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[发明专利]机器翻译方法、装置、设备、介质及程序产品-CN202310304742.2在审
发明人：刘乐茂;郝宏坤 -专利权人：腾讯科技（深圳）有限公司
申请日： 2023-03-24 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G06F40/58 文献下载
摘要：本申请公开了一种机器翻译方法、装置、设备、介质及程序产品，涉及机器翻译技术领域。该方法包括：对第一语句和第i个第二语句分别进行特征提取，得到第一语句对应的第一特征表示和第i个第二语句对应的第二特征表示；对第一特征表示和第i个第二语句对应的第二特征表示进行联合解码，得到第一语句对应的第i个候选翻译结果；对多个第二语句分别对应的候选翻译结果进行融合分析，得到与第一语句对应的目标翻译语句。通过对翻译结果的融合，降低由于TM增强的机器翻译模型方差较大对翻译结果质量的影响，同时降低了机器翻译模型可能产生的偏差对翻译结果质量的影响，从而提高了机器翻译模型翻译得到的翻译语句的质量。
机器翻译方法装置设备介质程序产品

[发明专利]一种车载雷达用氮化铝薄厚膜结合基板制备方法-CN202211706437.8在审
发明人：何潇熙;王骥腾;李军;郝宏坤 -专利权人：河北中瓷电子科技股份有限公司
申请日： 2022-12-29 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本申请属于半导体微电子器件制备技术领域，尤其涉及一种车载雷达用氮化铝薄厚膜结合基板制备方法。对氮化铝坯料进行预处理，获得具有凹阶面的氮化铝基板，其中，氮化铝坯料为多个；对氮化铝基板上的凹阶面进行电镀；对氮化铝基板的上表面进行溅射，获得氮化铝图形基板；对氮化铝基板上预留的焊料区域进行焊料溅射，获得氮化铝薄厚膜结合基板。相对于传统的基板制作方法，本申请既能满足多层布线，实现三维互联，又能满足高密度布线和更低的传输损耗。而且，由于氮化铝具有高导热的优势，本申请可满足高效率散热的需求。同时，预留的焊料区域设置金锡焊料，可解决芯片、电容等器件的二次封装问题，提高了装配效率和装配效果。
一种车载雷达氮化薄厚结合制备方法

[发明专利]一种垂直导通的氮化硅覆铜基板制备方法-CN202211706750.1在审
发明人：何潇熙;王骥腾;李军;郝宏坤 -专利权人：河北中瓷电子科技股份有限公司
申请日： 2022-12-29 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H05K3/40 文献下载
摘要：本申请适用于半导体微电子器件制备技术领域，提供了一种垂直导通的氮化硅覆铜基板制备方法，该垂直导通的氮化硅覆铜基板制备方法包括：对氮化硅基板进行激光打孔；使用填充浆料对激光打孔加工出的贯穿孔进行填充；使用印刷浆料对填充后的氮化硅基板表面进行印刷；将印刷后的氮化硅基板与铜坯焊接，得到氮化硅覆铜基板；在氮化硅覆铜基板上涂覆油墨；将涂覆油墨后的氮化硅覆铜基板放在紫外光下照射，使用显影液将未固化的油墨去除；对去除未固化的油墨后的氮化硅覆铜基板进行化学镀。本申请克服了基板需要外置器件封装、焊接等工艺步骤；生产过程环保，均匀性较好；解决了电镀工艺铜层厚度受限的问题，可以适用于大功率器件封装需求。
一种垂直氮化硅覆铜基板制备方法

[实用新型]陶瓷封装外壳-CN201822035063.7有效
发明人：赵东亮;何潇熙;郝宏坤;杜少勋 -专利权人：河北中瓷电子科技有限公司
申请日： 2018-12-05 - 公布日： 2019-06-25 - 主分类号： H01L23/10 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种陶瓷封装外壳，属于电子封装领域，包括陶瓷底板、内部基板和四个陶瓷墙体，陶瓷底板上表面设有凹陷于所述陶瓷底板内的凹槽，侧面设有与所述凹槽连通的第一通孔和/或第一开槽；内部基板焊接于陶瓷底板的凹槽的槽底；四个陶瓷墙体围设于陶瓷底板的四周，并封堵第一通孔，陶瓷墙体与陶瓷底板焊接相连，陶瓷墙体之间焊接相连。本实用新型提供的陶瓷封装外壳，对各陶瓷部件单独进行加工，就可以在各陶瓷基板上加工出需要的深度的凹槽、孔等其他复杂形状的图案，然后焊接在一起，相比直接在陶瓷体上加工腔体、腔体内台阶而言，加工难度大大降低，且不易发生形变，能够保证尺寸精度，降低加工成本和材料成本。
陶瓷底板陶瓷墙体陶瓷封装外壳焊接本实用新型内部基板加工通孔凹槽连通材料成本电子封装复杂形状加工腔体陶瓷部件陶瓷基板体内台阶形变上表面陶瓷体封堵开槽围设图案侧面保证

[发明专利]陶瓷封装外壳制备方法及陶瓷封装外壳-CN201811480019.5在审
发明人：赵东亮;何潇熙;郝宏坤;杜少勋 -专利权人：河北中瓷电子科技有限公司
申请日： 2018-12-05 - 公布日： 2019-03-19 - 主分类号： H01L23/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种陶瓷封装外壳制备方法及陶瓷封装外壳，属于电子封装技术领域，包括以下步骤：成型，制备简单形状的片状陶瓷生坯；排胶、烧结，得到陶瓷熟瓷基板；磨抛、切割，根据预定设计，加工出外壳需要的底盘、墙体及内部基板对应形状的陶瓷基板；金属化，对各陶瓷基板表面进行金属化处理；镀覆，对各陶瓷基板表面镀覆焊接需要的金属层；焊接，根据设定的外壳的形状，将各部分陶瓷基板焊接到一起，形成陶瓷外壳；加工修正、镀覆，对焊接后的陶瓷外壳进行加工修正和镀覆，形成产品。本发明提供的陶瓷封装外壳制备方法，即解决了复杂形状、深腔、薄壁类外壳的难加工的问题，又降低了成本、具备批生产工艺性。
陶瓷封装外壳镀覆制备焊接陶瓷基板表面陶瓷基板陶瓷外壳加工电子封装技术修正金属化处理复杂形状简单形状内部基板片状陶瓷烧结薄壁类瓷基板工艺性金属层金属化批生产底盘磨抛排胶墙体深腔生坯成型切割陶瓷

[发明专利]高导热氮化硅陶瓷覆铜板及其制备方法-CN201410638370.8有效
发明人：赵东亮;刘志平;刘圣迁;郝宏坤;杨哲 -专利权人：河北中瓷电子科技有限公司
申请日： 2014-11-13 - 公布日： 2018-03-13 - 主分类号： H01L23/15 文献下载
摘要：本发明公开了一种高导热氮化硅陶瓷覆铜板及其制备方法，涉及覆铜板制造技术领域。包括高导热氮化硅陶瓷基板和无氧铜层，所述高导热氮化硅陶瓷基板上下两个表面分别与无氧铜层焊接连接，所述的焊接为通过活性金属焊膏在真空钎焊炉中高温焊接。本发明采用高强度高导热氮化硅基板的弯曲强度是氮化铝陶瓷基板的2‑3倍，可以实现其与厚铜基板的覆接；热导率是氧化铝陶瓷基板3‑4倍，大幅提高基板的散热性能；采用的活性焊铜工艺与直接覆铜工艺相比界面结合力更高、空洞更少、可靠性更高。因此，具有高强度、高导热、高可靠的特点。
导热氮化陶瓷铜板及其制备方法

[实用新型]高导热氮化铝全瓷LED封装外壳-CN201420671778.0有效
发明人：赵东亮;刘志平;张文娟;张磊;郝宏坤 -专利权人：河北中瓷电子科技有限公司
申请日： 2014-11-12 - 公布日： 2015-02-18 - 主分类号： H01L33/64 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高导热氮化铝全瓷LED封装外壳,涉及一种LED封装结构，尤其是一种大功率LED芯片的氮化铝封装外壳。它包括氮化铝基板,所述的氮化铝基板分为上下两层；上层为镜头支架层，镜头支架层的中部开有圆孔；下层为线路层，线路层的顶面固定有芯片焊盘和电路；线路层的底面固定有热沉焊盘；线路层的顶面与底面之间开有多个金属化通孔；热沉焊盘与芯片焊盘通过金属化通孔连接。本实用新型的有益效果是其散热效果好、结构简单、机械强度大，适用于高功率LED封装。
导热氮化铝全瓷 led 封装外壳

[实用新型]氮化铝铜金属化陶瓷基板-CN201020197717.7有效
发明人：刘志平;郝宏坤;扬哲;李晓蒙;张文娟 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2010-05-21 - 公布日： 2010-12-22 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种氮化铝铜金属化陶瓷基板，在氮化铝陶瓷基板上涂覆有铜金属化层，在氮化铝陶瓷基板和铜金属化层之间设有钨或钼或钨钼金属化层。该氮化铝铜金属化陶瓷基板结合强度高、导热导电性能好、铜金属化层厚度易于控制，从而提高了整个器件的可靠性。
氮化金属化陶瓷

[实用新型]氮化铝陶瓷与金属的焊接结构-CN201020197831.X有效
发明人：刘志平;郝宏坤;扬哲;李晓蒙;张文娟 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2010-05-21 - 公布日： 2010-12-22 - 主分类号： B32B15/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种氮化铝陶瓷与金属的焊接结构，属于陶瓷材料与金属的焊接领域。其包括氮化铝陶瓷基板和焊接的金属层，在氮化铝陶瓷基板与金属层之间设有钨、钼或者钨钼合金的缓冲层。本实用新型引入了和氮化铝陶瓷热膨胀系数相近的钨或者钼的缓冲层，有效解决了氮化铝陶瓷与热膨胀系数较高的金属焊接可靠性差的问题。
氮化陶瓷金属焊接结构

[实用新型]氮化铝陶瓷封装件-CN201020197813.1有效
发明人：刘志平;郝宏坤;扬哲;李晓蒙;张文娟 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2010-05-21 - 公布日： 2010-12-15 - 主分类号： G02B6/35 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种氮化铝陶瓷封装件，用于光开关器件中起封装作用的氮化铝陶瓷件，在管状的氮化铝陶瓷基体内外壁上设有金属化图形层。该氮化铝陶瓷封装件具有导热性能好、机械强度高、焊接后不易开裂且可靠性好的优点。
氮化陶瓷封装

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