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[发明专利]用于太阳能电池的无气泡的多晶硅-CN201910521783.0有效
发明人： 邱泰庆;吉勒·奥拉夫·普兰;佩里纳·雅弗雷努;纳丹·哈布卡;谢尔盖·菲洛诺维希 -专利权人：太阳能公司;道达尔销售服务公司
申请日： 2016-03-15 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： H01L31/02 文献下载
摘要：本发明提供了制造太阳能电池的方法。在一个实施例中，制造太阳能电池的方法包括在基板的背表面上形成非晶介电层，所述基板的所述背表面与所述基板的光接收表面相对。所述方法还包括通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)在所述非晶介电层上形成微晶硅层。所述方法还包括通过PECVD在所述微晶硅层上形成非晶硅层。所述方法还包括对所述微晶硅层和所述非晶硅层进行退火以由所述微晶硅层和所述非晶硅层形成均质多晶硅层。所述方法还包括由所述均质多晶硅层形成发射极区。
用于太阳能电池气泡多晶

[发明专利]用于太阳能电池的发射极层的沉积方法-CN201680018065.6有效
发明人：迈克尔·C·约翰逊;邱泰庆;戴维·D·史密斯;彼得·约翰·卡曾斯;斯塔凡·韦斯特贝格 -专利权人：太阳能公司
申请日： 2016-03-18 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供了制造太阳能电池的方法以及所得的太阳能电池。在一个实例中，制造太阳能电池的方法包括通过自由基氧化或等离子体氧化基板的表面，在所述基板的所述表面上形成薄介电层。所述方法还包括在所述薄介电层上形成硅层。所述方法还包括由所述硅层形成多个发射极区。
用于太阳能电池发射极沉积方法

[发明专利]用于太阳能电池的无气泡的多晶硅-CN201680018248.8有效
发明人： 邱泰庆;吉勒·奥拉夫·普兰;佩里纳·雅弗雷努;纳丹·哈布卡;谢尔盖·菲洛诺维希 -专利权人：太阳能公司;道达尔销售服务公司
申请日： 2016-03-15 - 公布日： 2019-07-12 - 主分类号： H01L31/02 文献下载
摘要：本发明提供了制造太阳能电池的方法。在一个实施例中，制造太阳能电池的方法包括在基板的背表面上形成非晶介电层，所述基板的所述背表面与所述基板的光接收表面相对。所述方法还包括通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)在所述非晶介电层上形成微晶硅层。所述方法还包括通过PECVD在所述微晶硅层上形成非晶硅层。所述方法还包括对所述微晶硅层和所述非晶硅层进行退火以由所述微晶硅层和所述非晶硅层形成均质多晶硅层。所述方法还包括由所述均质多晶硅层形成发射极区。
用于太阳能电池气泡多晶

[发明专利]制造具有区分开的P型和N型区架构的太阳能电池发射极区-CN201810311648.9在审
发明人：林承笵;大卫·D·史密斯;邱泰庆;斯塔凡·韦斯特贝格;基兰·马克·特雷西;文卡塔苏布拉马尼·巴鲁 -专利权人：太阳能公司
申请日： 2014-12-12 - 公布日： 2018-10-26 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明描述了制造具有区分开的P型和N型区架构的太阳能电池发射极区的方法，以及所得太阳能电池。在一个例子中，背接触太阳能电池包括具有光接收表面和背表面的基板。第一导电类型的第一多晶硅发射极区设置在第一薄介电层上，所述第一薄介电层设置在所述基板的所述背表面上。第二不同导电类型的第二多晶硅发射极区设置在第二薄介电层上，所述第二薄介电层设置在所述基板的所述背表面上。第三薄介电层直接侧向设置在所述第一和第二多晶硅发射极区之间。第一导电触点结构设置在所述第一多晶硅发射极区上。第二导电触点结构设置在所述第二多晶硅发射极区上。
多晶硅发射极区薄介电层太阳能电池背表面基板导电触点发射极区结构设置架构背接触太阳能电池第一导电类型光接收表面侧向设置导电类型制造

[发明专利]太阳能电池固化工具-CN201711114645.8在审
发明人：佩里纳·雅弗雷努;吉勒·奥拉夫·唐吉·普兰;基兰·马克·特雷西;邱泰庆;迈克尔·C·约翰逊;林承笵 -专利权人：太阳能公司;道达尔销售服务公司
申请日： 2017-11-13 - 公布日： 2018-05-25 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本申请公开了一种利用太阳能电池的光接收表面的UV固化来制造太阳能电池的固化工具以及得到的太阳能电池。在示例中，固化工具将UV曝光级和一个或多个沉积或退火级相结合以制造太阳能电池。例如，辐射固化级可以在用于在背接触太阳能电池上执行操作的后端处理级之前。因此可以使用固化工具来执行提高太阳能电池的UV稳定性的方法。
太阳能电池固化背接触太阳能电池退火光接收表面辐射固化后端处理沉积制造曝光申请

[发明专利]制造具有区分开的P型和N型区架构的太阳能电池发射极区-CN201480056606.5有效
发明人：林承笵;大卫·D·史密斯;邱泰庆;斯塔凡·韦斯特贝格;基兰·马克·特雷西;文卡塔苏布拉马尼·巴鲁 -专利权人：太阳能公司
申请日： 2014-12-12 - 公布日： 2018-05-01 - 主分类号： H01L31/049 文献下载
摘要：本发明描述了制造具有区分开的P型和N型区架构的太阳能电池发射极区的方法，以及所得太阳能电池。在一个例子中，背接触太阳能电池包括具有光接收表面和背表面的基板。第一导电类型的第一多晶硅发射极区设置在第一薄介电层上，所述第一薄介电层设置在所述基板的所述背表面上。第二不同导电类型的第二多晶硅发射极区设置在第二薄介电层上，所述第二薄介电层设置在所述基板的所述背表面上。第三薄介电层直接侧向设置在所述第一和第二多晶硅发射极区之间。第一导电触点结构设置在所述第一多晶硅发射极区上。第二导电触点结构设置在所述第二多晶硅发射极区上。
制造具有区分架构太阳能电池发射极

[发明专利]大量复制资料的方法-CN200610090240.0有效
发明人：王松荣;邱泰庆;曹世强 -专利权人：安辰电脑股份有限公司
申请日： 2006-07-07 - 公布日： 2008-01-09 - 主分类号： G06F11/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种大量复制资料的方法。该复制方法是通过一复制机将一来源资料媒体中的资料复制至多个目的媒体，其包含下列步骤：a)将来源资料媒体与各目的媒体连接于复制机上；b)将来源资料媒体中的资料依序且循环重复传送至各目的媒体；c)各目的媒体接收并复制由来源资料媒体所传送来的资料；d)检查来源资料媒体中的资料是否已完全复制至各目的媒体，如是，则将目的媒体自复制机卸下并换上一新的目的媒体，再执行步骤c；如否，则继续执行步骤c；其中在更换任一目的媒体的过程中，其余的目的媒体仍独立地进行复制动作，并不会因更换目的媒体而中止。本发明可大幅缩短因更换目的媒体所造成的复制时间的延长，适应电脑行业大量复制资料的需求。
大量复制资料方法

[发明专利]复制资料的方法-CN200610082943.9有效
发明人：王松荣;邱泰庆;曹世强 -专利权人：安辰电脑股份有限公司
申请日： 2006-06-21 - 公布日： 2007-12-26 - 主分类号： G11B20/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种复制资料的方法，包含有下列步骤：a)制作一来源资料媒体，其中储存有若干有效资料，而来源资料媒体中除有效资料外的其余部分储存有若干基底资料；b)读取来源资料媒体中的一笔资料，资料的大小与基底资料相同；c)比对资料与基底资料，如资料与基底资料不相同，则将资料复制至至少一目标媒体中，如果相同，则不进行复制；d)读取来源资料媒体中的下一笔资料并重复步骤c。如此反复进行读取、比对与复制或不复制资料的动作，将来源资料媒体复制区中的资料完全复制至目标媒体中。由于本发明的方法并不是以档案为单位进行复制，因此任何档案系统均可应用本发明进行复制。
复制资料方法

[发明专利]快速复制资料的方法-CN200610083981.6无效
发明人：王松荣;邱泰庆;曹世强 -专利权人：安辰电脑股份有限公司
申请日： 2006-06-16 - 公布日： 2007-12-19 - 主分类号： G11B20/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种复制资料的方法，是用以将一来源储存媒体中的资料复制至至少一目标储存媒体，其中该来源储存媒体中具有一管理区以及一资料区，而该资料区中具有至少一档案，该方法包含有：分析该来源储存媒体，并将分析的结果建立一复制表格，其中该复制表格中记录有该管理区与该资料区中储存有资料的地址，并依据各地址的顺序排序；依据该复制表格中所记录的地址，依序复制该来源储存媒体中各地址所记录的资料；在该目标储存媒体的对应地址写入各复制资料。利用本发明的方法进行复制时，来源储存媒体与目标储存媒体的读写头是循序移动，可大幅降低复制的时间。
快速复制资料方法

[发明专利]资料复制机-CN200610058793.8有效
发明人：王松荣;邱泰庆 -专利权人：安辰电脑股份有限公司
申请日： 2006-03-03 - 公布日： 2007-09-05 - 主分类号： G06F11/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种资料复制机，其可将一来源储存组件中的资料复制至目标储存组件中，包含有：一来源接座，用于连接来源储存组件，若干目标接座，用于连接目标储存组件，以及一资料传输单元。资料传输单元具有一来源控制模块、一开关模块、若干目标控制模块以及若干先进先出内存。来源储存组件中的资料可经由来源控制模块传送至开关模块，再传送至预定的目标控制模块，以写入目标储存组件中。在传输过程中，资料会先进入先进先出内存，可提供可靠且快速的复制动作。
资料复制

[发明专利]热处理系统和可成形的垂直腔-CN03806135.X无效
发明人：戴尔·R·杜博伊斯;杰米·H·纳姆;克雷格·威尔德曼;邱泰庆;杰弗里·M·科瓦尔斯基 -专利权人：阿维扎技术公司
申请日： 2003-07-10 - 公布日： 2005-07-20 - 主分类号： F27B5/14 文献下载
摘要：提供一种热处理装在托架(106)中的基片(108)的装置(100)和方法。装置(100)包括具有顶部(134)，侧面(136)和底部(138)的容器(101)和带有接近它的加热元件(112－1，112－2，112－3)的热源(110)。容器(101)的尺寸使它封闭大致不大于容纳托架(106)所需的容积，并形成等温处理区(128)。在一实施例中，底壁(138)包括带有底部加热元件(112－1)的可动的支座(140)。其可升降将托架(106)插入容器(101)中。装置(100)可包括插入在支座(140)和托架(106)之间以屏蔽基片(108)不受加热元件(112－1)作用及保持支座温度的可动屏蔽件(146)。磁性耦合的重定位系统(162)不需使用穿过被容器(101)包围的容积中的可动引线且不需移动支座(140)中的底部加热元件(112－1)，可在处理基片(108)中重定位托架(106)。
热处理系统成形垂直

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