专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]采用飞行时间距离测量的被动进入系统-CN201710136183.3有效
  • 利雅得·哈巴尔;迈克尔·李 - 李尔公司
  • 2017-03-08 - 2021-03-02 - G01S19/42
  • 本发明公开了一种采用飞行时间距离测量的被动进入系统。系统和方法采用超宽带(UWB)飞行时间(ToF)距离测量以用于相对于目标来定位便携式设备。用于定位便携式设备的UWB ToF距离测量的性能和可靠性是基于信号质量计算通过调整通信重试策略实施的。由基站的每个卫星接收的UWB信号的质量是基于类似信号强度、噪声级、以及第一路径信号功率与总信号功率的比率的因素来评估的。这个数据用于将重试策略引导到接收这些卫星的最佳信号质量的卫星,以进行与便携式设备的ToF距离测量和/或将校正因子添加到计算出的ToF距离测量值。
  • 采用飞行时间距离测量被动进入系统
  • [发明专利]光电器件-CN201610597085.5有效
  • 亨利·詹姆斯·施耐德;爱德华·詹姆斯·威廉·克罗斯兰德;安德鲁·海伊;詹姆斯·鲍尔;迈克尔·李;巴勃罗·多卡摩波 - 牛津大学科技创新有限公司
  • 2013-09-17 - 2019-09-06 - H01L51/42
  • 本发明提供一种包括光活性区域的光电器件,该光活性区域包括:包括至少一个n型层的n型区域;包括至少一个p型层的p型区域;以及设置在n型区域与p型区域之间的:没有开口孔隙率的钙钛矿半导体的层。该钙钛矿半导体通常吸收光。在一些实施方式中,设置在n型区域与p型区域之间的是:(i)包括支架材料和钙钛矿半导体的第一层,该支架材料典型地是多孔的,并且该钙钛矿半导体典型地被设置在支架材料的孔中;以及(ii)设置在所述第一层上的封盖层,该封盖层是所述没有开口孔隙率的钙钛矿半导体的层,其中封盖层中的钙钛矿半导体与第一层中的钙钛矿半导体接触。没有开口孔隙率的钙钛矿半导体的层(其可以是所述封盖层)典型地与n型区域或p型区域形成平面异质结。本发明还提供用于制备这样的光电器件的方法,该方法典型地包括溶液沉积或气相沉积钙钛矿。在一个实施方式中,该方法是低温方法;例如,整个方法可在不高于150℃的温度下进行。
  • 光电器件

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