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专利名称
农业 化学；冶金 建筑 机械工程 区域搜索
主分类
A 农业
B 作业；运输
C 化学；冶金
D 纺织；造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]半导体装置-CN202310024610.4在审
  • 李珍铭;张亨淳;金培经;卢贤娥;白种收;李宝璎 - 三星电子株式会社
  • 2023-01-09 - 2023-07-11 - H01L27/02
  • 提供了半导体装置。所述半导体装置包括：基底，具有第一区域至第四区域；第一有源区域、第二有源区域、第三有源区域和第一虚设有源区域，分别在第一区域至第四区域上延伸；第一栅极结构，在第一区域上与第一有源区域交叉，并且包括第一栅极导电层；第二栅极结构，在第二区域上与第二有源区域交叉，并且包括第二栅极导电层；第三栅极结构，在第三区域上与第三有源区域交叉，并且包括第三栅极导电层；第一虚设栅极结构，在第四区域上与第一虚设有源区域交叉，并且包括第一虚设栅极导电层；以及源极/漏极区域，位于第一有源区域、第二有源区域和第三有源区域上，并且位于第一栅极结构的两侧、第二栅极结构的两侧和第三栅极结构的两侧。
  • 半导体装置
  • [发明专利]半导体器件-CN201810678662.2有效
  • 金柱然;张亨淳;尹钟密;河泰元 - 三星电子株式会社
  • 2014-04-16 - 2023-05-12 - H01L27/088
  • 本发明公开了一种半导体器件，其包括：衬底，其包括第一有源区、第二有源区和第一和第二有源区之间的场区；以及栅极结构，其形成在衬底上，以跨越第一有源区、第二有源区和场区。栅极结构包括彼此直接接触的p型金属栅电极和n型金属栅电极，p型金属栅电极从第一有源区朝着第二有源区延伸不到第一有源区与第二有源区之间的距离的一半。
  • 半导体器件
  •  1 
  • 共 4 条
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