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[发明专利]一种氮化物半导体外延结构-CN202310335179.5在审
发明人： 蔡长祐;胡智威;蔡清富;陈威佑 -专利权人：南京百识电子科技有限公司
申请日： 2023-03-31 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化物半导体外延结构，要解决的是现在氮化镓功率器件的功率损耗问题，本结构涉及氮化物半导体外延结构技术领域，包含衬底，在所述衬底上依次设有成核层、过渡层、复合缓冲层、顶氮化镓层、被覆层，镁参杂层；还包含设置在铝鎵氮层(AlGaN‑Barrier)与镁参杂层(p‑GaN)之间的低温铝氮层(LT‑AlN)，所述低温铝氮层用于减少镁原子往铝鎵氮层AlGaN Barrier扩散，进而改善氮化镓功率元件之功率输出。
一种氮化物半导体外延结构

[发明专利]一种降低碳化硅外延片表面缺陷的方法-CN202310336236.1在审
发明人：陈威佑;蔡清富;蔡长祐;胡智威 -专利权人：南京百识电子科技有限公司
申请日： 2023-03-31 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L21/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种降低碳化硅外延片表面缺陷的方法，涉及降低碳化硅外延片表面缺陷的技术领域，包含表面蚀刻、缓冲层成长与外延成长三个阶段；在充满氢气的环境下,升温到摄氏1600度以上,通入含有硅源与碳源的反应气体进行外延,硅和碳的来源气体主要是硅烷和丙烷,氮气与三甲基铝则被用来做参杂浓度的气体来源，本方法在缓冲层成长过程中,除了反应气体外,通入一定占比范围的含氯气体来提高硅气体分子在和碳气体分子的在外延反应过程中键结稳定性,避免产生非碳化硅键结的反应,藉此来降低外延中因产生非碳化硅键结而形成的表面与晶体缺陷,同时并可提高外延成长速率,来获得高质量的碳化硅外延层。
一种降低碳化硅外延表面缺陷方法

[实用新型]一种碳化硅晶片掺杂浓度电子探针分析仪-CN202321025448.X有效
发明人： 蔡长祐;蔡清富;陈威佑;胡智威 -专利权人：南京百识电子科技有限公司
申请日： 2023-05-04 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： G01N23/225 文献下载
摘要：本实用新型涉及分析仪技术领域，且公开了一种碳化硅晶片掺杂浓度电子探针分析仪，包括台面、升降座和分析探头，所述升降座设置于台面的顶部，所述分析探头固定安装于升降座上；所述升降座的底部固定设有安装杆，所述分析探头固定安装于安装杆的下端，所述安装杆的杆壁弹性滑动设有防护罩；所述台面的顶部转动设有转轴，所述转轴的上端固定设有旋转盘，所述旋转盘的上表面边缘处固定设有多个均匀分布的晶片放置盘，所述台面的顶部且与转轴之间设有限位机构。本实用新型不仅能够将碳化硅晶片的掺杂浓度隔离检测，而且便于对多个碳化硅晶片的掺杂浓度进行检测分析对比，提高了检测分析的效率。
一种碳化硅晶片掺杂浓度电子探针分析

[发明专利]一种降低碳化硅外延缺陷阻障层生长控制方法-CN202310335183.1在审
发明人：胡智威;蔡清富;蔡长祐;陈威佑 -专利权人：南京百识电子科技有限公司
申请日： 2023-03-31 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01L21/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种降低碳化硅外延缺陷阻障层生长控制方法，涉及碳化硅外延缓冲层的结构设计技术领域，包含碳化硅外延层、碳化硅衬底，在碳化硅外延层、碳化硅衬底之间加入复合式的碳化硅缺陷阻障层，用于使晶体产生晶格扭曲位移改变了衬底垂直型位错的伯格向量，减低了垂直型位错往上延伸至外延层的驱动力，并透过调控高浓度氮掺杂缺陷阻障层的浓度与掺杂调变碳化硅层堆叠的层数，降低因垂直型位错造成的外延表面与内部堆叠错位的缺陷密度，提高外延层质量，在后续的器件应用上，减少因缺陷所导致的器件不良率，进而提供器件产品的稳定度与性能表现。
一种降低碳化硅外延缺陷阻障生长控制方法

[发明专利]一种碳化硅外延层的缺陷阻障结构及方法-CN202310682017.9在审
发明人：胡智威;蔡清富;蔡长祐;陈威佑 -专利权人：南京百识电子科技有限公司
申请日： 2022-02-22 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化硅外延层的缺陷阻障结构及方法，其中缺陷阻障结构包括至少一层设置于碳化硅衬底与碳化硅外延层之间的碳化硅缓冲层，以及至少一层生长于碳化硅衬底和碳化硅缓冲层的之间的碳化硅缺陷阻障层。碳化硅缺陷阻障层的掺杂浓度高于碳化硅衬底，所述碳化硅缺陷阻障层的掺杂浓度介于5E18/cm3～7.5E18/cm3之间；所述碳化硅缺陷阻障层的厚度介于4μm～10μm之间。上述技术方案的缺陷阻障层能产生些微的晶格扭曲位移，改变了衬底垂直型位错的伯格向量，减低了垂直型位错往上延伸至外延层的驱动力，从而降低外延层的内部与表面的缺陷数量，可以使外延层缺陷密度低于1/cm2，提高器件性能及良率。
一种碳化硅外延缺陷阻障结构方法

[发明专利]碳化硅外延层的缺陷阻障结构及方法-CN202210161021.6有效
发明人：胡智威;蔡长祐;陈威佑;蔡清富 -专利权人：南京百识电子科技有限公司
申请日： 2022-02-22 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化硅外延层的缺陷阻障结构及方法，其中缺陷阻障结构包括至少一层设置于碳化硅衬底与碳化硅外延层之间的碳化硅缓冲层，以及至少一层生长于碳化硅衬底和碳化硅缓冲层的之间的碳化硅缺陷阻障层。碳化硅缺陷阻障层的掺杂浓度高于碳化硅衬底，碳化硅缺陷阻障层的掺杂浓度大于等于5E18/cm3且小于等于1E19/cm3。上述技术方案的缺陷阻障层能产生些微的晶格扭曲位移，改变了衬底垂直型位错的伯格向量，减低了垂直型位错往上延伸至外延层的驱动力，从而降低外延层的内部与表面的缺陷数量，可以使外延层缺陷密度低于1/cm2，提高器件性能及良率。
碳化硅外延缺陷阻障结构方法

[发明专利]氮化物半导体外延结构-CN202310663305.X在审
发明人：胡智威;蔡清富;蔡长祐;陈威佑 -专利权人：南京百识电子科技有限公司
申请日： 2022-04-21 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化物半导体外延结构，包括衬底，所述衬底上依次设有成核层、过渡层、复合缓冲层、顶氮化镓层、被覆层，过渡层为AlxGaN层，所述复合缓冲层包括第一复合缓冲层和第二复合缓冲层。本发明通过复合缓冲层的厚度与GaN层的厚度之间的调整，使相对靠近成核层的过渡层的平均铝含量大于相对远离成核层的复合缓冲层的平均铝含量，有效地减缓氮化镓层与衬底之间因晶格与热膨胀系数不匹配所产生的应力，从而克服前述两者之间缺陷过多的缺点。本发明以超晶格生长外延层，能有效控制翘曲，进而提升氮化镓品质，降低缺陷增加产品良率，超晶格复合缓冲结构生长方法中，加入不同铝含量生长方式，可更进一步有效改善翘曲，增加产品良率。
氮化物半导体外延结构

[发明专利]一种氮化镓外延底层超晶格的生长方法-CN202011547206.8有效
发明人：蔡清富;胡智威;蔡长祐;陈威佑 -专利权人：南京百识电子科技有限公司
申请日： 2020-12-24 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化镓外延底层超晶格的生长方法，包括提供Si(III)生长基板；在所述生长基板表面形成AlN成核层；在所述成核层上形成AlxGaN/GaN transition layer缓冲层；其中x＝0％‑100％；在所述缓冲层上形成AlxGaN/GaN multi‑SLs bufferlayer超晶格层，其中x＝0％‑100％；多次重复所述形成超晶格层的步骤，最后在所述超晶格层表面形成氮化镓层。本发明提出的超晶格生长方法，有效控制翘曲，进而提升氮化镓品质，降低缺陷，增加产品良率，提升产品价值；在生长方法中，加入不同铝含量的生长方式，更进一步有效改善翘曲，增加产品良率。
一种氮化外延底层晶格生长方法

[发明专利]一种碳化硅外延底层的生长方法-CN202011547217.6有效
发明人：陈威佑;胡智威;蔡长祐;蔡清富 -专利权人：南京百识电子科技有限公司
申请日： 2020-12-24 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化硅外延底层的生长方法，在成长缓冲层的过程中，堆栈一层不同碳硅比的的薄型阻障层，有效地阻挡衬底的垂直型位错往上延伸至外延层，并通过调控外延底层生长过程中的碳硅比例，进一步终止位错的成长，有效降低外延层表面微孔洞数量1～2个级数，提高外延层表面质量，在后续的三极管器件应用上，减低因表面微孔洞造成的电性不良率，进而提供器件产品的稳定度与性能表现。
一种碳化硅外延底层生长方法

[发明专利]非导电性金属色彩半透明膜及其制备方法-CN201880087326.9有效
发明人：白雨成;李相文;蔡长祐;郑建守;边娜恩 -专利权人：株式会社SELCOS
申请日： 2018-06-14 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： C23C14/00 文献下载
摘要：本发明关于一种非导电性金属色彩半透明膜及其制备方法，包括：准备具有透光性的玻璃基板的基板准备阶段；在上述阶段准备的所述玻璃基板一侧的至少一部分形成色彩层的色彩层形成阶段；以及在上述阶段形成的所述色彩层的一侧的至少一部分形成半透明层的半透明层形成阶段，其所提供的薄膜，所述半透明层的从所述玻璃基板的另一侧入射一侧的光的透射率为5％到20％，具有高表面电阻值而使触摸传感器准确切换，呈现金属色彩且具有半透明性，从而大大提高了家电产品的多功能操作性和外观设计。
导电性金属色彩半透明及其制备方法

[实用新型]一种生长碳化硅晶片台阶式盖环结构-CN202220537339.5有效
发明人：蔡清富;胡智威;陈威佑;蔡长祐 -专利权人：南京百识电子科技有限公司
申请日： 2022-03-10 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种生长碳化硅晶片台阶式盖环结构，包括：用以生长碳化硅薄膜的碳化硅衬底；用以承载碳化硅衬底进入高温炉生长碳化硅薄膜的承载盘；用以放置于碳化硅衬底和承载盘之间的盖环；所述盖环与碳化硅衬底径向拼接，拼接处碳化硅衬底的厚度高于或等于盖环的厚度。本实用新型采用台阶式盖环由于衬底晶片与盖环不存在厚度差，当在气流到达晶片表面时，所以气体在缘是平流过去的，生长速度就会与中心处基本上较为相近，能有效的改善均匀性不佳的问题，进而提升碳化硅外延良率，创造产品的更高价值。
一种生长碳化硅晶片台阶式盖环结构

[发明专利]氮化物半导体外延结构-CN202210419930.5在审
发明人：胡智威;蔡清富;蔡长祐;陈威佑 -专利权人：南京百识电子科技有限公司
申请日： 2022-04-21 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化物半导体外延结构，包括衬底，所述衬底上依次设有成核层、过渡层、复合缓冲层、顶氮化镓层、被覆层，过渡层为AlxGaN层，所述复合缓冲层包括第一复合缓冲层，所述第一复合缓冲层包括相互交迭的多个Aly1GaN层和多个GaN层，其中，y1＞x，所述第一复合缓冲层中各个第Aly1GaN层的厚度相同，各第一GaN层的厚度相同。本发明以超晶格生长外延层，能有效控制翘曲，进而提升氮化镓品质，降低缺陷增加产品良率，超晶格复合缓冲结构生长方法中，加入不同铝含量生长方式，可更进一步有效改善翘曲，增加产品良率。
氮化物半导体外延结构

[发明专利]半导体元件-CN202210008925.5在审
发明人：潘永中;蔡长祐;胡庆忠;陈明宝;沈圻;连伟杰 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2018-01-26 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体元件，其包含︰第一半导体结构；第二半导体结构，位于第一半导体结构上；活性区域，位于第一半导体结构以及第二半导体结构之间，活性区域包含交替的阱层以及阻障层，且各阻障层具有一能阶，活性区域还包含一面对第二半导体结构的上表面以及一相对于上表面的底表面；以及多个交替的第三半导体层以及第四半导体层位于第一半导体结构及活性区域之间；其中，第三半导体层的能阶大于第四半导体层的能阶；每一个第四半导体层包含一三族元素，且每一个第四半导体层的三族元素各具有一最高含量，较靠近活性区域的第四半导体层中的最高含量高于较靠近第一半导体结构的第四半导体层中的最高含量。
半导体元件

[发明专利]半导体元件-CN201810076542.5有效
发明人：潘永中;蔡长祐;胡庆忠;陈明宝;沈圻;连伟杰 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2018-01-26 - 公布日： 2022-01-18 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体元件，其包含︰一第一半导体结构；一第二半导体结构；一活性区域，活性区域包含交替的阱层以及阻障层，活性区域还包含一面对第二半导体结构的上表面以及一相反于上表面的底表面；一包含一第一电子阻挡层的电子阻挡区域，第一电子阻挡层的能阶大于其中阻障层的能阶；一第一含铝层，第一含铝层的能阶大于第一电子阻挡层的能阶，一位于活性区域的底表面以上的p型掺杂物，其包含一浓度轮廓，浓度轮廓包含一峰形，峰形具有一峰值浓度，峰值浓度位于活性区域的上表面起15nm至60nm的一距离内。
半导体元件

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