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[发明专利]管内三维流速传感器及其制造方法-CN202210347964.8有效
发明人：张一慧;金天棨;薛兆国;徐世威 -专利权人：清华大学
申请日： 2022-04-01 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： G01P5/08 文献下载
摘要：本公开涉及一种管内三维流速传感器及其制造方法。该管内三维流速传感器包括：管状基底和有至少一个分支的传感器主体；各分支包括依次堆叠的支撑层、应变栅层和封装层，应变栅层包括应变栅和所连接的输入电极、输出电极；各分支包括连接部和所连接的第一、第二固定部，第一、第二固定部分别固定于管状基底的内壁的，且各连接部凸起；应变栅至少部分位于连接部，输入、输出电极位于第一固定部，输入、输出电极连接到检测模块；管状基底的外壁与目标管道内壁固定连接，以使得检测模块基于对应变栅的阻值检测结果确定出目标管道内液体的流速。制造简单、快速，且管内三维流速传感器简单通用、成型良好，集成度、精度与灵敏度高，适用范围广。
三维流速传感器及其制造方法

[发明专利]一种肠镜临床检查辅助装置-CN202211465608.2在审
发明人：孙晓梅;薛兆国 -专利权人：黑龙江省医院
申请日： 2022-11-22 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： A61G13/12 文献下载
摘要：一种肠镜临床检查辅助装置，包括底座、花键轴、一号涡轮、滑套、联轴套、一号齿轮、二号齿轮、拨杆、二号涡轮、移动架、四号齿轮、五号齿轮、摩擦片，所述底座中间具有左右对称的两个一号轴承座，每个一号轴承座上部前侧各具有一个二号轴承座，底座中间具有前后对称的两个三号轴承座，三号轴承座左侧具有前后对称的两个四号轴承座，一号轴承座外侧各具有一个侧板，每个侧板上部具有侧板螺母孔，每个侧板外侧具有轴套，左侧侧板下部侧面具有侧板孔，联轴套中间具有联轴套花键孔，联轴套一侧具有联轴套法兰,联轴套法兰内侧具有联轴套内齿轮，一号齿轮侧面具有一号齿轮环。
一种临床检查辅助装置

[发明专利]基于曲面基底的三维微纳器件的制造方法-CN202210348513.6在审
发明人：张一慧;金天棨;薛兆国 -专利权人：清华大学
申请日： 2022-04-01 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本公开涉及一种基于曲面基底的三维微纳器件的制造方法。该方法包括：根据对应的预应力加载策略对曲面基底进行预应力加载，得到展后曲面基底；将根据具有目标空间结构的三维微纳器件制造出的二维前驱体转印至展后曲面基底；将二维前驱体的待固定部分固定到展后曲面基底上；释放展后曲面基底所加载的预应力，以使得二维前驱体变形为三维微纳器件，得到曲面基底和固定组装于曲面基底上的三维微纳器件。该方法可以在几何形貌复杂的曲面上高效、快速、精确的设计并组装丰富的三维微纳器件。适用的组装范围更加广泛，拓扑结构组装丰富性更强。可用于开发适用于曲面的、应用范围广泛的新型三维柔性电子器件。
基于曲面基底三维器件制造方法

[发明专利]一种可拉伸晶体半导体纳米线及其制备方法-CN201810614845.8有效
发明人：余林蔚;薛兆国;董泰阁;王军转 -专利权人：南京大学
申请日： 2018-06-14 - 公布日： 2020-09-01 - 主分类号： C30B25/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种可拉伸晶体半导体纳米线及其制备方法，所述可拉伸晶体半导体纳米线具有细长的主体，所述纳米线直径在20‑200纳米之间，所述纳米线为为晶态无机半导体结构。所述可拉伸晶体半导体纳米线为弯曲结构，在轴向方向具有多个可拉伸单元，所述多个可拉伸单元依次连接，从而形成可拉伸晶体半导体纳米线。本发明采用IP‑SLS等方法在PECVD中生长沟道台阶引导的纳米线，并利用现代微加工技术进行制作成弹簧结构晶体纳米线阵列。由于此类纳米线与引导沟道截面可以有效调节，可以进一步进行剥离和转移到其他柔性衬底之上。本发明制备弹簧结构晶体纳米线的方法在柔性电子领域、传感器的应用方面有着广阔的前景。
一种拉伸晶体半导体纳米及其制备方法

[发明专利]一种晶体纳米线生物探针器件的制备方法-CN201610899426.4有效
发明人：余林蔚;王吉米;薛兆国;王军转;徐骏 -专利权人：南京大学
申请日： 2016-10-17 - 公布日： 2019-06-28 - 主分类号： G01N27/414 文献下载
摘要：一种晶体纳米线生物探针器件的制备方法，包括：1)采用具有一定硬度，耐350℃温度的支撑性材料作为洁净衬底的表面；2)在衬底上通过光刻刻蚀技术制作出深度约90nm‑350nm生物探针形状的引导沟道；3)通过平面纳米线引导生长方法，使直径约50±10nm直径的晶体纳米线精确地沿着所述引导沟道生长，形成生物探针形状的纳米线；4)通过光刻和蒸镀技术在生物探针纳米线两侧的制作80‑120nm厚度的金属手臂作为金属电极；5)在衬底上通过转移纳米线生物探针。本发明可方便进行其他电学器件连接和集成，使得对微钠物质的测量更为便捷。本项技术为基于平面半导体纳米线的高性能场效应晶体管、传感器和光电器件提供了关键技术基础。
生物探针纳米线晶体纳米衬底沟道制备场效应晶体管平面半导体电学器件关键技术光电器件金属电极金属手臂生长传感器钠物质支撑性光刻蒸镀测量洁净制作

[发明专利]一种制备珠串形单晶硅纳米线的方法-CN201510504801.6有效
发明人：余林蔚;薛兆国;许明坤;李成栋 -专利权人：南京大学
申请日： 2015-08-17 - 公布日： 2018-02-06 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备平面珠串形单晶硅纳米线的方法，1)在平整的衬底上，在定位区域蒸镀In、Sn或Bi诱导金属膜，即为纳米线生长的初始位置；2)将上述衬底放入PECVD系统腔内，在温度200℃‑500℃，氢气等离子体处理样品5‑30分钟后，金属膜会形成大量几十纳米到几微米之间不同尺寸的准纳米催化金属颗粒；3)在PECVD系统中，覆盖一层适当厚度(几纳米至几百纳米)的非晶硅层作为前驱体介质层；4)在真空中或者氢气、氮气等非氧化性气氛中退火，催化金属颗粒会被激活，自发吸收非晶硅，析出单晶硅，同时直径发生周期性变化，生长出珠串形纳米线。
一种制备珠串形单晶硅纳米方法

[发明专利]一种基于平面纳米线线形设计和引导的可拉伸晶体半导体纳米线的制备方法-CN201710450420.3在审
发明人：余林蔚;薛兆国;董泰阁;王军转 -专利权人：南京大学
申请日： 2017-06-15 - 公布日： 2017-12-12 - 主分类号： C30B25/18 文献下载
摘要：基于平面纳米线线形设计和引导的可拉伸晶体半导体纳米线的制备方法，1)采用包括玻璃、二氧化硅片或者硅片衬底，进行标准化清洗；2)利用光刻技术或表面图案刻蚀技在衬底表面刻蚀一定深度的台阶；3)通过平面纳米线引导生长方法，使直径约130±20nm直径的晶体纳米线精确地沿着所述引导沟道生长，形成纳米线弹簧阵列；4)在PECVD系统中利用包括氢气的还原性等离子体处理金属薄膜，形成直径在几十纳米到一个微米之间的纳米金属催化颗粒；5)淀积覆盖一层适当厚度的非晶半导体层作为前驱体介质；6)在真空中或者非氧化性气氛中退火生长、温度在250℃以上，吸收非晶层并沿途淀积出晶态的纳米线结构。
一种基于平面纳米线线设计引导拉伸晶体半导体制备方法

[发明专利]一种外延定向生长、转移和集成平面半导体纳米线的方法-CN201510586924.9在审
发明人：余林蔚;许明坤;薛兆国;王吉米;李成栋 -专利权人：南京大学
申请日： 2015-09-15 - 公布日： 2016-01-13 - 主分类号： C30B23/02 文献下载
摘要：外延定向生长、转移和集成平面半导体纳米线的方法，步骤如下：1)对晶体衬底处理，去掉表面氧化层；2)蒸镀In、Sn诱导金属膜，生长出金属膜图案，膜厚度在几个纳米到几十个纳米；3)在PECVD系统中利用等离子体处理技术，在温度200℃-500℃、功率2W-50W时进行处理，使金属膜收缩成为直径在几十纳米到几微米之间的准纳米金属催化颗粒；4)继续在PECVD系统中覆盖生长一层几纳米至几百纳米的非晶硅层作为前驱体介质层；5)非晶硅层在真空中或非氧化性气氛中退火，利用IP-SLS生长模式在非晶硅层生长获得外延硅或锗纳米线。为基于平面半导体纳米线的场效应晶体管、传感器和光电器件提供了关键技术。
一种外延定向生长转移集成平面半导体纳米方法

[发明专利]一种制备高质量柔性单晶硅纳米线的方法-CN201510502869.0在审
发明人：余林蔚;薛兆国;许明坤;李成栋 -专利权人：南京大学
申请日： 2015-08-17 - 公布日： 2015-12-23 - 主分类号： C30B25/20 文献下载
摘要：一种制备高质量柔性平面zigzag单晶硅纳米线的方法，1)、在平整的衬底上，利用光刻或其他图案选择定位技术，在选位区域蒸镀Sn或In等诱导金属膜，作为纳米线生长的初始位置；2)在PECVD系统中利用等离子体处理技术，在温度200℃-500℃、功率2W-50W时用氢气的等离子处理样品，使金属膜成为直径在几十纳米到几微米之间的准纳米催化颗粒；3)、在PECVD系统中覆盖一层适当厚度的非晶硅层作为前驱体介质层；4)、在真空中或者氢气、氮气等非氧化性气氛中退火，激活的催化颗粒自发吸收周围的非晶硅，析出晶态硅，同时纳米线的生长方向发生周期性的变化，从而生长出zigzag形晶态纳米线。
一种制备质量柔性单晶硅纳米方法

[实用新型]额定电压0.6/1kV及以下舰船用电力电缆-CN201320378296.1有效
发明人：王兆波;凌云;邢立江;薛兆国;翟孟刚 -专利权人：山东华凌电缆有限公司;山东质量认证中心
申请日： 2013-06-27 - 公布日： 2013-12-11 - 主分类号： H01B9/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种额定电压0.6/1kV及以下舰船用电力电缆。它解决了目前舰船用电力电缆耐油性差、耐候性差、机械强度低、不阻燃，电缆安全可靠性低和使用寿命短等问题，具有环保、阻燃、无卤低烟、耐候性好，耐油性好，耐磨性好等特点。其结构为：它包括缆芯，缆芯包括设置于填充体内的若干线芯导体，每根线芯导体的外壁均设有导体绝缘层；所述若干线芯导体排列绞合而成；所述填充体外壁由内到外依次包裹电缆包带层、电缆内护套层、电缆铠装层和电缆外护套层。
额定电压 0.6 kv 以下舰船用电电缆

[发明专利]额定电压0.6/1kV及以下舰船用电力电缆-CN201310264273.2无效
发明人：王兆波;翟孟刚;薛兆国;王秀玉 -专利权人：山东华凌电缆有限公司
申请日： 2013-06-27 - 公布日： 2013-09-25 - 主分类号： H01B9/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种额定电压0.6/1kV及以下舰船用电力电缆。它解决了目前舰船用电力电缆耐油性差、耐候性差、机械强度低、不阻燃，电缆安全可靠性低和使用寿命短等问题，具有环保、阻燃、无卤低烟、耐候性好，耐油性好，耐磨性好等特点。其结构为：它包括缆芯，缆芯包括设置于填充体内的若干线芯导体，每根线芯导体的外壁均设有导体绝缘层；所述若干线芯导体排列绞合而成；所述填充体外壁由内到外依次包裹电缆包带层、电缆内护套层、电缆铠装层和电缆外护套层。
额定电压 0.6 kv 以下舰船用电电缆

[实用新型]高性能控制电缆-CN201220373860.6有效
发明人：宋怀旭;潘茂龙;翟孟刚;薛兆国 -专利权人：山东华凌电缆有限公司
申请日： 2012-07-31 - 公布日： 2013-03-13 - 主分类号： H01B7/00 文献下载
摘要：本实用新型的一种高性能控制电缆，包括7个线芯，每个线芯包括导体和挤包在导体外的双层共挤异质绝缘层，双层共挤异质绝缘层包括辐照交联聚乙烯内绝缘层和辐照交联无卤低烟阻燃聚烯烃外绝缘层，所有线芯外共同包有涂胶型阻燃玻璃布带，涂胶型阻燃玻璃布带外包有屏蔽层，屏蔽层外包有辐照交联无卤低烟阻燃聚烯烃外护套，线芯与涂胶型阻燃玻璃布带之间填充有无机纸绳。本实用新型的有益效果是：本实用新型电气性能稳定、机械性能好，使用寿命长达70年，还具有屏蔽系数高、无卤、低烟、阻燃、抗干扰性能好等优点。
性能控制电缆

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