二维光电材料均可）与硅基电路进行结合的光电测试，并且具有测试结果准确、成本低、操作简单等优点。
一种基于 pcb 光电测试装置

[实用新型]塞缝工具-CN202221126545.3有效
发明人：苏毅;朱士冲;陈洪雷;云霄;周德武;黄德伟 -专利权人：中交一公局集团有限公司;中交一公局海威工程建设有限公司
申请日： 2022-05-11 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： E04G21/00 文献下载
摘要：本实用新型提供一种塞缝工具，涉及建筑施工技术领域，塞缝工具包括板体、杆体、固定件和线体；板体能够绕第一轴线转动，且第一轴线与杆体的轴线垂直设置；线体的一端与第一端面固定连接，线体的另一端通过通孔伸入杆体内部，且线体的另一端穿出第二端。人工在墙体内侧进行操作，无需在墙体外侧进行操作，避免了人工在墙体外侧高空作业的安全隐患，并且减少了搭设及运输脚手架和安全设备的时间，减少了施工步骤，缩短了施工工期，提高了施工效率。此外，塞缝工具与注浆枪配合，降低了注浆操作难度，成型质量更高，有效的减少出现塞浆不饱满，顶塞处出现假缝等质量问题，防止后期出现渗漏等风险，减少后期维修成本。
缝工

[发明专利]DAC-BINAP生物基手性配体制备方法与不对称催化氢化应用-CN202210551183.0在审
发明人：高敏;刘玉;赵鑫;陈洪雷;王腾 -专利权人：齐鲁工业大学
申请日： 2022-05-20 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： C08B15/02 文献下载
摘要：本发明公开了DAC‑BINAP生物基手性配体的制备方法与不对称催化氢化中的应用，以纤维素为原料，通过选择性氧化制备双醛基纤维素，再以醛基纤维素和5,5’‑二氨‑BINAP为原料，通过席夫碱反应制备DAC‑5,5’‑二氨‑BINAP手性配体，最后以铑催化剂和DAC‑5,5’‑二氨‑BINAP手性配体为原料，通过络合反应络合，应用于不对称催化氢化反应。在催化氢化过程中，无需加入任何其他催化剂，在温和的实验条件下即可得到较高的反应转化率和对应选择性，也能得到较好的立体选择性。双醛基纤维素的利用首次实现了将生物基材料引入手性配体中，使得此手性配体可以回收利用，并且多次循环仍然表现出较高的催化活性，从而节约了资源，降低反应成本。
dac binap 生物手性体制方法不对称催化氢化应用

[实用新型]激光仪器用支架及激光仪器组件-CN202220295578.4有效
发明人：朱士冲;苏毅;狄宝银;云霄;陈洪雷;毛如诗 -专利权人：中交一公局集团有限公司;中交一公局海威工程建设有限公司
申请日： 2022-02-14 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： F16M11/04 文献下载
摘要：本实用新型提供一种激光仪器用支架及激光仪器组件，涉及支撑用具技术领域。该激光仪器用支架包括第一平板和第二平板；第一平板和第二平板垂直连接，第一平板用于贴合并固定于施工构件的呈平面的侧面上，第二平板用于支撑激光仪器。该激光仪器用支架缓解了现有技术中存在的水准仪等施工用激光仪器需搭配测绘仪器用三脚架使用，而激光仪器需要进行移动式的工作，此时需将激光仪器和三脚架同时进行移动，但每次移动后均需重新对激光仪器进行调平，导致操作过程复杂，施工效率低，且对于土质十分松软或场地面积较为狭窄的施工现场，三脚架还难以保持平稳或使用受限的技术问题。
激光仪器支架组件

[发明专利]一种调节木质素磺酸盐纳米棒尺寸的方法-CN202011597833.2有效
发明人：姜炜坤;张硕;刘淑云;陈洪雷;刘玉 -专利权人：齐鲁工业大学
申请日： 2020-12-29 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： B01J13/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种调节木质素磺酸盐纳米棒尺寸的方法，属于生物质基纳米材料制备技术领域，其包括以下实际制备步骤：(1)将木质素磺酸盐进行分级，目的是筛选出数均分子量大于10000moL/g的木质素素磺酸盐组分(LS1)；(2)将LS1溶解到不同种类及不同浓度的盐溶液中；(3)在有机溶剂中透析数日，离心便可分离出不同尺寸的纳米棒颗粒。通过选择或调解步骤(2)中盐溶液的种类和浓度，即可根据需求制备出长度在200nm～2000nm之间的木质素磺酸盐纳米棒。该纳米棒在常用的有机溶剂中可以均一的分散，展示出超高的稳定性。该发明首次报道了一种利用木质素磺酸盐和盐溶液制备尺寸可控的木质素基纳米棒的方法，成本低廉，步骤简单，环保，有着较好的应用前景和市场潜力。
一种调节木质素磺酸盐纳米尺寸方法

[实用新型]半导体器件及其隔离结构-CN202121701225.1有效
发明人：夏志平;温建功;陈洪雷;孙样慧;田浩洋 -专利权人：杭州士兰集成电路有限公司;杭州士兰集昕微电子有限公司
申请日： 2021-07-26 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本申请公开了一种半导体器件及其隔离结构，隔离结构自半导体层的表面延伸至半导体层中，隔离结构具有：主体部、外沿部以及连接部，在与半导体层的表面平行的截面上，隔离结构的主体部的形状为多边形环，外沿部位于多边形环的外围，并与多边形环的顶角对应，且该顶角与该外沿部通过至少一个连接部连接。通过将隔离结构的外沿部设置在多边形环状的主体部的外围，外沿部通过隔离结构的连接部与对应的多边形环顶角相连，从而将该顶角处的应力释放，高了器件的可靠性。
半导体器件及其隔离结构

[实用新型]半导体器件及其隔离结构-CN202121713704.5有效
发明人：夏志平;田浩洋;陈洪雷;孙样慧;温建功 -专利权人：杭州士兰集成电路有限公司;杭州士兰集昕微电子有限公司
申请日： 2021-07-26 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本申请公开了一种半导体器件及其隔离结构，该隔离结构自半导体层的表面延伸至半导体层中，在与半导体层的表面平行的截面上，隔离结构的形状为多边形环，其中，多边形环中包括呈弧状凸起的外环顶角和呈弧状凸起的内环顶角，外环顶角处的弧线与相邻直边相交。该隔离结构通过将多边形环状的隔离结构的顶角设置为弧状凸起，从而在降低电场线密度的同时释放了顶角处的应力，进而提高了击穿电压并减少漏电，增大了器件的可靠性。
半导体器件及其隔离结构

[发明专利]沟槽侧壁的表面掺杂方法及半导体器件-CN202111388116.3在审
发明人：夏志平;田浩洋;陈洪雷;孙样慧;温建功 -专利权人：杭州士兰集成电路有限公司;杭州士兰集昕微电子有限公司
申请日： 2021-11-22 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本申请公开了一种沟槽侧壁的表面掺杂方法及半导体器件，所述掺杂方法包括：提供一半导体衬底，所述半导体衬底中具有沟槽；基于所述沟槽形成扩散掺杂区域，所述沟槽的至少部分侧壁具有所述扩散掺杂区域；其中，位于所述沟槽侧壁的所述扩散掺杂区域的掺杂浓度沿着所述沟槽深度方向保持不变。应用本发明提供的技术方案，基于半导体衬底上的沟槽形成扩散掺杂区域，相对于传统离子注入方式，在沿半导体衬底厚度的方向上，能够形成掺杂浓度保持不变的扩散掺杂区域。
沟槽侧壁表面掺杂方法半导体器件

[实用新型]一种半导体器件的隔离结构-CN202121629881.5有效
发明人：夏志平;裴晓平;陈洪雷;孙样慧;田浩洋 -专利权人：杭州士兰集成电路有限公司;杭州士兰集昕微电子有限公司
申请日： 2021-07-16 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本申请提供一种半导体器件的隔离结构，该隔离结构包括：衬底，位于衬底中的深槽，位于深槽表面的第一氧化层及位于第一氧化层上的多晶硅，第一氧化层和多晶硅高出衬底，且多晶硅高出第一氧化层，位于高出第一氧化层的多晶硅的侧壁的侧墙，侧墙至少覆盖深槽顶部的第一氧化层。侧墙可以保护深槽顶部两侧的氧化层不被腐蚀掉，防止深槽顶部两侧的氧化层的损失对器件特性产生的不利影响，节约了工艺成本。由于最终形成的隔离结构保留有侧墙，并没有将侧墙移除，可以避免深槽附近氧化层留膜过薄而对器件性能产生的不利影响，对于该半导体工艺提供了足够的工艺窗口。
一种半导体器件隔离结构

[实用新型]平面功率器件-CN202120056790.0有效
发明人：夏志平;叶青青;陈洪雷;赵志涌;朱晓彤 -专利权人：杭州士兰集成电路有限公司
申请日： 2021-01-11 - 公布日： 2021-10-15 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种平面功率器件。根据本实用新型的平面功率器件包括衬底；漂移区，位于所述衬底上；刻蚀阻挡区，位于所述漂移区上；以及接触场板，位于所述刻蚀阻挡区上，所述接触场板贯穿部分所述刻蚀阻挡区，其中，所述刻蚀阻挡区包括自下而上依次堆叠的第一介质层、第二介质层、第三介质层和第四介质层。根据本实用新型实施例的平面功率器件，具有精准的接触场板孔的刻蚀停止终点和接触场板下方的刻蚀阻挡区厚度，能够有效地提高平面功率器件的击穿电压，降低导通电阻。
平面功率器件

[发明专利]一种半导体器件的隔离结构及其制造方法-CN202110809017.1在审
发明人：夏志平;裴晓平;陈洪雷;孙样慧;田浩洋 -专利权人：杭州士兰集成电路有限公司;杭州士兰集昕微电子有限公司
申请日： 2021-07-16 - 公布日： 2021-09-14 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本申请提供一种半导体器件的隔离结构及其制造方法，该隔离结构包括：衬底，位于衬底中的深槽，位于深槽表面的第一氧化层及位于第一氧化层上的多晶硅，第一氧化层和多晶硅高出衬底，且多晶硅高出第一氧化层，位于高出第一氧化层的多晶硅的侧壁的侧墙，侧墙至少覆盖深槽顶部的第一氧化层。侧墙可以保护深槽顶部两侧的氧化层不被腐蚀掉，防止深槽顶部两侧的氧化层的损失对器件特性产生的不利影响，节约了工艺成本。由于最终形成的隔离结构保留有侧墙，并没有将侧墙移除，可以避免深槽附近氧化层留膜过薄而对器件性能产生的不利影响，对于该半导体工艺提供了足够的工艺窗口。
一种半导体器件隔离结构及其制造方法

[实用新型]生物传感器芯片的针尖结构-CN202120026924.4有效
发明人：张意潇;陈洪雷;夏志平;叶青青 -专利权人：杭州士兰集成电路有限公司
申请日： 2021-01-05 - 公布日： 2021-09-03 - 主分类号： G01N27/26 文献下载
摘要：本实用新型提供一种生物传感器芯片的针尖结构，包括多个检测部件，每个所述检测部件包括探针信号传导层以及位于所述探针信号传导层上方的探针，每个所述检测部件还包括位于所述探针信号传导层与所述探针之间的探针应力缓冲导电层。通过在探针与探针信号传导层之间增加探针应力缓冲导电层用于改善应力匹配问题，从而使探针在水平面上不会出现高低不平的现象，保证探针能够同时检测信号。探针应力缓冲导电层选用与探针以及探针信号传导层导电性能近似的金属，不会影响到信号的传递。
生物传感器芯片针尖结构

[发明专利]一种高粱秸秆板材及其制备方法-CN202110454624.0在审
发明人：赵鑫;骆红港;李长伟;张莉琼;陈洪雷;张慧欣;姚雨彤 -专利权人：齐鲁工业大学
申请日： 2021-04-26 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： B27N1/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种高粱秸秆板材及其制备方法，属于农业秸秆资源化利用技术领域。本发明利用秸皮软化酶对高粱秸秆段的表面进行刻蚀，能够暴露出秸皮粗纤维，并使秸秆具有丰富的孔隙结构；本发明以阳离子淀粉和/或羧甲基纤维素作为增强剂，具有良好的粘结性，在喷淋的过程中，增强剂能够进入到酶刻蚀秸秆的内部空隙中，可有效提升秸秆的密度和材质均匀性，从而提高板材强度；本发明通过将增强秸秆与高粱秸秆粉混合，高粱秸秆粉能够填充高粱秸秆的内部空隙，进一步提高板材强度。同时，本发明在制备过程中不使用粘合剂，绿色环保；本发明以高粱秸秆作为原料，原料来源丰富、可再生；本发明制备方法简单，易于实现工业化大批量生产。
一种高粱秸秆板材及其制备方法

[发明专利]一种玉米秸秆板材及其制备方法-CN202110454621.7在审
发明人： 陈洪雷;骆红港;焦生辉;沙磊;刘嘉璇;赵鑫;张俊柳 -专利权人：齐鲁工业大学
申请日： 2021-04-26 - 公布日： 2021-07-09 - 主分类号： B27N1/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种玉米秸秆板材及其制备方法，属于农业秸秆资源化利用技术领域。本发明利用秸皮软化酶对玉米秸秆段的表面进行刻蚀，能够暴露出秸皮粗纤维，并使秸秆具有丰富的孔隙结构；本发明以纳米纤维素溶液作为增强剂，在浸渍的过程中，可以嵌入秸秆空隙中形成更多氢键，从而提高板材强度。同时，本发明在制备过程中不使用胶黏剂，绿色环保；本发明以玉米秸秆作为原料，原料来源丰富、可再生；本发明制备方法简单，易于实现工业化大批量生产。
一种玉米秸秆板材及其制备方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201910867623.1在审
发明人：王昊;陈洪雷;夏志平;姚国亮;陈伟 -专利权人：杭州士兰集昕微电子有限公司
申请日： 2019-09-13 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： H01L21/8249 文献下载
摘要：本申请公开了一种半导体器件及其制造方法。制造方法包括在衬底第一至第二阱区上分别形成第一、第二栅叠层，在衬底第三阱区、第四阱区上形成第三栅叠层；采用光刻胶掩膜、采用第一栅叠层、第三栅叠层为硬掩膜，在第一阱区形成第二掺杂类型第一源区和第一漏区，在第三阱区、第四阱区形成第二掺杂类型第三源区和第三漏区；采用第一至第三栅叠层作为硬掩膜，进行普注以在第二阱区中形成第一掺杂类型第二源区和第二漏区，形成第二源区和第二漏区时，第一源区和第一漏区、第三源区和第三漏区第二掺杂类型的掺杂剂复合第一掺杂类型掺杂剂。该方法在形成第二源区和第二漏区时省去附加的掩膜和光刻步骤，不影响半导体器件的性能并且可以降低制造成本。
半导体器件及其制造方法