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- [发明专利]半导体装置-CN202011088594.8在审
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王慧琳;许博凯;范儒钧;林奕佑;许清桦;陈宏岳
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联华电子股份有限公司
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2020-10-13
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2022-04-15
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H01L27/22
- 本发明公开一种半导体装置，其包括基底、第一介电层、第二介电层以及第三介电层。第一介电层设置在基底上，第一介电层环绕第一金属内连线。第二介电层设置在第一介电层上，环绕插塞以及第二金属内连线，第二金属内连线直接接触第一金属内连线。第三介电层设置在第二介电层上，环绕第一磁隧穿结结构以及第三金属内连线，第三金属内连线直接接触第一磁隧穿结结构以及第二金属内连线，第一磁隧穿结结构直接接触插塞。本发明的半导体装置可整合一般磁性随机存储装置的逻辑区域以及虚设磁性随机存储装置区域，有效缩小布局图案。
- 半导体装置
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