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[发明专利]双钙钛矿-CN202310912380.5在审
发明人： 亨利·詹姆斯·施耐德;埃米尔·阿巴斯·哈吉海拉德;费利西亚诺·朱斯蒂诺;玛丽娜·菲利普;乔治·沃洛纳凯斯 -专利权人：牛津大学科技创新有限公司
申请日： 2016-08-31 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H10K85/30 文献下载
摘要：本申请涉及一种包含半导体材料的发光器件，其中，该半导体材料包含化合物，该化合物包含：(i)一种或多种第一一价阳离子[A]；(ii)一种或多种第二一价阳离子[BI]；(iii)一种或多种三价阳离子[BIII]；和(iv)一种或多种卤素阴离子[X]。本申请还涉及一种用于制造包含所述半导体材料的发光器件的方法。
双钙钛矿

[发明专利]A/M/X材料的制备方法和光电器件-CN202310501365.1在审
发明人：酒井信世;伯纳德·威戈;亨利·詹姆斯·施耐德 -专利权人：牛津大学科技创新有限公司
申请日： 2019-07-12 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： C09K11/66 文献下载
摘要：本发明涉及一种生产结晶A/M/X材料的方法及光电器件。所述方法中，该结晶A/M/X材料包括式[A]a[M]b[X]c的化合物，其中：[A]包括一种或多种A阳离子；[M]包括属于金属或准金属阳离子的一种或多种M阳离子；[X]包括一种或多种X阴离子；a是1至6的数；b是1至6的数；且c是1至18的数，所述方法包括：a)使包括A前体和水性溶剂的水性溶液与包括M前体和有机溶剂的有机溶液接触；和b)当所述水性溶液与所述有机溶液接触时允许形成沉淀物，以及生产包括所述结晶A/M/X材料的光电器件，其中所述光电器件为光伏器件。该方法能够生产结晶A/M/X材料，同时能够精确控制其化学计量，从而生产出具有精细可调的诸如峰值发射波长的光学特性的产品。
材料制备方法光电器件

[发明专利]双钙钛矿-CN201680056363.4有效
发明人： 亨利·詹姆斯·施耐德;埃米尔·阿巴斯·哈吉海拉德;费利西亚诺·朱斯蒂诺;玛丽娜·菲利普;乔治·沃洛纳凯斯 -专利权人：牛津大学科技创新有限公司
申请日： 2016-08-31 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H10K30/50 文献下载
摘要：本申请涉及一种包含半导体材料的半导体器件，其中，该半导体材料包含化合物，该化合物包含：(i)一种或多种第一一价阳离子[A]；(ii)一种或多种第二一价阳离子[BI]；(iii)一种或多种三价阳离子[BIII]；和(iv)一种或多种卤素阴离子[X]。本申请还涉及一种用于制造包含所述半导体材料的半导体器件的方法。本申请还描述了一种化合物，包含：(i)一种或多种第一一价阳离子[A]；(ii)一种或多种第二一价阳离子[BI]，选自Cu+、Ag+和Au+；(iii)一种或多种三价阳离子[BIII]；和(iv)一种或多种卤素阴离子[X]。
双钙钛矿

[发明专利]使用烷基胺制造A/M/X材料的方法-CN201780016140.X有效
发明人： 亨利·詹姆斯·施耐德;帕比塔·纳亚克;伯纳德·威戈;纳基塔·诺埃尔;塞维林·哈比斯如汀格尔;戴维·莫尔 -专利权人：牛津大学科技创新有限公司
申请日： 2017-03-08 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H10K71/15 文献下载
摘要：本发明涉及一种制备结晶A/M/X材料层的方法，其中所述方法包括在衬底上设置前体组合物，所述前体组合物包括：(a)包括第一阳离子(M)的第一前体化合物，其中所述第一阳离子是金属或准金属阳离子；和(b)溶剂，其中所述溶剂包括：(i)乙腈、丙腈、丙酮或它们的混合物；和(ii)烷基胺。本发明还涉及一种组合物，所述组合物包括：(i)式MXn的化合物，(ii)式AX的化合物，(iii)乙腈、丙腈、丙酮或它们的混合物；和(iv)式RANH2所示的烷基胺，其中RA是C1‑8烷基。
使用烷基制造材料方法

[发明专利]光电设备及其制造方法、模块-CN202211438351.1在审
发明人： 亨利·詹姆斯·施耐德;托马斯·雷腾;杰克·亚历山大-韦伯;马克西米兰·托拜厄斯·荷让特勒 -专利权人：牛津大学科技创新有限公司
申请日： 2016-10-05 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H10K30/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种光电设备，包括：(a)包括至少一个第一电极和至少一个第二电极的衬底，至少一个第一电极包括第一电极材料，以及至少一个第二电极包括第二电极材料；以及(b)设置在衬底上的光活性材料，其与至少一个第一电极和至少一个第二电极接触。衬底包括：第一电极材料层，在第一电极材料层上设置的绝缘材料层，其部分地覆盖第一电极材料层；以及在绝缘材料层上设置的第二电极材料，并且光活性材料包含晶体化合物。还涉及一种制造光电设备的方法以及包括两个或更多个光电设备的模块。
光电设备及其制造方法模块

[发明专利]混合阳离子钙钛矿-CN201680069568.6有效
发明人：迈克尔·萨利巴;戴维·迈克米金;亨利·詹姆斯·施耐德;伯纳德·威戈 -专利权人：牛津大学科技创新有限公司
申请日： 2016-11-25 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： H01L51/44 文献下载
摘要：本发明涉及一种结晶化合物，其包含：(i)Cs+(铯)；(ii)(H2N–C(H)＝NH2)+(甲脒)；(iii)一种或多种金属或准金属二价阳离子[B]；和(iv)两种或更多种不同的卤阴离子[X]。本发明还涉及包含半导体材料的半导体器件，所述半导体材料包含所述结晶化合物。本发明还涉及生产结晶化合物层的方法。
混合阳离子钙钛矿

[发明专利]光电器件-CN202080057135.5在审
发明人： 亨利·詹姆斯·施耐德;林彦宏 -专利权人：牛津大学科技创新有限公司
申请日： 2020-05-28 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明涉及一种光电器件，该光电器件包括：(a)包含结晶A/M/X材料的层，其中，结晶A/M/X材料包括由下式表示的化合物：[A]a[M]b[X]c，其中：[A]包括一个或多个A阳离子；[M]包括一个或多个M阳离子，M阳离子为金属或准金属阳离子；[X]包括一个或多个X阴离子；a为从1到6的数字；b为从1到6的数字；且c为从1到18的数字；以及(b)作为盐的离子固体，盐包括有机阳离子和抗衡阴离子。本发明还提供用于生产结晶A/M/X材料的离子固体改性膜的各种方法。
光电器件

[发明专利]双钙钛矿-CN202080028389.4在审
发明人：费利西亚诺·朱斯蒂诺;亨利·詹姆斯·施耐德;酒井信世;约戈斯·沃洛纳基斯 -专利权人：牛津大学科技创新有限公司
申请日： 2020-03-12 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：本发明涉及一种包括化合物的光电材料，其中，该化合物包括：(i)一种或多种阳离子，A；(ii)一种或多种第一B阳离子，Bn+；(iii)一种或多种第二B阳离子，Bm+；和(iv)一种或多种硫族阴离子，X；其中，所述一种或多种第一B阳离子Bn+不同于所述一种或多种第二B阳离子Bm+；n表示所述第一B阳离子的氧化态，且为包括端值在内的1～7的正整数；m表示所述第二B阳离子的氧化态，且为包括端值在内的1～7的正整数；且n+m等于8。
双钙钛矿

[发明专利]包括器件中间层的多结光电器件-CN201980091222.X在审
发明人： 亨利·詹姆斯·施耐德;苏哈斯·马赫什 -专利权人：牛津大学科技创新有限公司
申请日： 2019-12-13 - 公布日： 2021-09-21 - 主分类号： H01L27/30 文献下载
摘要：本发明涉及一种多结器件，包括：a)包括第一光活性材料层的第一光活性区，b)包括第二光活性材料层的第二光活性区，和c)设置在所述第一和第二光活性区之间的电荷复合层，所述电荷复合层包括电荷复合层材料，第一和第二光活性材料之一包括至少一种A/M/X材料；第一和第二光活性材料中的另一种包括至少一种A/M/X材料或除A/M/X材料以外的作为光活性半导体的化合物；各A/M/X材料是式(I)[A]a[M]b[X]c的结晶化合物，其中：[A]包括一种或多种A阳离子；[M]包括一种或多种M阳离子，其为金属或准金属阳离子；[X]包括一种或多种X阴离子；a是从1到6的数字；b是从1到6的数字；c是1到18的数字；电荷复合层材料在波长λ处具有至少为2的折射率η(λ)，λ是从500nm到1200nm的波长。
包括器件中间层光电

[发明专利]长期稳定的光电器件-CN201980088802.3在审
发明人： 亨利·詹姆斯·施耐德;白赛;高风 -专利权人：牛津大学科技创新有限公司
申请日： 2019-11-27 - 公布日： 2021-08-17 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明涉及一种光电器件，包括：(a)包括晶体A/M/X材料的层，其中，所述晶体A/M/X材料包括式[A]a[M]b[X]c的化合物，其中，[A]包括一种或多种A阳离子；[M]包括一种或多种M阳离子，该M阳离子为金属或准金属阳离子；[X]包括一种或多种X阴离子；a是1至6的数；b是1至6的数；c是1至18的数；以及(b)离子液体，所述离子液体为含有机阳离子和反阴离子的盐，其中，所述有机阳离子存在于包括晶体A/M/X材料的层内。本发明还涉及一种用于生产晶体A/M/X材料的离子液体改性膜的方法，以及一种用于生产包括该晶体A/M/X材料的离子液体改性膜的光电器件的方法。
长期稳定光电器件

[发明专利]多结器件的生产方法-CN201980084620.9在审
发明人： 亨利·詹姆斯·施耐德;戴维·P·迈克米金 -专利权人：牛津大学科技创新有限公司
申请日： 2019-10-18 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： H01L51/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于生产包括结晶A/M/X材料层的多结器件的方法，该结晶A/M/X材料包含式[A]a[M]b[X]c的化合物，其中：[A]包括一种或多种A阳离子；[M]包括一种或多种M阳离子，所述M阳离子为金属或准金属阳离子；[X]包括一种或多种X阴离子；a是从1至6的数；b是从1至6的数；并且c是从1至18的数；并且，其中该方法包括通过将成膜溶液布置在衬底上来形成所述结晶A/M/X材料层，其中所述成膜溶液包括(a)一种或多种M阳离子和(b)溶剂；其中该溶剂包含(i)非质子溶剂和(ii)有机胺；并且，其中所述衬底包括：包含光活性材料的光活性区；和通过溶液沉积的方式布置在光活性区上的电荷复合层。多结器件也是本发明的主题。
器件生产方法

[发明专利]用混合溶剂体系制造层的方法-CN201980083116.7在审
发明人： 亨利·詹姆斯·施耐德;伯纳德·威戈;帕比塔·库马尔·纳亚克;纳基塔·金柏莉·诺埃尔 -专利权人：牛津大学科技创新有限公司
申请日： 2019-10-18 - 公布日： 2021-07-30 - 主分类号： H01L51/46 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于制造晶体A/M/X材料的层的方法，该晶体A/M/X材料包括式[A]a[M]b[X]c的化合物，其中：[M]包括一种或多种第一阳离子，该一种或多种第一阳离子是金属或类金属阳离子；[A]包括一种或多种第二阳离子；[X]包括一种或多种卤素阴离子；a是1至6的整数；b是1至6的整数；c是1至18的整数，其中，所述方法包括将前体组合物设置在基板上，所述前体组合物包括：(a)包括第一阳离子(M)的第一前体化合物，所述第一阳离子是金属或类金属阳离子；和(b)溶剂，其中，所述溶剂包括：(i)非极性有机溶剂，所述非极性有机溶剂是烃溶剂、氯代烃溶剂或醚溶剂；和(ii)包括至少三个碳原子的第一有机胺。本发明还描述了可用于本发明方法的组合物。
混合溶剂体系制造方法

[发明专利]A/M/X材料的制备方法-CN201980060141.3在审
发明人：酒井信世;伯纳德·威戈;亨利·詹姆斯·施耐德 -专利权人：牛津大学科技创新有限公司
申请日： 2019-07-12 - 公布日： 2021-04-30 - 主分类号： C09K11/66 文献下载
摘要：本发明涉及一种生产结晶A/M/X材料的方法，该结晶A/M/X材料包括式[A]a[M]b[X]c的化合物，其中：[A]包括一种或多种A阳离子；[M]包括属于金属或准金属阳离子的一种或多种M阳离子；[X]包括一种或多种X阴离子；a是1至6的数；b是1至6的数；且c是1至18的数。该方法能够生产结晶A/M/X材料，同时能够精确控制其化学计量，从而生产出具有精细可调的诸如峰值发射波长的光学特性的产品。本发明还涉及生产包括本发明的结晶A/M/X材料的薄膜的方法，以及涉及能够通过本发明的方法获得的薄膜。还提供了包括所述薄膜的光电器件。
材料制备方法

[发明专利]稳定的A/M/X材料-CN201980059899.5在审
发明人：酒井信世;伯纳德·威戈;亨利·詹姆斯·施耐德 -专利权人：牛津大学科技创新有限公司
申请日： 2019-07-12 - 公布日： 2021-04-16 - 主分类号： C09K11/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种制备稳定的结晶A/M/X材料的方法，该材料包括式[Z]pOq的氧化物和式[A]a[M]b[X]c的化合物，其中，[Z]包括至少一种能够形成带隙为至少3eV的氧化物的元素Z；p和q是正数；[A]包括一种或多种A阳离子；[M]包括一种或多种M阳离子；[X]包括一种或多种X阴离子；a是1至6的整数；b是1至6的整数；且c是1至18的整数。通常，稳定的结晶A/M/X材料是钙钛矿。本发明还提供了一种稳定的结晶A/M/X材料，其能够通过本发明的方法生产。本发明进一步提供了含有本发明的稳定的结晶A/M/X材料的材料和器件。
稳定材料

[发明专利]光电器件-CN201610585145.1有效
发明人： 亨利·詹姆斯·施耐德;爱德华·詹姆斯·威廉·克罗斯兰德;安德鲁·海伊;詹姆斯·鲍尔;迈克尔·李;巴勃罗·多卡摩波 -专利权人：牛津大学科技创新有限公司
申请日： 2013-09-17 - 公布日： 2020-01-21 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明提供一种包括光活性区域的光电器件，该光活性区域包括：包括至少一个n型层的n型区域；包括至少一个p型层的p型区域；以及设置在n型区域与p型区域之间的：没有开口孔隙率的钙钛矿半导体的层。该钙钛矿半导体通常吸收光。在一些实施方式中，设置在n型区域与p型区域之间的是：(i)包括支架材料和钙钛矿半导体的第一层，该支架材料典型地是多孔的，并且该钙钛矿半导体典型地被设置在支架材料的孔中；以及(ii)设置在所述第一层上的封盖层，该封盖层是所述没有开口孔隙率的钙钛矿半导体的层，其中封盖层中的钙钛矿半导体与第一层中的钙钛矿半导体接触。
光电器件

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