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[发明专利]具有优异的激光切割特性的钢及其制造方法-CN202180085782.1在审
发明人：刘承皓;洪承甲;赵南泳 -专利权人：浦项股份有限公司
申请日： 2021-11-25 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： C22C38/04 文献下载
摘要：提供了具有优异的激光切割特性的钢及其制造方法。本发明的具有优异的激光切割特性的钢按重量％计包含：0.15％至0.30％的碳(C)、0.1％至0.5％的硅(Si)、1.5％或更少的锰(Mn)(不包括0)、0.5％或更少的钼(Mo)(不包括0)、0.05％或更少的磷(P)(不包括0)、0.01％或更少的硫(S)(不包括0)、0.05％或更少的铝(Al)(不包括0)，以及剩余部分为Fe和其他不可避免的杂质，所述钢满足相关表达式1并且具有厚度为30μm或更小的表面氧化皮层。
具有优异激光切割特性及其制造方法

[发明专利]具有优异的硬度和冲击韧性的耐磨钢及其制造方法-CN201980063013.4有效
发明人：刘承皓;郑永镇;赵南泳 -专利权人：株式会社POSCO
申请日： 2019-09-23 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： C22C38/34 文献下载
摘要：本发明的一个实施方式提供一种具有优异的硬度和冲击韧性的耐磨钢及其制造方法，以重量％计，上述耐磨钢包含碳(C)：0.38～0.50％、硅(Si)：0.5～2.0％、锰(Mn)：0.6～1.6％、磷(P)：0.05％以下(不包含0％)、硫(S)：0.02％以下(不包含0％)、铝(Al)：0.07％以下(不包含0％)、铬(Cr)：0.1～1.5％、钼(Mo)：0.01～0.8％、钒(V)：0.01～0.08％、硼(B)：50ppm以下(不包含0％)、钴(Co)：0.02％以下(不包含0％)，进一步地，还包含选自镍(Ni)：0.5％以下(不包含0％)、铜(Cu)：0.5％以下(不包含0％)、钛(Ti)：0.02％以下(不包含0％)、铌(Nb)：0.05％以下(不包含0％)和钙(Ca)：2～100ppm中的一种以上，并且包含余量的Fe和其他不可避免的杂质，微细组织包含85～98面积％以上的马氏体、1～10％的贝氏体和1～10％的残留奥氏体。
具有优异硬度冲击韧性耐磨及其制造方法

[发明专利]具有优异的硬度和冲击韧性的耐磨钢及其制造方法-CN201980063950.X在审
发明人：刘承皓;郑永镇;赵南泳 -专利权人：株式会社POSCO
申请日： 2019-09-23 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： C22C38/58 文献下载
摘要：本发明的一个实施方案提供了具有优异的硬度和冲击韧性的耐磨钢及其制造方法，所述耐磨钢以重量％计包含：0.33％至0.42％的碳(C)、0.1％至0.7％的硅(Si)、0.6％至1.6％的锰(Mn)、0.05％或更少的磷(P)(不包括0)、0.02％或更少的硫(S)(不包括0)、0.07％或更少的铝(Al)(不包括0)、0.55％至5.0％的镍(Ni)、0.01％至1.5％的铜(Cu)、0.01％至0.8％的铬(Cr)、0.01％至0.8％的钼(Mo)、50ppm或更少的硼(B)(不包括0)、和0.02％或更少的钴(Co)(不包括0)，还包含选自以下的一者或更多者：0.02％或更少的钛(Ti)(不包括0)、0.05％或更少的铌(Nb)(不包括0)、0.05％或更少的钒(V)(不包括0)和2ppm至100ppm的钙(Ca)，以及包含余量的Fe和其他不可避免的杂质，其中C和Ni满足以下关系1，并且显微组织包含95面积％或更多的马氏体和5％或更少的贝氏体(包括0％)。[关系1][C]×[Ni]≥0.231。
具有优异硬度冲击韧性耐磨及其制造方法

[发明专利]装载锁模块和包括其的半导体制造设备-CN201910138038.8在审
发明人：金光男;金秉熙;金正律;朴海重;宣钟宇;吴相录;郑盛旭;赵南泳;洪定杓 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-02-25 - 公布日： 2020-01-24 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：本申请提供了装载锁模块和包括其的半导体制造设备。半导体制造设备包括：装载锁模块，其包括其中容纳衬底容器的装载锁室，其中装载锁模块被构造为在大气压强与真空之间切换装载锁室的内部压强；以及转移模块，其被构造为在容纳于装载锁室中的衬底容器与用于对衬底执行半导体制造处理的处理模块之间转移衬底，其中，装载锁模块包括：净化气体供应单元，其被构造为通过连接至衬底容器的气体供应线路将净化气体供应至衬底容器中；以及排放单元，其被构造为通过连接至衬底容器的排气线路排放衬底容器中的气体。
装载锁衬底容器半导体制造设备净化气体衬底气体供应线路容纳半导体制造处理模块大气压强供应单元内部压强排放单元排气线路转移模块排放申请