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[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201911380286.X在审
发明人： 郝荣晖;黄敬源 -专利权人：英诺赛科（珠海）科技有限公司
申请日： 2019-12-27 - 公布日： 2020-05-05 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种高电子迁移率晶体管，所述高电子迁移率晶体管包含：衬底、缓冲层、沟道层、势垒层、源极、漏极和栅极，所述衬底、所述缓冲层、所述沟道层、所述势垒层和所述源极、漏极和栅极沿所述高电子迁移率晶体管的厚度方向依次层叠设置，其中，所述势垒层包含第一经掺杂半导体结构，所述沟道层包含第二经掺杂半导体结构。本发明还提供一种高电子迁移率晶体管的制造方法。所述高电子迁移率晶体管具有低的漏极电场强度，高的击穿电压，高的稳定性，低成本等特征。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]p型阳极的Ⅲ族氮化物二极管器件及其制作方法-CN201711384917.6在审
发明人：于国浩;陈扶;宋亮;郝荣晖;张宝顺 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2017-12-20 - 公布日： 2019-06-28 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明公开了一种p型阳极的Ⅲ族氮化物二极管器件及制作方法。所述器件包括：第一异质结，包括第一半导体和形成于第一半导体上的第二半导体，且所述第一异质结构中形成有二维电子气；第二异质结，包括所述第二半导体和形成于所述第二半导体表面上局部区域的第三半导体，所述第三半导体为p型掺杂，掺杂浓度可以将所述第一异质结中的二维电子气耗尽；与所述第一异质结连接的阳极和阴极，所述阳、阴极与所述二维电子气电连接，所述阳极同时与第三半导体形成欧姆接触或者肖特基接触。本发明的器件结构简单，具有低开启电压、高耐压和高频率等优点，同时制作工艺简单，重复性高，成本低廉，易于大规模生产。
半导体阳极异质结二维电子气阴极 Ⅲ族氮化物二极管器件半导体表面半导体形成肖特基接触局部区域开启电压欧姆接触器件结构异质结构制作工艺电连接高耐压高频率耗尽制作掺杂

[发明专利]垂直结构UMOSFET器件及其制作方法-CN201711309639.8在审
发明人：陈扶;于国浩;宋亮;郝荣晖;张宝顺 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所;中国科学院大学
申请日： 2017-12-11 - 公布日： 2019-06-18 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种垂直结构UMOSFET器件，其包括：第一、第二导电类型半导体层，具有第一导电类型的源区层以及源、漏、栅极；第二导电类型半导体层设置在第一导电类型半导体层的一侧表面，源区层形成在第二导电类型半导体层内，源极同时与第二导电类型半导体层及源区层电性连接，栅极设置在槽状结构内，槽状结构顶端设置于源区层表面，底端穿入第一导电类型半导体层，且在槽状结构的内壁与栅极之间还设置有钝化层，漏极与第一导电类型半导体层的另一侧表面连接。本发明的UMOSFET器件具有低导通电阻、高频率、高击穿电压等优点。本发明还公开了所述UMOSFET器件的制作方法。
导电类型半导体层第一导电类型源区层半导体层槽状结构垂直结构低导通电阻高击穿电压表面连接电性连接顶端设置钝化层高频率穿入底端漏极内壁源极制作

[发明专利]GaN基的p-GaN增强型HEMT器件及其制作方法-CN201711278188.6在审
发明人：赵杰;付凯;宋亮;郝荣晖;陈扶;于国浩;蔡勇;张宝顺 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2017-12-06 - 公布日： 2019-06-14 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种GaN基的p‑GaN增强型HEMT器件及其制作方法。所述器件包括：隧道结构，其包括异质结，所述异质结包括沟道层和势垒层，且所述异质结内形成有二维电子气；帽层，其至少对隧道结构的局部区域形成三维包覆，并至少用以将所述异质结内分布于栅下区域的二维电子气耗尽；源极、漏极，其分别设置在所述隧道结构两端；栅极，其对所述帽层的形成三维包覆。本发明的HEMT器件具有阈值电压高，p‑GaN帽层掺杂浓度及厚度要求低等优点。
异质结隧道结构帽层增强型HEMT器件二维电子气包覆三维厚度要求局部区域阈值电压沟道层势垒层下区域漏极源极耗尽制作掺杂

[发明专利]一种包含介质层的p型栅HEMT器件及其制作方法-CN201711405795.4在审
发明人：徐宁;郝荣晖;付凯;于国浩;张宝顺 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2017-12-22 - 公布日： 2018-06-12 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明公开了一种包含介质层的p型栅HEMT器件及其制作方法。所述HEMT器件包括：异质结，其包括第一半导体和形成于第一半导体上的第二半导体，所述第二半导体具有宽于第一半导体的带隙，且异质结中形成有二维电子气；第三半导体，其位于栅下区域并能够将异质结内分布于栅下区域的二维电子气耗尽；第四半导体，其分布于栅极与漏极之间以及栅极与源极之间；介质层，其由绝缘材料组成，并分布于异质结和栅极之间；源极、漏极以及栅极，源极与漏极能够通过所述二维电子气电连接。本发明在HEMT器件的栅极下方引入介质层，可以显著减小栅极漏电和提高栅极正向最大安全工作电压，增大阈值电压。
半导体介质层异质结二维电子气漏极源极下区域安全工作电压漏电绝缘材料阈值电压电连接带隙减小正向耗尽制作引入

[发明专利]基于高阻盖帽层的Ⅲ族氮化物极化超结HEMT器件及其制法-CN201710270380.4在审
发明人： 郝荣晖;付凯;于国浩;蔡勇;张宝顺 -专利权人：苏州能屋电子科技有限公司
申请日： 2017-04-24 - 公布日： 2017-07-25 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于高阻盖帽层的III族氮化物极化超结HEMT器件及制法，所述器件包括第一异质结，包括第一半导体和形成于第一半导体上的第二半导体，所述第二半导体具有宽于第一半导体的带隙，且所述第一异质结构中形成有二维电子气；第二异质结，包括所述第二半导体和形成于所述第二半导体上的第三半导体，所述第三半导体具有窄于第二半导体的带隙，且所述第二异质结构中形成有二维空穴气；形成在所述第二半导体上的p型掺杂的第四半导体，所述第四半导体与第三半导体在水平方向上紧密连接；与第一异质结连接的源极和漏极，所述源、漏极能够通过所述二维电子气电连接；以及，分布于源极与漏极之间的栅极，所述栅极与第四半导体连接。
基于盖帽氮化物极化 hemt 器件及其制法

[实用新型]增强型自支撑垂直结构Ⅲ族氮化物HEMT器件及AlGaN/GaN HEMT器件-CN201620554498.0有效
发明人：宋亮;付凯;张志利;孙世闯;李维毅;李夏珺;郝荣晖;袁洁;于国浩;邓旭光;范亚明;蔡勇;张宝顺 -专利权人：苏州能屋电子科技有限公司
申请日： 2016-06-08 - 公布日： 2016-11-16 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种增强型自支撑垂直结构Ⅲ族氮化物HEMT器件及AlGaN/GaN HEMT器件。在一优选实施例中，所述HEMT器件包括N极性外延结构，所述N极性外延结构包括依次形成于衬底上的电流阻挡层、N极性的第一AlGaN层、N极性本征GaN层和N极性的第二AlGaN层，所述衬底、本征GaN层分别与漏极、源极形成欧姆接触，所述栅极设置在第二AlGaN层上，所述电流阻挡层内分布有沿竖直方向贯穿电流阻挡层的电流导通通道，且所述电流导通通道的电阻率小于所述电流阻挡层。本实用新型提供的增强型自支撑垂直结构AlGaN/GaN HEMT器件具有垂直结构，同时实现了增强型，还具有高耐压、低漏电等优点，且其制备工艺简单，易于操作，成本低，有利于工业化生产。
增强支撑垂直结构氮化物 hemt 器件 algan gan

[发明专利]通过p型钝化实现增强型HEMT的方法及增强型HEMT-CN201610403535.2在审
发明人：宋亮;郝荣晖;付凯;张志利;孙世闯;李维毅;李夏珺;袁洁;于国浩;邓旭光;范亚明;蔡勇;张宝顺 -专利权人：苏州能屋电子科技有限公司
申请日： 2016-06-08 - 公布日： 2016-08-17 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明公开了一种通过p型钝化实现增强型HEMT的方法，其包括：提供主要由第一、第二半导体组成的异质结构，所述第二半导体分布于第一半导体上，并具有宽于第一半导体的带隙，且所述异质结构中形成有二维电子气；在所述第二半导体上形成p型掺杂的第三半导体；对所述第三半导体中除栅下区域之外的其余区域进行钝化处理，使p型掺杂区仅存在于栅下区域，所述栅下区域分布在所述HEMT器件的栅极正下方；制作与所述异质结构连接的源、漏、栅极，并使所述源、漏极能够通过所述二维电子气电连接，且使所述栅极分布于源、漏极之间。本发明还公开了一种增强型HEMT。本发明具有工艺简单，重复性高，器件性能稳定优良，成本低廉，易于进行大规模生产等优点。
通过钝化实现增强 hemt 方法

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