专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]车刀角度简易测量仪-CN202320943209.6有效
  • 赵金波 - 赵金波
  • 2023-04-24 - 2023-09-26 - G09B9/00
  • 提供一种车刀角度简易测量仪,属于车刀测量技术领域。包括基准测量底座和螺纹轴,基准测量底座的上平面为基准平面,基准测量底座的基准平面上设有模块定位槽,螺纹轴垂直于基准测量底座的基准平面,螺纹轴下端与基准测量底座中心固定连接;还包括角度测量模块,角度测量模块根据不同刀具的刀刃角度要求而设有多个,角度测量模块固定卡入基准测量底座上的模块定位槽中。本实用新型的测量仪进行车刀角度测量时快速、直观、便捷,在车刀角度测量教学中极大的方便了学生对车刀角度刃磨时的把握,直观性很强,极大的方便了学生对角度的测量,提高刀具刃磨效果,同时能帮助车工实训教师指导学生纠正车刀刃磨中对角度的准确把握。
  • 车刀角度简易测量仪
  • [发明专利]电子级多晶硅用硅芯清洗设备-CN202210632512.4有效
  • 吴家印;徐玲锋;赵金波;张海洋 - 江苏鑫华半导体科技股份有限公司
  • 2022-06-06 - 2023-08-01 - B08B3/04
  • 本发明公开了电子级多晶硅用硅芯清洗设备,该设备包括清洗工装和控制装置,清洗工装包括支撑杆、第一限位板、固定板,固定板沿其周向方向设置有多个硅芯固定孔,硅芯固定孔的孔径大于硅芯直径,且在硅芯的径向上,固定板靠近硅芯一侧的截面面积小于其远离硅芯一侧的截面面积,硅芯固定孔在第一限位板上的投影位于第一限位板内,且第一限位板上与硅芯固定孔对应的区域为非镂空设置;控制装置,控制装置与清洗工装相连,并控制清洗工装上下移动和/或转动。该设备不仅结构简单,操作方便,而且对硅芯进行固定后可实现硅芯与清洗液的充分接触,能解决清洗过程中存在局部死角的问题,使清洗更加均匀,去污除杂效果更好。
  • 电子多晶硅用硅芯清洗设备
  • [发明专利]功率半导体器件及其制造方法-CN201710687421.X有效
  • 赵金波;曹俊;张邵华;王平;闻永祥;顾悦吉;王珏 - 杭州士兰集成电路有限公司
  • 2017-08-11 - 2023-06-16 - H01L21/336
  • 本申请公开了功率半导体器件及其制造方法。所述方法包括:在半导体衬底的第一表面上形成外延层,半导体衬底和外延层均为第一掺杂类型且分别具有第一掺杂浓度和第二掺杂浓度;在外延层上形成栅叠层,栅叠层包括栅介质层和栅极导体,栅介质层夹在栅极导体和外延层之间;在外延层中形成体区,体区为第二掺杂类型;在体区中形成第一掺杂区,第一掺杂区为第一掺杂类型;形成到达第一掺杂区的第一接触;从半导体衬底的第二表面对半导体衬底进行掺杂,以提高掺杂浓度;以及在半导体衬底的第二表面上形成第二接触,其中,第一掺杂浓度是第二掺杂浓度的5至100倍。该方法工艺过程中减小了半导体衬底和外延层之间的浓度差,从而减小了过渡区的厚度,从而可以提高产品良率。
  • 功率半导体器件及其制造方法
  • [发明专利]一种用于制备超低温团簇的激光溅射脉冲团簇源-CN202310026786.3在审
  • 马雷;赵金波;苗琳;刘朝君;陈泽洋 - 天津大学
  • 2023-01-09 - 2023-05-05 - B22F9/14
  • 本发明属于团簇物理学技术领域,公开了一种用于制备超低温团簇的激光溅射脉冲团簇源,包括设置有团簇生长腔室的中心源体,团簇生长腔室连通有激光溅射通路、样品通路、载气通路、喷嘴接口;低温制冷机和中心源体外部分别安装冷头真空热屏蔽罩和源真空热屏蔽罩,用于减少温度向外扩散及热辐射影响;中心源体通过导热带和低温制冷机连接座与低温制冷机连接,导热带对中心源体传递低温且调整位置;载气通路通过预冷气管与脉冲阀连接,预冷气管盘绕并焊接在冷头真空热屏蔽罩外部,实现载气进入中心源体之前预先冷却。本发明能够将低温下中心源体与周围环境的热传导和热传递均降到很低的水平,进而达到8.7±1K的超低温,实现超低温金属团簇制备。
  • 一种用于制备超低温激光溅射脉冲团簇源
  • [实用新型]一种隧洞超前小导管注浆设备-CN202223457512.X有效
  • 张勇;俞元洪;姜欢悦;王清涛;程林;王杰;赵金波 - 浙江省围海建设集团股份有限公司
  • 2022-12-23 - 2023-05-05 - E21D11/10
  • 本实用新型涉及隧道施工的技术领域,特别是涉及一种隧洞超前小导管注浆设备,其增加浆液固化后的强度,提高设备的使用范围,节省时间,提高工作效率,提高施工进度,提高设备的通过性,提高设备使用时的便利性;包括底板、搅拌机构和注浆机构,搅拌机构包括料桶、两个固定架、转轴、搅拌电机、多个搅拌杆、若干尖刺和第一出料管,搅拌机构安装在底板的顶端,注浆机构安装在底板的顶端中部,且注浆机构的输入端与搅拌机构的输出端连接;还包括输送机构、快装机构和移动机构,输送机构安装在底板的顶端右部,输送机构的输入端与注浆机构的输出端连接,快装机构安装在输送机构的输出端,移动机构安装在底板的底端。
  • 一种隧洞超前导管设备
  • [发明专利]沟槽功率器件及制作方法-CN201610556252.1有效
  • 杨彦涛;邵凯;夏志平;赵金波;李云飞 - 杭州士兰集成电路有限公司
  • 2016-07-12 - 2023-04-18 - H01L29/78
  • 本发明揭示了一种沟槽功率器件及制作方法。本发明提供的一种沟槽功率器件及制作方法,通过将第一沟槽和第二沟槽顶部的栅极材料层氧化形成第二氧化层,并在第一沟槽和第二沟槽中栅极材料层顶部侧面留有阻止层,在第二沟槽中栅极材料层顶部两侧留有部分第二氧化层,再通过形成侧墙,从而使整个槽栅结构均被保护住,同时还减少了介质层淀积的步骤及该步骤产生的表面不平坦化,减少接触孔光刻层次,在现有光刻设备条件下使槽栅结构在加工工艺中不受到接触孔不稳定工艺的影响,实现更小线宽产品自对准功能,降低生产成本,使产品的参数和可靠性满足要求。
  • 沟槽功率器件制作方法
  • [发明专利]沟槽功率器件及制作方法-CN201610555402.7有效
  • 杨彦涛;赵金波;陈琛;梅良波;彭博威 - 杭州士兰集成电路有限公司
  • 2016-07-12 - 2023-03-31 - H01L21/336
  • 本发明揭示了一种沟槽功率器件及制作方法。本发明提供的一种沟槽功率器件及制作方法,通过在半导体衬底中形成第一沟槽,并将第一阻止层、多晶硅材料层设置于所述第一沟槽中,进而实现了静电隔离结构设置在半导体衬底中,避免了静电隔离结构高于第二沟槽、第三沟槽的情况,使得半导体衬底表面平整,有效解决由于传统静电隔离结构的不平坦使后续的沉积工艺台阶覆盖能力不佳,特别是光刻出现匀胶不良,曝光异常,台阶处光刻胶偏薄无法有效作为刻蚀阻挡层等问题,从而实现器件结构,使参数和可靠性满足产品的要求。
  • 沟槽功率器件制作方法

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